量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置。量子点发光器件包括相对且间隔设置的阳极和阴极以及依次层叠设置在阳极和阴极之间的空穴注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、电荷产生层、第二量子点发光层、第一电子传输层及电子注入层，且空穴注入层与阳极接触，电子注入层与阴极接触，电荷产生层包括依次层叠设置的第二电子传输层、载流子产生层及第二空穴传输层，且第二电子传输层设置在第一量子点发光层远离第一空穴传输层的表面，第二空穴传输层设置在第二量子点发光层远离电子传输层的表面，第一量子点发光层发出第一光线，第二量子点发光层发出第二光线，其中，第二电子传输层包括水醇溶性聚合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置。
技术介绍
量子点发光器件，比如，量子点发光二极管(QuantumdotLightEmittingDiode，QLED)因具有色域广、色纯度高、稳定性好、低功耗、低成本等优点被誉为继有机发光器件之后的新一代照明器件。所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层通常通过如下方式形成：将量子点发光材料溶于油性的有机溶剂中，通过旋涂成膜以形成量子点发光层。由于量子点发光层上覆盖的其他膜层在制作时容易对已经成膜的量子点发光层造成破坏，因此，同时制备出包括多个量子点发光层的量子点发光器件较为困难。
技术实现思路
本专利技术提供一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、电荷产生层、第二量子点发光层、第一电子传输层、电子注入层及阴极，所述阳极和所述阴极相对且间隔设置，所述空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第一量子点发光层、所述电荷产生层、所述第二量子点发光层、所述第一电子传输层及所述电子注入层依次层叠设置在所述阳极和所述阴极之间，且所述空穴注入层与所述阳极接触，所述电子注入层与所述阴极接触，所述电荷产生层包括第二电子传输层、载流子产生层及第二空穴传输层，所述第二电子传输层、所述载流子产生层及所述第二空穴传输层依次层叠设置，且所述第二电子传输层设置在所述第一量子点发光层远离所述第一空穴传输层的表面，所述第二空穴传输层设置在所述第二量子点发光层远离所述电子传输层的表面，所述阳极用于提供第一空穴，所述阴极用于提供第一电子，所述空穴注入层用于将所述第一空穴注入所述第一空穴传输层，所述第一空穴传输层用于将所述第一空穴传输至所述第一量子点发光层，所述电子注入层用于将所述第一电子注入所述第一电子传输层，所述第一电子传输层用于将所述第一电子传输至所述第二量子点发光层，所述载流子产生层用于产生第二电子和第二空穴，所述第二电子传输层用于将所述第二电子传输至所述第一量子点发光层，所述第二空穴传输层用于将所述第二空穴传输至所述第二量子点发光层，所述第二电子及所述第一空穴在所述第一量子点发光层内复合以发出第一光线，所述第二空穴及所述第一电子在所述第二量子点发光层内复合以发出第二光线，其中，所述第二电子传输层包括水醇溶性聚合物。其中，所述水醇溶性聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一种或者多种。其中，所述载流子产生层为金属层。其中，所述第二空穴传输层包括P型金属氧化物，其中，所述P型金属氧化物包括MoO3、NiO、V2O5及WoO3的任意一种或者多种。其中，所述第一光线的颜色与所述第二光线的颜色相同；或者所述第一光线的颜色与所述第二光线的颜色不同。其中，所述阳极包括氧化铟锡，所述阴极包括铝。其中，所述第一量子点发光层包括单层或者多层量子点；或者/和所述第二量子点发光层包括单层或者多层量子点。其中，所述第二电子传输层的厚度为10～20nm，所述载流子产生层为5nm，所述第二空穴传输层的厚度为10nm。本专利技术还提供了一种量子点发光器件的制备方法，所述量子点发光器件的制备方法包括：提供基板；在所述基板的表面形成阳极；在所述阳极远离所述基板的表面涂布空穴注入材料以形成空穴注入层；在所述空穴注入层远离所述阳极的表面涂布第一空穴传输材料以形成第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层远离所述空穴注入层的表面涂布第一量子点发光材料以形成第一量子点发光层；在所述第一量子点发光层远离所述第一空穴传输层的表面形成电荷产生层，其中，所述电荷产生层包括第二电子传输层、载流子产生层及第二空穴传输层，所述第二电子传输层、所述载流子产生层及所述第二空穴传输层依次层叠设置，且所述第二电子传输层设置在所述第一量子点发光层远离所述第一空穴传输层的表面；在所述电荷产生层远离所述第一量子点发光层的涂布第二量子点发光材料以形成第二量子点发光层；在所述第二量子点发光层远离所述电荷产生层的表面涂布第一电子传输材料以形成第一电子传输层；在所述第一电子传输层远离所述第二量子点发光层的表面涂布电子注入材料以形成电子注入层；在所述电子注入层远离所述第一电子传输层的表面形成阴极。本专利技术还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括前述任一实施方式所述的量子点发光器件。相较于现有技术，本专利技术的量子点发光器件100包括电荷产生层，所述电荷产生层将所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层串联起来，所述电荷产生层包括第二电子传输层、载流子产生层及第二空穴传输层，所述第二电子传输层包括水醇溶性聚合物。所述水醇溶性聚合物可以溶解在极性较大的溶剂中，比如，水、甲醛等。可以避免所述第二电子传输层制备成膜时对所述第一量子点发光层产生破坏，因此，可以提高所述量子点发光器件的性能。进一步地，所述水醇溶性聚合物是无毒的，在生产过程中对环境无污染，绿色环保。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一较佳实施方式的量子点发光器件的结构示意图。图2为本专利技术一较佳实施方式的量子点发光器件的制备方法的流程示意图。图3为本专利技术一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，图1为本专利技术一较佳实施方式的量子点发光器件的结构示意图。所述量子点发光器件100包括阳极110、空穴注入层120、第一空穴传输层130、第一量子点发光层140、电荷产生层150、第二量子点发光层160、第一电子传输层170、电子注入层180及阴极190。所述阳极110与所述阴极190相对且间隔设置，所述空穴注入层120、所述第一空穴传输层130、所述第一量子点发光层140、所述电荷产生层150、所述第二量子点发光层160、所述第一电子传输层170及所述电子注入层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、电荷产生层、第二量子点发光层、第一电子传输层、电子注入层及阴极，所述阳极和所述阴极相对且间隔设置，所述空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第一量子点发光层、所述电荷产生层、所述第二量子点发光层、所述第一电子传输层及所述电子注入层依次层叠设置在所述阳极和所述阴极之间，且所述空穴注入层与所述阳极接触，所述电子注入层与所述阴极接触，所述电荷产生层包括第二电子传输层、载流子产生层及第二空穴传输层，所述第二电子传输层、所述载流子产生层及所述第二空穴传输层依次层叠设置，且所述第二电子传输层设置在所述第一量子点发光层远离所述第一空穴传输层的表面，所述第二空穴传输层设置在所述第二量子点发光层远离所述电子传输层的表面，所述阳极用于提供第一空穴，所述阴极用于提供第一电子，所述空穴注入层用于将所述第一空穴注入所述第一空穴传输层，所述第一空穴传输层用于将所述第一空穴传输至所述第一量子点发光层，所述电子注入层用于将所述第一电子注入所述第一电子传输层，所述第一电子传输层用于将所述第一电子传输至所述第二量子点发光层，所述载流子产生层用于产生第二电子和第二空穴，所述第二电子传输层用于将所述第二电子传输至所述第一量子点发光层，所述第二空穴传输层用于将所述第二空穴传输至所述第二量子点发光层，所述第二电子及所述第一空穴在所述第一量子点发光层内复合以发出第一光线，所述第二空穴及所述第一电子在所述第二量子点发光层内复合以发出第二光线，其中，所述第二电子传输层包括水醇溶性聚合物。...

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括阳极、空穴
注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、电荷产生层、第二量子点发光
层、第一电子传输层、电子注入层及阴极，所述阳极和所述阴极相对且间隔设
置，所述空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第一量子点发光层、所述电
荷产生层、所述第二量子点发光层、所述第一电子传输层及所述电子注入层依
次层叠设置在所述阳极和所述阴极之间，且所述空穴注入层与所述阳极接触，
所述电子注入层与所述阴极接触，所述电荷产生层包括第二电子传输层、载流
子产生层及第二空穴传输层，所述第二电子传输层、所述载流子产生层及所述
第二空穴传输层依次层叠设置，且所述第二电子传输层设置在所述第一量子点
发光层远离所述第一空穴传输层的表面，所述第二空穴传输层设置在所述第二
量子点发光层远离所述电子传输层的表面，所述阳极用于提供第一空穴，所述
阴极用于提供第一电子，所述空穴注入层用于将所述第一空穴注入所述第一空
穴传输层，所述第一空穴传输层用于将所述第一空穴传输至所述第一量子点发
光层，所述电子注入层用于将所述第一电子注入所述第一电子传输层，所述第
一电子传输层用于将所述第一电子传输至所述第二量子点发光层，所述载流子
产生层用于产生第二电子和第二空穴，所述第二电子传输层用于将所述第二电
子传输至所述第一量子点发光层，所述第二空穴传输层用于将所述第二空穴传
输至所述第二量子点发光层，所述第二电子及所述第一空穴在所述第一量子点
发光层内复合以发出第一光线，所述第二空穴及所述第一电子在所述第二量子
点发光层内复合以发出第二光线，其中，所述第二电子传输层包括水醇溶性聚
合物。
2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述水醇溶性聚合物
包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一种或者多种。
3.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述载流子产生层为
金属层。
4.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输层
包括P型金属氧化物，其中，所述P型金属氧化物包括MoO3、NiO、V...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐超，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44