一种基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅制造技术

一种基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅，属于光电子器件技术领域，目的在于改善目前光栅可调谐波长范围窄，响应速度慢，光栅结构不便于集成等问题，使同一结构的波导光栅在不同的电场条件下，对光波具有不同的选择性，改变光栅的反射波长。包括衬底，所述衬底上设置有脊形硅波导，脊形硅波导包括脊区下半部分波导和脊区上半部分矩形波导，脊区下半部分波导覆盖有包层，脊区下半部分波导上从下至上依次设置有第一隔离介质层、第一石墨烯层、第三隔离介质层、第二石墨烯层、第五隔离介质层，第五隔离介质层上设置脊区上半部分矩形波导；第一石墨烯层与第二石墨烯层均为叉指电极结构，叉指电极结构的叉指等间距周期设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子器件
，具体涉及一种基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅。
技术介绍
光栅是指空间结构或光学参量(如折射率)分布具有周期性变化的衍射系统，可以对光进行反射、折射、干涉和衍射，在对光信号的调控中起到重要作用，光纤通信中，光栅在半导体激光器、波导输入输出耦合器、分束器、偏振分离器、滤波器、光上下路滤波器和传感等方面均有重要的应用。传统的光栅是在光栅表面通过光刻形成刻槽，光栅制作成功后其结构和周期保持不变，由于光栅的谐振波长只与光栅的周期和有效折射率相关，所以传统的永久性光栅只能对某一固定的谐振波长附近极小范围内的光进行作用，在光通信波分复用等系统中只能利用少量的信道，降低了通信数据的传输能力。为了满足高速宽带通信的发展需求，谐振波长可调谐光栅的研究成为必然趋势。目前，大多数波长可调谐光栅都是利用硅的热光效应和载流子色散效应，但是硅的热光效应使得光信号的响应速度慢，载流子色散效应较弱使得光栅的谐振波长改变较小，以及硅的折射率变化会对光产生较大的损耗等不足，使得直接利用硅的热光效应和载流子色散效应而制成的可调谐光栅器件性能不佳。由于石墨烯的折射率可通过外加电场来调控，且石墨烯的响应速度足够快，因此可利用石墨烯的这一特性来制作快速波长可调谐的光栅，通过改变石墨烯的折射率来改变光栅的有效折射率，从而使光栅的谐振波长发生改变，增大光栅的可调谐波长带宽。同时在集成光学中，由于硅材料的普遍性和与CMOS工艺兼容等特性，制作硅基波导光栅是一个重要的研究方向，如果能将可调谐的硅基波导光栅与光波导探测器等器件集成在同一衬底上，就可实现光通信接收端的单片集成光路，在光纤通信和集成光学中具有重要的作用。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有技术中存在的光栅可调谐波长范围窄，响应速度慢，光栅结构不便于集成等问题，而提出的一种基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅，包括衬底，所述衬底上设置有脊形硅波导，脊形硅波导包括脊区下半部分波导和脊区上半部分矩形波导，脊区下半部分波导覆盖有包层，脊区下半部分波导上从下至上依次设置有第一隔离介质层、第一石墨烯层、第三隔离介质层、第二石墨烯层、第五隔离介质层，第五隔离介质层上设置脊区上半部分矩形波导；第一石墨烯层与第二石墨烯层均为叉指电极结构，并通过电极引出，叉指电极结构的叉指等间距周期设置。上述技术方案中，所述第一石墨烯层和第二石墨烯层的材料为单层石墨烯。上述技术方案中，叉指电极结构的叉指沿波导光传输方向周期分布。上述技术方案中，所述第一隔离介质层第三隔离介质层第五隔离介质层均为绝缘层。上述技术方案中，所述绝缘层为硅氧化物、硅氮氧化物或硼氮化物。上述技术方案中，所述电极的材料为金、银、铂或铜。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1、由于硅材料折射率大，对光场的束缚作用强，故硅材料制作的光栅相对于光纤光栅来说，结构更紧凑，器件尺寸更小。2、相对于传统的永久性光栅，具有光栅谐振波长可调谐的特点，可增大光栅可调谐波长带宽。3、由于石墨烯的折射率电控可调和响应速度快等特点，相对于直接利用硅的热光效应和载流子效应制作的波导光栅，具有响应速度快，可调谐波长范围宽的优势。4、覆盖在硅波导芯层脊型脊区中第一石墨烯层和第二石墨烯层，通过在第一电极和第二电极上外加电场，使得石墨烯的折射率随外加电场的变化而变化，从而在整个波导中，使周期性覆盖有石墨烯的波导部分(指石墨烯叉指电极投影在波导上的那部分波导)的有效折射率也随电场的改变而改变，没有石墨烯覆盖的部分波导的折射率保持不变，因此在波导中沿光传输的方向上，使得波导的有效折射率随外加电场的变化呈周期性变化，形成波导光栅，而波导光栅的谐振波长只与波导光栅的周期和有效折射率有关，在不改变波导光栅结构和周期的前提下，该波导光栅的谐振波长随着外加在石墨烯上电场的变化而改变，从而形成可调谐波导光栅。附图说明图1是本专利技术的基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅的结构示意图；图2是本专利技术的基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅的截面示意图；图3是本专利技术的基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅结构中石墨烯层结构示意图；图4是本专利技术的基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅的石墨烯层俯视示意图。图中标记：1-衬底，2-脊区下半部分波导，3-包层，5-第一隔离介质层，6-第一石墨烯层，7-第二隔离介质层，8-第三隔离介质层，9-第二石墨烯层，10-第四隔离介质层，11-第五隔离介质层，12-电极，14-脊区上半部分矩形波导，15-叉指。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步的描述，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他所用实施例，都属于本专利技术的保护范围。结合附图，本专利技术的基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅，包括衬底1，所述衬底上为硅波导，硅波导包含芯层和覆盖在芯层外围的包层3。所述芯层为脊形硅波导，所述脊形硅波导分为脊区下半部分波导2和脊区上半部分矩形波导14，所述脊区下半部分波导和脊区上半部分波导之间有隔离层和石墨烯层，脊区下半部分波导上方从下至上依次覆盖有第一隔离介质层5、第一石墨烯层6和第二隔离介质层7、第三隔离介质层8、第二石墨烯层9和第四隔离介质层10、第五隔离介质层11。所述第一石墨烯层和第二石墨烯层分别从两侧延伸出来并连接有电极12。所述的硅波导芯层为脊形波导，芯层材料为硅材料。所述第一石墨烯层和第二石墨烯层的材料为单层石墨烯。所述单层石墨烯，沿波导光传输方向周期分布在脊形硅波导的脊区中间。所述衬底层和包层材料为低折射率的二氧化硅。所述第一隔离介质层、第二隔离介质层、第三隔离介质层、第四隔离介质层和第五隔离介质层的材料为绝缘层；所述绝缘材料为硅氧化物、硅氮氧化物或硼氮化物。所述第一电极和第二电极的材料为金、银、铂或铜。石墨烯是由碳原子构成的二维新材料，是典型的零带隙的半导体，通过sp2杂化形成平面六元环结构，π电子在同一平面上形成离域大π键。这种独特的结构使石墨烯具有独一无二的性质，作为世界上最薄的纳米材料，石墨烯几乎是完全透明的，只吸收2.3％的光，导热系数达到5300w/m.K，比金刚石和碳纳米管更高，室温下电子迁移率达到光速的1/300，电阻率只有10-6Ω·㎝，比铜和银电阻率更低，是世界上电阻率最小的材料，却有超高的力学性能，达到1060GPa，被证明为当代最牢固的材料，同时，在石墨烯上外加一个电场，可以改变其折射率的实部和虚部，因此可将石墨烯运用到硅基器件中，制成性能稳定、快速响应和对宽带光进行作用的硅基器件。由于硅元素分布广泛，硅材料易于获得，基于硅材料的CMOS工艺非常成熟，和二氧化硅之间折射率差很大，硅波导对光场有很强的限制作用，硅基微纳米波导的弯曲半径可降到几个微米，这不仅使硅材料制成的器件尺寸仅达几十至几百微米，也为利用CMOS微电子工艺实现光电集成提供了一个很好的平台，为光子器件的小型化和高密度集成提供了巨大的便利，因此研究基于硅的器件具有重要作用。本专利技术的基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅的工作原理为：覆盖在硅波导芯层脊型脊区中第一石墨烯层6和第二石本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅，包括衬底(1)，其特征在于，所述衬底上设置有脊形硅波导，脊形硅波导包括脊区下半部分波导(2)和脊区上半部分矩形波导(14)，脊区下半部分波导(2)覆盖有包层(3)，脊区下半部分波导(2)上从下至上依次设置有第一隔离介质层(5)、第一石墨烯层(6)、第三隔离介质层(8)、第二石墨烯层(9)、第五隔离介质层(11)，第五隔离介质层(11)上设置脊区上半部分矩形波导(14)；第一石墨烯层(6)与第二石墨烯层(9)均为叉指电极结构，并通过电极引出，叉指电极结构的叉指等间距周期设置。

【技术特征摘要】
1.一种基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅，包括衬底(1)，其特征在于，所述衬底上设置有脊形硅波导，脊形硅波导包括脊区下半部分波导(2)和脊区上半部分矩形波导(14)，脊区下半部分波导(2)覆盖有包层(3)，脊区下半部分波导(2)上从下至上依次设置有第一隔离介质层(5)、第一石墨烯层(6)、第三隔离介质层(8)、第二石墨烯层(9)、第五隔离介质层(11)，第五隔离介质层(11)上设置脊区上半部分矩形波导(14)；第一石墨烯层(6)与第二石墨烯层(9)均为叉指电极结构，并通过电极引出，叉指电极结构的叉指等间距周期设置。2.根据权利要求1所述的基于硅波导—石墨烯的可调谐波导光栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆荣国，刘天良，田朝辉，杨忠华，叶胜威，夏瑞杰，张尚剑，刘永，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51