压电振荡器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种压电振荡器及其制造方法，所述压电振荡器包括：振荡基板，包括振荡部和环绕部，其中，所述环绕部比所述振荡部薄；以及振荡电极，被配置在所述振荡部的上表面和下表面上。根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1‑L2)，其中，L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年9月7日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0126292号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
下面的描述涉及一种压电振荡器及其制造方法。
技术介绍
压电振荡器是一种当电压被施加到压电振荡器时通过由于发生压电现象使压电材料振荡而产生具有特定频率的振荡的装置。由于压电振荡器具有稳定的振荡频率，所以在提供基准信号值的多个核心组件中以及在计算机或通信装置的振荡电路中已经使用这样的装置。压电振荡器包括：晶体；振荡基板，使用所述晶体作为基底材料；以及电极，被设置在所述振荡基板上，其中，所述振荡基板可根据需要的物理性质而具有各种形状。当压电振荡器形成为使得振荡基板的厚度从振荡基板的中央部朝向振荡基板的端部逐渐减小并且压电振荡器呈厚度剪切振荡模式时，在端部中振荡位移的阻尼量增大。因此，可改善振荡能被集中在压电振荡器的中央部中的效应，并且也可改善频率特性(诸如CI值和Q值)。可实现振荡能陷效应的压电振荡器的形状的示例可包括凸状的弯曲表面形成为主表面的凸面形、在平坦且厚的中央部与端部的边缘之间的空间形成为倾斜表面的斜面形、以及中央部平坦并且中央部的环绕部分变薄的台面形或台阶形。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以通过简化形式介绍将在下面的具体实施方式中进一步描述的专利技术构思的选择。本
技术实现思路
既不意在确定所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总的方面，一种压电振荡器包括：振荡基板，包括振荡部和环绕部，其中，所述环绕部比所述振荡部薄；以及振荡电极，被配置在所述振荡部的上表面和下表面上。根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1-L2)，其中，L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。所述振荡基板可为AT切晶体。所述AT切晶体的x轴方向可为所述振荡基板的长度方向。所述振荡基板可包括：第一台阶，与在所述振荡部的上表面与所述环绕部的第一表面之间的台阶相对应；以及第二台阶，与在所述振荡部的下表面与所述环绕部的第二表面之间的台阶相对应。所述第一台阶和所述第二台阶可具有相同的高度。端电极可被配置在所述环绕部的第一表面和第二表面上，并且连接电极可将所述端电极连接到所述振荡电极。在另一总的方面，一种压电振荡器包括：下壳体；上壳体，被配置在所述下壳体上，其中，在所述上壳体和所述下壳体中配置具有振荡部、环绕部的振荡基板。所述环绕部比所述振荡部薄，并且振荡电极被配置在所述振荡部的上表面和下表面上。连接电极被配置在所述下壳体的上表面上并且电连接到所述振荡电极，并且外电极被配置在所述下壳体的下表面上并且电连接到所述连接电极。根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1-L2)，其中，L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。电极部可包括：端电极，被配置在所述环绕部的第一表面上，并且连接到所述振荡电极。连接部可被配置在所述端电极与所述连接电极之间，并且将所述端电极电连接到所述连接电极。所述振荡基板可为AT切晶体。所述AT切晶体的x轴方向可为所述振荡基板的长度方向。所述振荡基板可包括：第一台阶，与在所述振荡部的上表面与所述环绕部的第一表面之间的台阶相对应；以及第二台阶，与在所述振荡部的下表面与所述环绕部的第二表面之间的台阶相对应。所述第一台阶与所述第二台阶可具有相同的高度。连接电极可将所述端电极连接到所述振荡电极。在另一总的方面，一种制造压电振荡器的方法包括：在晶体晶圆的上表面和下表面上形成抗蚀图案；从所述晶体晶圆蚀刻突出部和环绕部以形成振荡基板；在所述振荡基板上蚀刻电极部；以及根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1-L2)。L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。电极部可包括：振荡电极，被配置在所述振荡部的上表面和下表面上；端电极，被配置在所述环绕部的第一表面上，并且可连接到所述振荡电极。连接可被配置在所述端电极与所述振荡电极之间，并且可将所述端电极电连接到所述振荡电极。所述振荡基板可包括：第一台阶，与在所述振荡部的上表面与所述环绕部的第一表面之间的台阶相对应；以及第二台阶，与在所述振荡部的下表面与所述环绕部的第二表面之间的台阶相对应。所述方法还可包括：在下壳体的下部外表面上形成外电极，在所述下壳体中形成电连接到所述外电极的通路，在所述下壳体上形成电连接到所述通路和所述外电极的连接电极，以及将所述振荡基板设置在所述下壳体中，其中，在所述振荡基板上的所述电极部被电连接到所述连接电极。通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。附图说明图1是根据实施例的压电振荡器的透视图；图2是沿图1的A-A’线截取的压电振荡器的剖视图；图3是示出根据实施例的制造压电振荡器的方法的流程图；图4是根据另一实施例的压电振荡器的分解透视图；图5是沿图4的B-B’线截取的压电振荡器的剖视图；图6至图8是示出根据实验示例的表示针对压电振荡器的特定S的根据H值的变化的晶体阻抗(CI)的变化的模拟结果的曲线图；以及图9是示出根据S值的表示稳定的晶体阻抗(CI)的H值的关系的曲线图。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种变换、修改及等同物对于本领域的普通技术人员将是显而易见的。这里所描述的操作的顺序仅仅是示例，其并不限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出对本领域的普通技术人员将是显而易见的变换。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域的普通技术人员来说公知的功能和结构的描述。这里所描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于这里所描述的示例。更确切的说，提供这里所描述的示例是为了使本公开将是彻底的和完整的，并将把本公开的全部适用范围传达给本领域的普通技术人员。将显而易见的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语所限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离实施例的教导的情况下，下面论述的第一构件、组件、区域、层或部分可称作第二构件、组件、区域、层或部分。除非另外指明，否则第一层“在”第二层或基板“上”的陈述被理解为包括第一层直接接触第二层或基板的情况以及在第一层与第二层或基板之间配置一层或更多层其他层的情况。诸如“在……下面”、“在……之下”、“下面”、“下部”、“底部”、“在……上面”、“在……之上”、“上部”、“顶部”、“左本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电振荡器，包括：振荡基板，包括振荡部和环绕部，其中，所述环绕部比所述振荡部薄；以及振荡电极，被配置在所述振荡部的上表面和下表面上，其中，根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1‑L2)，其中，L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。

【技术特征摘要】
2015.09.07 KR 10-2015-01262921.一种压电振荡器，包括：振荡基板，包括振荡部和环绕部，其中，所述环绕部比所述振荡部薄；以及振荡电极，被配置在所述振荡部的上表面和下表面上，其中，根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1-L2)，其中，L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。2.根据权利要求1所述的压电振荡器，其中，所述振荡基板是AT切晶体。3.根据权利要求2所述的压电振荡器，其中，所述AT切晶体的x轴方向是所述振荡基板的长度方向。4.根据权利要求1所述的压电振荡器，其中，所述振荡基板包括：第一台阶，与在所述振荡部的上表面与所述环绕部的第一表面之间的台阶相对应；以及第二台阶，与在所述振荡部的下表面与所述环绕部的第二表面之间的台阶相对应。5.根据权利要求4所述的压电振荡器，其中，所述第一台阶和所述第二台阶具有相同的高度。6.根据权利要求1所述的压电振荡器，所述压电振荡器还包括：端电极，被配置在所述环绕部的第一表面和第二表面上；以及连接电极，将所述端电极连接到所述振荡电极。7.一种压电振荡器，包括：下壳体；上壳体，被配置在所述下壳体上，其中，在所述上壳体和所述下壳体中配置振荡基板，所述振荡基板包括：振荡部；环绕部，所述环绕部比所述振荡部薄；以及振荡电极，被配置在所述振荡部的上表面和下表面上；连接电极，被配置在所述下壳体的上表面上，并且电连接到所述振荡电极；以及外电极，被配置在所述下壳体的下表面上，并且电连接到所述连接电极，其中，根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1-L2)，其中，L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。8.根据权利要求7所述的压电振荡器，其中，电极部包括：端电极，被配置在所述环绕部的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在祥，郑镐弼，金成昱，朴泰俊，姜仁瑛，吴东俊，庆济弘，李教烈，李锺泌，林承模，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR