一种SOD882双芯高密度框架制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体封装制造技术，具体涉及一种SOD882双芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架，所述框架上设有将框架均分为两个区域的分区槽，所述分区槽的方向与框架短边平行，在每个区域内都设有多个芯片安装单元，每个芯片安装单元上设置有2个芯片安装区，相邻芯片安装单元之间的框架为半腐蚀框架。该框架可提高框架的利用率，并能改善框架的翘曲，节约生产成本、保证框架质量，便于切割、保证切割尺寸准确。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体封装制造技术，特别是一种SOD882双芯高密度框架。
技术介绍
引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量，构成散热通道，它是一种借助于键合金丝或铜丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为SOD882双芯（其中，SOD是小型电子元器件的芯片封装单元型号，882表示单个芯片安装单元的尺寸为长1.0mm、宽0.6mm，双芯表示每个芯片安装单元内封装两个芯片）时，由于传统的芯片封装技术限制，要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片，就需要对布置形式进行合理设计。随着技术改进，目前已经研发出更优化的SOD88248排双芯引线框架，如图1所示，该引线框架将将框架分成四个相同的区域，可在固定的框架尺寸下满足布置12864个芯片的需求，增加了框架密度，提高设备利用率。但随着市场需求的不断提高，如何进一步提高框架的有效利用率，以及在有限的框架尺寸上布置更多的芯片后、解决DFN产品的翘曲问题、节约生产成本，依然是研究的重要方向；如图2所示，传统设计每个芯片安装单元的四角均设加强筋，由于框架和塑封料的热膨胀系数不同，过多的加强筋将引起框架翘曲严重，影响塑封完成后框架切割分离，容易切偏、对刀片磨损严重等问题，影响芯片框架的后续操作。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于：针对现有SOD882双芯框架的布局仍然不能满足市场对框架高利用率、节约生产成本的需求，并且框架还存在翘曲和切割分离的问题，提供一种SOD882双芯高密度框架，该框架可提高框架的利用率，并能改善框架的翘曲，节约生产成本、保证框架质量，便于切割、保证切割尺寸准确。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种SOD882双芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架，所述框架上设有将框架均分为两个区域的分区槽，所述分区槽的方向与框架短边平行，在每个区域内都设有多个芯片安装单元，每个芯片安装单元上设置有2个芯片安装区，相邻芯片安装单元之间的框架为半腐蚀框架。上述的半腐蚀框架即是将框架腐蚀掉一定的厚度；该高密度框架由原来划分为四个区域变为两个区域，减少划区的框架浪费，有利于在有限的框架尺寸上布置更多的芯片安装单元；而将相邻芯片安装单元之间的框架设为半腐蚀框架，节约生产成本、保证框架质量、改善框架翘曲，便于塑封完成后的框架切割分离、保证切割尺寸准确。作为本技术的优选方案，在同一个芯片安装单元中，2个芯片安装区通过芯片分隔槽隔开，所述芯片分隔槽延伸至半腐蚀框架上，分开的半腐蚀框架通过加强筋连接。将芯片安装单元四角均设置加强筋的结构进行优化调整，去掉芯片安装单元四角上设置的加强筋，只在相邻的芯片安装单元之间被芯片分隔槽分开的框架上设置加强筋，即可保证框架强度，又改善框架翘曲；同时，加强筋的减少，也使分割芯片时刀片的磨损大幅降低，节约成本。作为本技术的优选方案，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个区域内分别布置52排、154列芯片安装单元。由于SOD882型号的芯片封装单元的尺寸是固定的1.0*0.6mm，因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成两个相同的区域，而在每个区域内布置52排、154列芯片安装单元，所以可以算出整个框架上可以布置的芯片安装单元的数量为：52*154*2=16016个，相比之前分为四个区域布置12864个芯片安装单元，增加3152个，密度增加24.5%，大大提高框架的利用率。作为本技术的优选方案，所述芯片安装单元的长边和框架的短边平行。作为本技术的优选方案，在框架上的两个区域之间设置多个间隔布置的分区槽，多个所述分区槽中心线位于同一直线上。作为本技术的优选方案，所述分区槽的宽度为1-1.5mm。该框架的长为250mm，将芯片安装单元的短边与框架的长边平行布置，芯片安装单元间隔尺寸为0.15mm，则芯片安装单元将会占用的框架长度为：（（0.6+0.15）*153+0.6）=230.7mm，即在芯片安装单元之外还有较为充足的空间布置框架边框；而宽度方面，芯片安装单元占用的宽度：（1+0.15）*51+1=59.65mm，小于框架宽度70mm，也满足使用需求，所以该框架能满足布置16016个芯片安装单元的需求，这样的布置增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本。作为本技术的优选方案，所述框架的芯片安装单元为半腐蚀结构，所述半腐蚀结构即将框架腐蚀掉一定的厚度。将芯片安装单元设置成半腐蚀结构，有利于芯片安装单元的封装，增加塑封料和框架的结合力，也有利于改善框架整体的翘曲。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：1、该高密度框架由原来划分为四个区域变为两个区域，减少划区的框架浪费，有利于在有限的框架尺寸上布置更多的芯片安装单元；而将相邻芯片安装单元之间的框架设为半腐蚀框架，节约生产成本、保证框架质量、改善框架翘曲，便于塑封完成后的框架切割分离、保证切割尺寸准确；2、将芯片安装单元四角均设置加强筋的结构进行优化调整，去掉芯片安装单元四角上设置的加强筋，只在相邻的芯片安装单元之间被芯片分隔槽分开的框架上设置加强筋，即可保证框架强度，又改善框架翘曲；同时，加强筋的减少，也使分割芯片时刀片的磨损大幅降低，节约成本；3、由于SOD882型号的芯片封装单元的尺寸是固定的1.0*0.6mm，因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成两个相同的区域，而在每个区域内布置52排、154列芯片安装单元，所以可以算出整个框架上可以布置的芯片安装单元的数量为：52*154*2=16016个，相比之前分为四个区域布置12864个芯片安装单元，增加3152个，密度增加24.5%，大大提高框架的利用率；4、将芯片安装单元设置成半腐蚀结构，有利于芯片安装单元的封装，增加塑封料和框架的结合力，也有利于改善框架整体的翘曲。附图说明图1是现有SOD882双芯框架的结构示意图。图2为图1中的芯片安装单元之间的连接结构示意图。图3本技术的SOD882双芯高密度框架的结构示意图。图4为图3中C区域的结构示意图。图5为图4中E部的放大图。图6为图5中F部的放大图。图中标记：1-框架，101-芯片安装单元，1011-第一芯片安装区，1012-第二芯片安装区，102-横向连接部，103-竖向连接部，104-加强筋，105-芯片分隔槽，2-分区槽。具体实施方式下面结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1如图3至图6所示，本实施例的SOD882双芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架1，所述框架1上设有将框架1均分为C、D两个区域的分区槽2，所述分区槽2的方向与框架1短边平行，在C和D区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SOD882双芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架，其特征在于，所述框架上设有将框架均分为两个区域的分区槽，所述分区槽的方向与框架短边平行，在每个区域内都设有多个芯片安装单元，每个芯片安装单元上设置有2个芯片安装区，相邻芯片安装单元之间的框架为半腐蚀框架，在同一个芯片安装单元中，2个芯片安装区通过芯片分隔槽隔开，所述芯片分隔槽延伸至半腐蚀框架上，分开的半腐蚀框架通过加强筋连接。

【技术特征摘要】
1.一种SOD882双芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架，其特征在于，所述框架上设有将框架均分为两个区域的分区槽，所述分区槽的方向与框架短边平行，在每个区域内都设有多个芯片安装单元，每个芯片安装单元上设置有2个芯片安装区，相邻芯片安装单元之间的框架为半腐蚀框架，在同一个芯片安装单元中，2个芯片安装区通过芯片分隔槽隔开，所述芯片分隔槽延伸至半腐蚀框架上，分开的半腐蚀框架通过加强筋连接。2.根据权利要求1所述的SOD882双芯高密度框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个区域内分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗天秀，樊增勇，李东，崔金忠，许兵，任伟，刘剑，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51