【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及空间电源
,特别是涉及一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构。
技术介绍
高压大功率半导体元器件是功率调节电路的重要组成部分,在电源控制器内部被大量使用。目前,在电源控制器内部使用的大功率半导体元器件的工艺焊接都是采用分离元器件单独焊接装配,这样的装配方式工艺复杂实现难度较大、占用空间大、走线距离长、安全性可靠性差,不利于电源控制器的工程化和产品化。很难满足空间电源的高标准要求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:提供一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构。该空间电源用的高压大功率半导体元器件结构具有体积小、重量轻、可靠性安全性高的特点。本专利技术为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,包括:用于承担固定和散热作用的矩形底板(1),在所述底板(1)的四个角上分别开设有固定用的结构连接孔(5);在所述底板(1)上焊接有用于承载功率元器件(3)的基板(2),在所述基板(2)包括Al203陶瓷基板和位于Al203陶瓷基板外层的铜层,所述铜层的厚度范围是200~600μm;在上述基板(2)上焊接有走线端子(4);所述底板(1)由铝碳化硅材料制成;所述功率元器件(3)包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;所述功率元器件(3)焊接于基板(2)上。本专利技术具有的优点和积极效果是:通过采用上述技术 ...
【技术保护点】
一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,其特征在于:包括:用于承担固定和散热作用的矩形底板(1),在所述底板(1)的四个角上分别开设有固定用的结构连接孔(5);在所述底板(1)上焊接有用于承载功率元器件(3)的基板(2),在所述基板(2)包括Al203陶瓷基板和位于Al203陶瓷基板外层的铜层,所述铜层的厚度范围是200~600μm;在上述基板(2)上焊接有走线端子(4);所述底板(1)由铝碳化硅材料制成;所述功率元器件(3)包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;所述功率元器件(3)焊接于基板(2)上。
【技术特征摘要】
1.一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,其特征在于:包括:用于承担
固定和散热作用的矩形底板(1),在所述底板(1)的四个角上分别开设有固定用的结构
连接孔(5);在所述底板(1)上焊接有用于承载功率元器件(3)的基板(2),在所述
基板(2)包括Al203陶瓷...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘莉,陈洪涛,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十八研究所,
类型:发明
国别省市:天津;12
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