双梯形射频大功率电阻器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种双梯形射频大功率电阻器，包括法兰盘和基体，还包括A面电极、B面电极、侧面电极、电阻体和金属引线，所述A面电极连接在基体的上表面，B面电极采用丝网漏印工艺印在基体的下表面且全部覆盖，侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极，电阻体位于A面电极之上并且与A面电极搭接端稳定搭接；所述电阻体为两个串联的梯形结构电阻，且首尾两端分别连接侧面电极和A面电极。本实用新型专利技术采用单一基体双电阻体设计，将功率承受分摊到两个相对独立的电阻体上，避免了热量的集中而造成电阻体热击穿或基体因长时间局部高温产生的形变，增加了电阻器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及射频功率电阻器领域，特别是指一种双梯形射频大功率电阻器。
技术介绍
射频功率电阻器被被广泛应用于广播通信领域,而随着广播通信领域的飞速发展,传统的射频功率电阻器渐渐地不能达到行业要求。因此为了满足行业的需求，需开发一种功率大并且可靠性高的电阻器。单一的矩形电阻体承受大功率时会产生热集中现象，容易造成电阻体烧毁，而且长时间的局部高温容易使基体产生形变而影响电阻器的性能，造成质量隐患。单一的矩形电阻体电阻宽度一定，在某些情况下不能与射频组件的腔体很好匹配，造成性能不佳。
技术实现思路
本技术提出一种双梯形射频大功率电阻器，能够提高电阻器的可靠性和适用性。本技术的技术方案是这样实现的：一种双梯形射频大功率电阻器，包括法兰盘和基体，还包括A面电极、B面电极、侧面电极、电阻体和金属引线，所述A面电极连接在基体的上表面，B面电极采用丝网漏印工艺印在基体的下表面且全部覆盖，侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极，电阻体位于A面电极之上并且与A面电极搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体上起保护作用的介质保护层；金属引线采用焊接工艺焊接于A面电极之上；所述电阻体为两个串联的梯形结构电阻，且首尾两端分别连接侧面电极和A面电极。作为优选，所述基体上表面还设有保护电阻器有效零件的封装盖板，且封装盖板采用高温粘接剂粘接。作为优选，所述法兰盘为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层；基体采用氧化铍陶瓷。与现有技术相比，本技术的优点在于：本技术采用单一基体双电阻体设计，将功率承受分摊到两个相对独立的电阻体上，避免了热量的集中而造成电阻体热击穿或基体因长时间局部高温产生的形变，增加了电阻器的可靠性。采用的是梯形电阻体，在保证电阻器整体阻抗的同时又增加了电阻体的有效面积，而且其电阻宽度是呈线性变化，可以增加感应电容，从而可以匹配某些特定的腔体。附图说明图1为本技术整体的结构示意图；图2为本技术介质保护层部分的结构示意图；图3为本技术电阻体部分的结构示意图；图4为本技术电阻体部分的俯视图。图中：1、法兰盘；2、基体；3、B面电极；4、侧面电极；5、A面电极；6、电阻体；7、介质保护层；8、金属引线；9、封装盖板。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例：参见图1、图2、图3和图4，一种双梯形射频大功率电阻器，包括法兰盘1和基体2，还包括A面电极5、B面电极3、侧面电极4、电阻体6和金属引线8，所述A面电极5连接在基体2的上表面，B面电极3采用丝网漏印工艺印在基体2的下表面且全部覆盖，侧面电极4在基体2的侧面并连接A面电极5和B面电极3，电阻体6位于A面电极5之上并且与A面电极5搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体6上起保护作用的介质保护层7；金属引线8采用焊接工艺焊接于A面电极5之上；所述电阻体6为两个串联的梯形结构电阻，且首位两端分别连接侧面电极4和A面电极5。作为优选，所述基体2上表面还设有保护电阻器有效零件的封装盖板9，且封装盖板9采用高温粘接剂粘接。作为优选，所述法兰盘1为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层；基体2采用氧化铍陶瓷。法兰盘1优先选用紫铜，并在表面镀上银层便于焊接；基体2采用氧化铍陶瓷；B面电极3采用丝网漏印工艺印在基体2的下表面并且覆盖全部下表面，A面电极5(包括51、52、53)在基体2的上表面，侧面电极4在基体2的侧面起连接A面电极5和B面电极3的作用，电阻体6(包括61、62)基体2的上表面位于A面电极5之上并与其搭接端稳定搭接；介质保护层7覆盖整个电阻体6以保护电阻体6受到物理伤害并防止其在使用过程中遭到热击穿；金属引线8位采用热压焊工艺焊接于A面电极5之上；封装盖板9在基体2上表面，采用高温粘接剂粘接，有效保护电阻器有效零件，确保整个电阻器的结构完整性和性能稳定性。采用单一基体2双电阻体6设计，将功率承受分摊到两个相对独立的电阻体6上，避免了热量的集中而造成电阻体6热击穿或基体2因长时间局部高温产生的形变，增加了电阻器的可靠性。本技术采用的是梯形电阻体6，在保证电阻器整体阻抗的同时又增加了电阻体6的有效面积，而且其电阻宽度是呈线性变化，可以增加感应电容，从而可以匹配某些特定的腔体。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双梯形射频大功率电阻器，包括法兰盘(1)和基体(2)，其特征在于：还包括A面电极(5)、B面电极(3)、侧面电极(4)、电阻体(6)和金属引线(8)，所述A面电极(5)连接在基体(2)的上表面，B面电极(3)采用丝网漏印工艺印在基体(2)的下表面且全部覆盖，侧面电极(4)在基体(2)的侧面并连接A面电极(5)和B面电极(3)，电阻体(6)位于A面电极(5)之上并且与A面电极(5)搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体(6)上起保护作用的介质保护层(7)；金属引线(8)采用焊接工艺焊接于A面电极(5)之上；所述电阻体(6)为两个串联的梯形结构电阻，且首尾两端分别连接侧面电极(4)和A面电极(5)。

【技术特征摘要】
1.一种双梯形射频大功率电阻器，包括法兰盘(1)和基体(2)，其特征在于：还包括A面电极(5)、B面电极(3)、侧面电极(4)、电阻体(6)和金属引线(8)，所述A面电极(5)连接在基体(2)的上表面，B面电极(3)采用丝网漏印工艺印在基体(2)的下表面且全部覆盖，侧面电极(4)在基体(2)的侧面并连接A面电极(5)和B面电极(3)，电阻体(6)位于A面电极(5)之上并且与A面电极(5)搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体(6)上起保护作用的介质保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：成都昊天宏达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51