具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器，包括法兰盘、基体、B面电极、侧面电极、A面电极、电阻体、介质保护层、金属引线、封装盖板，所述A面电极在基体的上表面，B面电极在基体的下表面，侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极，电阻体位于A面电极之上并且与A面电极搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体上起保护作用的介质保护层；所述电极为三部分，且组合成一个反“匚”形电极。本实用新型专利技术对工字型电极做了修改，通过改变电极的形状提高频率特性，同时还具备了良好的三阶互调特性。使得射频功率电阻器能够具有更高的频率和更大的功率，并且能够满足移动通信技术中对三阶互调的要求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电阻器领域，特别是指一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器。
技术介绍
随着移动通信技术和4G网络的飞速发展,对于射频功率电阻器的要求也越来越高,传统的小功率、低频率越来越不能满足市场的技术要求，并且传统工字型电极结构的电阻器并不能满足移动通信中对于三阶互调的要求，所以急需一种新结构的电阻器来替代传统的电阻器。决定射频功率电阻器功率大小的是电阻体的面积大小，提高电阻器的功率势必要增大电阻体的面积，而增大电阻体的面积后会增大其分布参数从而影响到整体阻抗导致整体的频率特性变差。而对于工字型电极来说，只能通过调整其电极的宽度来调整电阻器整体的阻抗，这种方法就有一定的局限性，只能应用于一些固定的小尺寸的基体上，而不能大尺寸的基体上取得很好的效果，所以对于在移动通信领域所要求大功率高频率的电阻器上此电极结构就不能达到要求。并且此电极结构的电阻器并不能满足移动通信领域对于三阶互调的要求。
技术实现思路
本技术提出一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器，能够同时提高了射频功率电阻器的功率和频率，并且能满足移动通讯领域中对于三阶互调的要求。本技术的技术方案是这样实现的：一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器，包括法兰盘、基体、B面电极、侧面电极、A面电极、电阻体、介质保护层、金属引线、封装盖板，所述A面电极在基体的上表面，B面电极在基体的下表面，侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极，电阻体位于A面电极之上并且与A面电极搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体上起保护作用的介质保护层；金属引线采用焊接工艺焊接于A面电极之上；封装盖板采用高温粘接剂粘接在基体上表面；所述A面电极为三部分，且组合成一个反“匚”形完整回路。作为优选，所述B面电极采用丝网漏印工艺印在基体的下表面。作为优选，所述法兰盘为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层；基体采用氧化铍陶瓷。与现有技术相比，本技术的优点在于：对工字型电极做了修改，通过改变电极的形状提高频率特性，同时还具备了良好的三阶互调特性。使得射频功率电阻器能够具有更高的频率和更大的功率，并且能够满足移动通信技术中对三阶互调的要求。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术介质保护层部分的结构示意图；图3为本技术A面电极和电阻体部分的结构示意图；图4为本技术A面电极的结构示意图。图中：1、法兰盘；2、基体；3、B面电极；4、侧面电极；5、A面电极；6、电阻体；7、介质保护层；8、金属引线；9、封装盖板。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例：参见图1、图2和图3，法兰盘1优先选用紫铜，并在表面镀上银层便于焊接；基体2采用氧化铍陶瓷；B面电极3采用丝网漏印工艺印在基体2的下表面并且覆盖全部下表面，A面电极5在基体2的上表面，侧面电极4在基体2的侧面起连接A面电极5和B面电极3的作用，电阻体6位于基体2的上表面并与A面电极5其搭接端搭接良好；介质保护层7覆盖整个电阻体6以保护电阻体6受到物理伤害并防止其在使用过程中遭到热击穿；金属引线8位采用热压焊工艺焊接于A面电极5之上；封装盖板9在基体2上表面，采用高温粘接剂粘接，有效保护电阻器有效零件，确保整个电阻器的结构完整性和性能稳定性。如下图所示对于反“匚”形电极，由于三部分电极之间形成了一个特别的回路关系，信号通过时一个回路就能缩短其波长使得频率特性提高，并且由于这一个回路也能起到调整整体阻抗的作用，使得这种结构能够匹配更多尺寸的基体2。同时反“匚”形结构的特殊回路能够使得三阶互调达到125dBm以上，很好的满足了移动通讯领域中对三阶互调的要求。对工字型电极做了修改，通过改变电极的形状提高频率特性，同时还具备了良好的三阶互调特性。使得射频功率电阻器能够具有更高的频率和更大的功率，并且能够满足移动通信技术中对三阶互调的要求。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器，其特征在于：包括法兰盘(1)、基体(2)、B面电极(3)、侧面电极(4)、A面电极(5)、电阻体(6)、介质保护层(7)、金属引线(8)、封装盖板(9)，所述A面电极(5)在基体(2)的上表面，B面电极(3)在基体(2)的下表面，侧面电极(4)在基体(2)的侧面并连接A面电极(5)和B面电极(3)，电阻体(6)位于A面电极(5)之上并且与A面电极(5)搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体(6)上起保护作用的介质保护层(7)；金属引线(8)采用焊接工艺焊接于A面电极(5)之上；封装盖板(9)采用高温粘接剂粘接在基体(2)上表面；所述A面电极(5)为三部分，且组合成一个反“匚”形完整回路。

【技术特征摘要】
1.一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器，其特征在于：包括法兰盘(1)、基体(2)、B面电极(3)、侧面电极(4)、A面电极(5)、电阻体(6)、介质保护层(7)、金属引线(8)、封装盖板(9)，所述A面电极(5)在基体(2)的上表面，B面电极(3)在基体(2)的下表面，侧面电极(4)在基体(2)的侧面并连接A面电极(5)和B面电极(3)，电阻体(6)位于A面电极(5)之上并且与A面电极(5)搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体(6)上起保护作用的介质保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：成都昊天宏达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51