【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路。
技术介绍
在追求更高的元件密度、更高的效能以及更低的成本时,半导体工业发展到纳米技术工艺节点,制造及设计问题带来的挑战引发了三维设计的发展,诸如鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor;FinFET)。鳍式场效晶体管装置是一种类型的多栅极结构,此多栅极结构通常包含具有高深宽比的半导体鳍并且其中形成有半导体晶体管装置的通道以及源极/漏极区。在鳍结构(例如,包封)上方以及沿着鳍结构的侧面形成栅极,利用通道及源极/漏极区增大表面积的优点,以产生更快速、更可靠以及更好控制的半导体晶体管装置。随着鳍式场效晶体管装置的不断增大的元件密度,在源极/漏极区中接触区的形成逐渐受到限制。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施方式,在一种用于制造鳍式场效晶体管(finfield-effecttransistor,FinFET)装置的方法中,在基板上方提供第一鳍结构与第二鳍结构。第一鳍结构与第二鳍结构从设置在基板上方的隔离绝缘层伸出。在第一鳍结构与第二鳍结构上方形成栅极结构。第一鳍结构与第二鳍结构中的每一者具有在栅极结构下面的通道区域与在栅极结构外面的源极/漏极区。源极/漏极区具有第一宽度。移除第一鳍结构与第二鳍结构中的源极/漏极区的部分侧壁以形成经修整的源极/漏极区。每一经修整的源极/漏极区具有小于第一宽度的第二宽度。在第一鳍结构与第二鳍结构的经修整的源极/漏极区上方形成应变材料。应变材料被形成为使得在第一鳍结构上形成的应变材料是与在第二鳍结构上形成的应变材料分隔的。在栅极结构与源极或漏极区上方用应变材料形成层间介电层 ...
【技术保护点】
一种用于制造一鳍式场效晶体管装置的方法,其特征在于,该方法包含:在一基板上方提供一第一鳍结构与一第二鳍结构,该第一鳍结构和第二鳍结构从设置在该基板上方的一隔离绝缘层伸出;在该第一鳍结构与该第二鳍结构上方形成一栅极结构,该第一鳍结构与该第二鳍结构中的每一者具有在该栅极结构下方的一通道区域与在该栅极结构外部的多个源极/漏极区,该些源极/漏极区具有一第一宽度;移除该第一鳍结构与该第二鳍结构中的该些源极/漏极区的侧壁的部分,以形成经修整的源极/漏极区,该些经修整的源极/漏极区中的每一者具有小于该第一宽度的一第二宽度;在该第一鳍结构与该第二鳍结构的该些经修整的源极/漏极区上方形成一应变材料,该应变材料被形成为使得形成在该第一鳍结构上的该应变材料是与形成在该第二鳍结构上的该应变材料分隔的;在该栅极结构与该些源极/漏极区上方用该应变材料形成一层间介电层;以及在形成于该第一鳍结构与该第二鳍结构的该些源极/漏极区上的该应变材料上形成一接触层,以便该接触层环绕该些源极/漏极区上的该些应变材料。
【技术特征摘要】
2015.09.04 US 14/846,4141.一种用于制造一鳍式场效晶体管装置的方法,其特征在于,该方法包含:在一基板上方提供一第一鳍结构与一第二鳍结构,该第一鳍结构和第二鳍结构从设置在该基板上方的一隔离绝缘层伸出;在该第一鳍结构与该第二鳍结构上方形成一栅极结构,该第一鳍结构与该第二鳍结构中的每一者具有在该栅极结构下方的一通道区域与在该栅极结构外部的多个源极/漏极区,该些源极/漏极区具有一第一宽度;移除该第一鳍结构与该第二鳍结构中的该些源极/漏极区的侧壁的部分,以形成经修整的源极/漏极区,该些经修整的源极/漏极区中的每一者具有小于该第一宽度的一第二宽度;在该第一鳍结构与该第二鳍结构的该些经修整的源极/漏极区上方形成一应变材料,该应变材料被形成为使得形成在该第一鳍结构上的该应变材料是与形成在该第二鳍结构上的该应变材料分隔的;在该栅极结构与该些源极/漏极区上方用该应变材料形成一层间介电层;以及在形成于该第一鳍结构与该第二鳍结构的该些源极/漏极区上的该应变材料上形成一接触层,以便该接触层环绕该些源极/漏极区上的该些应变材料。2.根据权利要求1所述的用于制造一鳍式场效晶体管装置的方法,其特征在于,提供一第一鳍结构与一第二鳍结构的步骤包含:在该基板上方形成多个鳍;形成一绝缘材料层,以便该些鳍嵌入于该绝缘材料层中;使该些嵌入的鳍的多个部分凹陷,以在该绝缘材料层中形成多个相应的凹陷开口;在该些凹陷的嵌入的鳍上方将一半导体材料沉积到该些相应的凹陷开口中;以及移除该绝缘材料层的部分以暴露该沉积的半导体材料的多个上部分,该第一鳍结构与该第二鳍结构分别包含该些暴露的上部分,该绝缘材料层的一剩余部分是该隔离绝缘层。3.根据权利要求2所述的用于制造一鳍式场效晶体管装置的方法,其特征在于,在沉积到该些相应的凹陷开口中的该半导体材料上方形成一遮罩层。4.根据权利要求3所述的用于制造一鳍式场效晶体管装置的方法,其特征在于,该移除该些源极/漏极区的侧壁的部分的步骤是用该遮罩层作为一蚀刻遮罩来执行的。5.一种用于制造一鳍式场效晶体管装置的方法,其特征在于,该方法包含:在一基板上方提供一第一鳍结构与一第二鳍结构,该些第一鳍结构与该第二鳍结构从设置在该基板上方的一隔离绝缘层伸出;在该第一鳍结构与该第二鳍结构上方形成一栅极结构,该第一鳍结构与该第二鳍结构中的每一者具有在该栅极结构下方的一通道区域与在该栅极结构外部的多个源极/漏极区,该些源极/漏极区具有一第一宽度;在该栅极结构与具有该第一宽度的该些源极/漏极区上方形成一层...
【专利技术属性】
技术研发人员:江宏礼,彭成毅,许志成,杨育佳,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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