具有用于嵌入式装置的蚀刻沟槽的半导体装置制造方法及图纸

一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置被揭示，并且例如可以包含基板，其包括顶表面以及底表面；沟槽，从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述底表面之间。半导体裸片可以是耦合至所述基板的所述顶表面。电子装置可以是至少部分地在所述沟槽之内，并且电耦合至所述重分布结构。导电垫可以是在所述基板的所述底表面上。导电凸块可以是在所述导电垫上。在所述沟槽中的所述电子装置可以延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。囊封剂可以封入所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面。所述电子装置可以包括电容器。

【技术实现步骤摘要】

本揭露内容的某些范例实施例是有关于半导体装置封装。更明确地说，本揭露内容的某些范例实施例是有关于一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置。相关的申请案的交互参照本申请案是参考2016年1月6日申请的韩国专利申请案号10-2016-0001657，主张其优先权并且主张其益处，所述韩国专利申请案的内容是藉此将其整体纳入在此作为参考。
技术介绍
尽管产品封装持续倾向小型化，但是对于被纳入到此种产品内的半导体装置而言，具有增进的功能及/或缩小的尺寸是所期望的。此外，为了缩减半导体装置的尺寸，所述半导体装置的面积及/或厚度可被减低。习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，通过此种系统与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。
技术实现思路
此揭露内容的各种特点提供一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置，其实质如同在图式的至少一图中所示且/或相关该图叙述的，即如同更完整地在下列实施方案中阐述。本技术的一个实施方案是一种半导体装置。所述半导体装置特征在于，包括：基板，其包括：顶表面以及底表面；沟槽，其是从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间；半导体裸片，其是耦接至所述基板的所述顶表面；以及电子装置，其是至少部分地在所述沟槽之内并且电耦接至所述重分布结构。所述半导体装置，其特征在于，包括在所述基板的所述底表面上的导电垫。所述半导体装置，其特征在于，包括在所述导电垫上的导电凸块。所述半导体装置，其特征在于，在所述沟槽中的所述电子装置是延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。所述半导体装置，其特征在于，包括将所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面封入的囊封剂。所述半导体装置，其特征在于，所述电子装置包括电容器。所述半导体装置，其特征在于，所述重分布结构是电耦接至所述基板中的第二重分布结构。所述半导体装置，其特征在于，所述半导体裸片是电耦接至所述第二重分布结构。本创作的另一个实施方案是一种半导体装置。所述半导体装置特征在于包括：基板，其包括：顶表面以及底表面；在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间；以及蚀刻区域，其是从所述底表面至所述重分布结构而延伸到所述基板中；半导体裸片，其是耦接至所述基板的所述顶表面；以及电子装置，其是至少部分地在所述蚀刻区域之内，并且电耦接至所述重分布结构。所述半导体装置，其特征在于，包括在所述基板的所述底表面上的导电垫。所述半导体装置，其特征在于，包括在所述导电垫上的导电凸块。所述半导体装置，其特征在于，在所述蚀刻区域中的所述电子装置是延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。所述半导体装置，其特征在于包括将所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面封入的囊封剂。所述半导体装置，其特征在于，所述电子装置包括电容器。所述半导体装置，其特征在于，所述重分布结构是电耦接至所述基板中的第二重分布结构。所述半导体装置，其特征在于，所述半导体裸片是电耦接至所述第二重分布结构。本揭露内容的各种优点、特点以及新颖的特征、以及各种支持实施例的所描绘的例子的细节从以下的说明及图式将会更完整地了解。附图说明图1是根据本揭露内容的一实施例的一种半导体装置的横截面图。图2是描绘根据本揭露内容的一实施例的一种制造一半导体装置的方法的流程图。图3至图9是描绘在图2中所示的一半导体装置的制造方法的各种的步骤。具体实施方式本揭露内容的某些特点可见于一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置中。本揭露内容的范例特点可包括一基板，其包括一顶表面以及一底表面；在所述基板中的一重分布(redistribution)结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间；以及一蚀刻区域或是沟槽，其是从所述底表面至所述重分布结构地延伸到所述基板中。一半导体裸片例如可以是耦合至所述基板的所述顶表面，并且一电子装置可以是至少部分地在所述蚀刻区域之内，并且电耦合至所述重分布结构。一导电垫例如可以是在所述基板的所述底表面上。一导电凸块例如可以是在所述导电垫上。在所述蚀刻区域中的所述电子装置例如可以延伸超出所述基板的所述底表面一段小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的一高度的距离。一囊封剂(encapsulant)例如可以封入所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面。所述电子装置例如可以包括一电容器。所述重分布结构例如可以是电耦合至一在所述基板中的第二重分布结构。所述半导体裸片例如可以是电耦合至所述第二重分布结构。此揭露内容是提供支持本揭露内容的范例实施例。本揭露内容的范畴并不限于这些范例实施例。例如是在结构、尺寸、材料的类型、以及制程上的变化的许多变化，不论是明确由所述说明书提供的、或是由所述说明书所意涵的，都可以由熟习此项技术者鉴于此揭露内容下加以实施。图1是根据本揭露内容的一实施例的一种半导体装置的横截面图。参照图1，根据本揭露内容的一实施例的半导体装置可包含一基板100、一半导体裸片200、一囊封剂300、一电子装置400、以及一导电凸块500。所述基板100例如可包括一中介体，尽管本揭露内容并非限于此的，并且可包括任何具有绝缘及导电区域的支撑结构。所述基板100可包括被形成在例如是聚酰亚胺上的各种导电层。在另一范例情节中，所述基板100可包括各种堆栈在一硅芯片或玻璃上的导电层及介电层。所述基板100可包括一在所述基板100的一底表面的导电垫110、一覆盖除了所述导电垫110的一底表面之外的区域的第一介电层120、以及一第一重分布结构130(例如，一导电层、等等)，其是电连接至所述导电垫110并且被形成在所述第一介电层120的一顶表面处。所述基板100亦可包括一覆盖所述第一重分布结构130的一部分的第二介电层140、一沿着所述第二介电层140的一顶表面所形成的第二重分布结构150(例如，一导电层、等等)、一围绕所述第二重分布结构150的一部分的第三介电层160、一被形成在所述第三介电层160的一顶表面的第三重分布结构170(例如，一导电层、等等)、一覆盖所述第三重分布结构170的一顶表面的一部分的第四介电层180、以及一电连接至所述第三重分布结构170的一露出区域的导电图案190(例如，线路、垫、焊盘、等等)。在此，根据所需的复杂度，根据本揭露内容的一实施例的半导体装置可以在无所述第二重分布结构150至所述导电图案190下、或是在额外的介电层以及重分布结构下加以形成。例如，所述第一重分布结构130或是所述第二重分布结构150的顶表面可被露出以作用为一导电图案(例如，作为所述导电图案190)。所述导电垫110可以通过所述基板100的底表面(例如，通过所述第一介电层120的底表面、等等)而被露出。所述范例的导电垫110是包含一金属垫112以及一被设置在所述金属垫112之下的凸块垫111(例如，其包括凸块下金属化(underbumpmetallization)、等等)。所述凸块垫111可以耦合至所述金属垫112的一表面。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，其包括：顶表面以及底表面；沟槽，其是从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间；半导体裸片，其是耦合至所述基板的所述顶表面；以及电子装置，其是至少部分地在所述沟槽之内并且电耦合至所述重分布结构。

【技术特征摘要】
2016.01.06 KR 1020160001657;2016.05.09 US 15/149,41.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，其包括：顶表面以及底表面；沟槽，其是从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间；半导体裸片，其是耦合至所述基板的所述顶表面；以及电子装置，其是至少部分地在所述沟槽之内并且电耦合至所述重分布结构。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括在所述基板的所述底表面上的导电垫。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，包括在所述导电垫上的导电凸块。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中在所述沟槽中的所述电子装置是延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括将所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面封入的囊封剂。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电子装置包括电容器。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述重分布结构是电耦合至所述基板中的第二重分布结构。8.根据权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳智妍，金本吉，新及补，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国;US