发光二极管显示器制造技术

技术编号:14833584 阅读:197 留言:0更新日期:2017-03-16 20:11
本实用新型专利技术提供一种发光二极管显示器,其包括底层基板、多个晶体管元件、多个半导体发光二极管元件、异方性导电胶层以及透明保护层。所述多个晶体管元件配置于所述底层基板上。所述多个半导体发光二极管元件以阵列方式配置于所述底层基板上方。所述异方性导电胶层配置于所述多个半导体发光二极管元件与所述底层基板之间,以使所述多个半导体发光二极管元件中的每一个与所述多个晶体管元件中的对应晶体管元件电性连接。所述透明保护层配置于所述多个半导体发光二极管元件阵列上。本实用新型专利技术可以有效地与作为主动式开关元件的晶体管元件电性连接,且避免藉由金属凸块或其他导电性材料连接时因对准误差而造成元件良率降低或信号传递失真的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种显示器,尤其涉及一种微型半导体发光二极管显示器
技术介绍
信息通信产业已成为现今的主流产业,特别是平面显示器是人与信息之间的沟通接口,因此其发展特别显得重要。目前应用在平面显示器的技术包括等离子体显示器(plasmadisplaypanel)、液晶显示器(liquidcrystaldisplay)、无机电激发光显示器(inorganicelectroluminescentdisplay)、有机发光二极管显示器(organiclightemittingdiodedisplay)、真空荧光显示器(vacuumfluorescencedisplay)、场致发射显示器(fieldemissiondisplay)以及电变色显示器(electro-chromicdisplay)等等。在目前的发光二极管显示器中,一般是藉由独立发光的红光二极管芯片、绿光二极管芯片与蓝光二极管芯片的组合来产生显示效果。这些二极管芯片通常是先形成于大片发光二极管基板上,之后再切割成小芯片,接着将红绿蓝不同颜色的发光二极管芯片配置于承载基板上,并藉由金属凸块或其他导电性材料的贴合,将这些发光二极管芯片组合转移与晶体管基板上的线路电性连接,以对这些发光二极管芯片进行控制。然而,涉及将发光二极管芯片与晶体管基板贴合连接的工艺相当复杂,因此所形成的产品的良率并不高。特别是,对于微型发光二极管显示器来说,由于要转移的发光二极管芯片的数目极为庞大,因此发光二极管芯片与基板上的晶体管的对位与贴合连接的困难度将更进一步提高,因而无法制作低成本、高品质以及高像素的显示器。
技术实现思路
本技术提供一种微型发光二极管显示器,其中半导体发光二极管元件藉由异方性导电胶层而贴附于具有晶体管元件的底层基板上。本技术的发光二极管显示器包括底层基板、多个晶体管元件、多个半导体发光二极管元件、异方性导电胶层(anisotropicconductivefilm,ACF)以及透明保护层。所述多个晶体管元件配置于所述底层基板上。所述多个半导体发光二极管元件以阵列方式配置于所述底层基板上方。所述异方性导电胶层配置于所述多个发光二极管芯片与所述底层基板之间,以使所述半导体多个发光二极管元件中的每一个与所述多个晶体管元件中的对应者电性连接。所述透明保护层配置于所述多个发光二极管芯片上。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,所述所述异方性导电胶层包括多个导电粒子与胶体,其中所述导电粒子例如以单层、双层或随意分散的方式分布于所述胶体中。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,所述多个半导体发光二极管元件包括红光二极管芯片、绿光二极管芯片与蓝光二极管芯片的组合。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,所述多个半导体发光二极管元件包括白光二极管芯片、蓝光二极管芯片或紫外光二极管芯片。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,还包括彩色滤光片,其配置于所述多个半导体发光二极管元件与所述透明保护层之间。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,所述彩色滤光片例如具有红色区域、绿色区域与蓝色区域,且所述红色区域、所述绿色区域与所述蓝色区域各自位于对应半导体发光二极管元件的上方。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,所述基板为可挠性基板。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,所述底层基板为刚性基板。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,所述多个晶体管元件包括金属氧化物半导体晶体管(CMOS)或薄膜晶体管(TFT)。在本技术的发光二极管显示器的一实施例中,所述多个半导体发光二极管元件中的每一个的尺寸不超过100μm。基于上述,在本技术中,半导体发光二极管元件藉由异方性导电胶层而贴附于具有晶体管元件的底层基板上,因此可以有效地与作为主动式开关元件的晶体管元件电性连接,且避免藉由金属凸块或其他导电性材料连接时因对准误差而造成元件良率降低或信号传递失真的问题。为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。附图说明图1为依据本技术的第一实施例所显示的发光二极管显示器的剖面示意图;图2为依据本技术的第二实施例所显示的发光二极管显示器的剖面示意图。附图标记:10、20:发光二极管显示器;100:底层基板;102:晶体管元件;104a、104b、104c、200:半导体发光二极管元件;106:异方性导电胶层;106a:导电粒子;106b:胶体;108:透明保护层;202:彩色滤光片;202a:红色区域;202b:绿色区域;202c:蓝色区域。具体实施方式图1为依据本技术的第一实施例所显示的发光二极管显示器的剖面示意图。请参照图1,发光二极管显示器10基本上包括底层基板100、晶体管元件102、半导体发光二极管元件104a、半导体发光二极管元件104b与半导体发光二极管元件104c、异方性导电胶层106以及透明保护层108。在本实施例中,晶体管元件与半导体发光二极管元件的数量仅为示意,并非用以限定本技术。以下将对发光二极管显示器10做详细的说明。底层基板100可以是一般显示器中常用的基板。当发光二极管显示器10为可挠性显示器时,基板100为可挠性基板,其例如为聚酰亚胺(polyimide,PI)基板、聚苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)基板或聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,PEN)基板。当发光二极管10为非可挠性显示器时,基板100为刚性基板,其例如为玻璃基板或硅基板。此外,晶体管元件102配置于基板100上。晶体管元件102例如是薄膜晶体管或金属氧化物半导体晶体管。薄膜晶体管可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管(oxideTFT),例如IGZO薄膜晶体管。举例来说,当晶体管元件102为薄膜晶体管时,基板100可为玻璃基板或为聚酰亚胺基板,而当晶体管元件102为金属氧化物半导体晶体管时,基板100可为半导体硅基板。配置于基板100上的晶体管元件102可藉由线路(未显示)而彼此电性连接。半导体发光二极管元件104a、半导体发光二极管元件104b与半导体发光二极管元件104c以阵列方式配置于底层基板100上方。在本实施例中,半导体发光二极管元件104a例如是红光二极管芯片,半导体发光二极管元件104b例如是绿光二极管芯片,导体发光二极管元件104c例如是蓝光二极管芯片,但本技术不限于此。在其他实施例中,半导体发光二极管元件104a、半导体发光二极管元件104b与半导体发光二极管元件104c的数量以及排量方式可视实际需求而做任意的变化。半导体发光二极管元件104a、半导体发光二极管元件104b与半导体发光二极管元件104c可以具有一般熟知的结构,举例来说,半导体发光二极管元件104a、半导体发光二极管元件104b与半导体发光二极管元件104c可以是横向半导体发光二极管元件或垂直半导体发光二极管元件。特别一提的是,在本技术中,由于半导体发光二极管元件104a、半导体发光二极管元件104b、半导体发光二极管元件104c可藉由晶体管元件102来独立控制本文档来自技高网...
发光二极管显示器

【技术保护点】
一种发光二极管显示器,其特征在于,包括:底层基板;多个晶体管元件,配置于所述底层基板上;多个半导体发光二极管元件,以阵列方式配置于所述底层基板上方;异方性导电胶层,配置于所述多个半导体发光二极管元件与所述底层基板之间,以使所述多个半导体发光二极管元件中的每一个与所述多个晶体管元件中的对应晶体管元件电性连接;以及透明保护层,配置于所述多个发光二极管芯片上。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管显示器,其特征在于,包括:底层基板;多个晶体管元件,配置于所述底层基板上;多个半导体发光二极管元件,以阵列方式配置于所述底层基板上方;异方性导电胶层,配置于所述多个半导体发光二极管元件与所述底层基板之间,以使所述多个半导体发光二极管元件中的每一个与所述多个晶体管元件中的对应晶体管元件电性连接;以及透明保护层,配置于所述多个发光二极管芯片上。2.根据权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于,所述异方性导电胶层包括多个导电粒子与胶体,其中所述导电粒子以单层固定阵列的方式分布于所述胶体中。3.根据权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于,所述多个半导体发光二极管元件包括红光二极管芯片、绿光二极管芯片与蓝光二极管芯片的组合。4.根据权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于,所述多个半导体发光二极管元件包括白光二极管芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈铭如吴建德
申请(专利权)人:欣兴电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

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