改善移动终端性能的电路制造技术

本发明专利技术提供一种改善移动终端性能的电路，应用于包含直流成分的射频电路中，所述电路包括：射频模块，具有非线性器件；LC并联谐振电路，一端与所述非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过第一隔直电容接地。在移动终端里的信号经过非线性器件产生二次谐波等非线性失真时，由于LC并联谐振电路对基波呈现出阻抗无穷大的特性，以及对二次谐波呈现出短路特性，故其可在不影响基波的情况下，有效改善了二次谐波。而与LC并联谐振电路另一端连接的第一隔直电容，能够避免了直流对地短路现象的产生，进而使该电路能够直接在含有直流成分的电路中使用，进而达到改善移动终端二次谐波的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通信
，特别是涉及一种改善移动终端性能的电路。
技术介绍
随着科技的进步和社会的发展，如手机等移动终端设备已经成为人们日常生活中的必需品，相应的对于移动终端设备的要求也越来越高。但是，由于当前移动终端设备的射频模块中均需要设置有诸如功放、低噪声放大器等非线性器件，而这些非线性器件在工作中均会产生诸如二次谐波、或高次谐波等对系统工作产生不利影响的干扰信号，即当电流流经非线性器件时会与该非线性器件上所施加的电压呈现非线性的关系，就会形成非正弦电流，进而产生谐波，而谐波会对临近的信道产生干扰，从而会对系统产生诸如通信质量降低等不利影响，甚至过强的干扰导致信号无法被正常的解调。另外，移动终端的通信设备中所使用的调制信号一般是具有峰均比的包络信号，其会给上述的功放(尤其是大功率功放)带来严重的记忆效应(在时域上可理解为过去特性对现在特性产生的影响)，且记忆效应会严重影响诸如功放等具有记忆特性的器件的运行指标。对于当前移动终端设备上由于谐波及记忆效应等诸多因素造成的不利影响，业界主要是通过增加低通滤波器或者带通滤波器来对移动终端设备中产生的诸如二次谐波等干扰信号进行抑制，但这样会增加移动终端设备射频输出端的传输损耗，即对移动终端设备的功率和效率的要求均比较高，即对于谐波的抑制，尤其是针对包含直流成分模块中产生的二次谐波及记忆效应的抑制已经成为当前业界的难点。为解决上述问题，现有技术中通过在设计包含直流成分的射频电路时，在电路中设置具有非线性器件的射频模块和微带线，微带线一端与非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过隔直电容接地；其中，微带线的电长度L＝N×λ/2+λ/4，N为自然数，λ为所述射频电路的载波波长。以使得该微带线对于射频基波呈现开路特性，而对于非线性器件产生的二次谐波则呈现短路特性，进而抑制射频电路中的二次谐波。但是，上述电路结构虽然能够抑制射频电路中的二次谐波，由于微带线所占PCB板子面积太大，对本来结构紧凑的PCB板布线有了更难的要求。因此，如何提供一种既能抑制射频电路中的二次谐波，又面积较小的电路结构，成为当前亟待解决的问题之一。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善移动终端性能的电路，用于解决现有技术中通过微带线抑制射频电路中的二次谐波时，由于微带线所占PCB板子面积太大，导致PCB板布线难度高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善移动终端性能的电路，应用于包含直流成分的射频电路中，所述电路包括：射频模块，具有非线性器件；LC并联谐振电路，一端与所述非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过第一隔直电容接地。于本专利技术的一实施例中，所述非线性器件为功放，所述LC并联谐振电路与所述功放的漏极连接。于本专利技术的一实施例中，所述功放的漏极还连接有第二隔直电容，且所述第二隔直电容与所述LC并联谐振电路并联。于本专利技术的一实施例中，所述第一隔直电容的电容值大于所述第二隔直电容的电容值。于本专利技术的一实施例中，所述第一隔直电容的电容值级别大于或等于μF级别。于本专利技术的一实施例中，所述第一隔直电容的电容值范围为0.1～10μF。于本专利技术的一实施例中，所述非线性器件为低噪声放大器，所述LC并联谐振电路与所述低噪声放大器的非线性输出端连接。于本专利技术的一实施例中，所述第一隔直电容为可变电容。如上所述，本专利技术的改善移动终端性能的电路，具有以下有益效果：本申请应用于包含直流成分的射频电路，以改善移动终端性能的电路包括：射频模块，具有非线性器件；LC并联谐振电路，一端与所述非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过第一隔直电容接地。在移动终端里的信号经过非线性器件产生二次谐波等非线性失真时，由于LC并联谐振电路对基波呈现出阻抗无穷大的特性，以及对二次谐波呈现出短路特性，故上述改善移动终端性能的电路可在不影响基波的情况下，有效改善了二次谐波。而与LC并联谐振电路另一端连接的第一隔直电容，能够避免了直流对地短路现象的产生，进而使该改善移动终端性能的电路能够直接在含有直流成分的电路中使用，进而达到改善移动终端二次谐波的目的。移动终端中非线性器件(如功放)在载波切换的时候电流变化比较大，导致供电电流跟不上，改善移动终端性能的电路中与LC并联谐振电路一端连接的第一隔直电容能储存大量的电荷，所以可以有效改善上述现象，进而改善非线性器件的记忆效应。更进一步的，LC并联谐振电路的尺寸较小，改善移动终端性能的电路在发挥上述功能的同时，能够有效减小其占据移动终端PCB板的面积，利于移动终端PCB板的走线设计，利于移动终端设计的更加轻、薄。附图说明图1显示为本专利技术改善移动终端性能的电路于一实施例中的结构示意图。图2显示为本专利技术改善移动终端性能的电路于另一实施例中的结构示意图。元件标号说明LNA低噪音放大器M外接器件C1LC并联谐振电路中电容L1LC并联谐振电路中电感C2第一隔直电容GND地线C3第二隔直电容P功放G功放的栅极端D功放的漏极端具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。请参阅图1，本专利技术改善移动终端性能的电路于一实施例中的结构示意图。本实施例以利用改善移动终端性能的电路对低噪声放大器的二次谐波进行抑制为例，对本专利技术中改善移动终端性能的电路进行说明。图1中，应用于包含直流成分的射频电路中、改善移动终端性能的电路包括：射频模块，具有非线性器件；LC并联谐振电路，一端与所述非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过第一隔直电容接地。本实施例中，射频模块中的非线性器件为低噪声放大器LNA(LowNoiseAmplifier)。需要说明的是，本实施例仅是以低噪声放大器为例进行说明，但该低噪声放大器可置换为其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善移动终端性能的电路，其特征在于，应用于包含直流成分的射频电路中，所述电路包括：射频模块，具有非线性器件；LC并联谐振电路，一端与所述非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过第一隔直电容接地。

【技术特征摘要】
1.一种改善移动终端性能的电路，其特征在于，应用于包含直流成分的射频电路中，所述电
路包括：
射频模块，具有非线性器件；
LC并联谐振电路，一端与所述非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过第一隔
直电容接地。
2.根据权利要求1所述的改善移动终端性能的电路，其特征在于，所述非线性器件为功放，
所述LC并联谐振电路与所述功放的漏极连接。
3.根据如权利要求2所述的改善移动终端性能的电路，其特征在于，所述功放的漏极还连接
有第二隔直电容，且所述第二隔直电容与所述LC并联谐振电路并联。
4.如权利要求3所述的改善移动终端性能的电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴禹，
申请(专利权)人：上海斐讯数据通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31