发光器件封装件制造技术

技术编号:14819153 阅读:12 留言:0更新日期:2017-03-15 12:22
本发明专利技术提供了发光器件封装件和制造该发光器件封装件的方法。发光器件封装件包括:发光堆叠件,其包括按次序堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层,并且具有由第一导电类型半导体层提供的第一表面和由第二导电类型半导体层提供的与第一表面相对的第二表面;第一电极结构,其布置在第一表面的一部分上,并且连接至第一导电类型半导体层;密封部分,其邻近于发光堆叠件布置;绝缘层,其布置在发光堆叠件与密封部分之间;以及第一金属垫,其布置在第二表面上,并且穿过位于发光堆叠件的一侧的绝缘层以连接至第一电极结构。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年9月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0125719的优先权,该申请的公开以引用方式并入本文中。
与本专利技术构思一致的设备、装置、方法和制造制品涉及一种发光器件封装件
技术介绍
发光二极管(LED)可允许包括在其中的材料利用电能发射光,并且将通过键合的半导体的电子和空穴的复合产生的能量转换为光。这种LED被广泛用作照明装置和大型液晶显示器的背光装置的光源,并且LED的发展逐渐加速。近来,利用基于氮化镓(GaN)的LED的移动电话背光、车辆转弯信号灯、相机闪光灯等的商业化刺激着利用LED的普通照明积极发展。将LED并入大型电视的背光、汽车前灯或者普通灯中的技术逐渐扩展至大型、高输出和高效能产品的领域,并且LED变得更加多样化。
技术实现思路
进一步地,一个或多个示例实施例提供了一种具有改进的光提取效率的发光器件封装件。另外,一个或多个示例实施例提供了一种制造发光器件封装件的方法,其能够简化制造工艺并且降低制造成本。根据示例实施例的一方面,提供了一种发光器件封装件,该发光器件封装件包括:发光堆叠件,其包括按次序堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层,并且具有由第一导电类型半导体层提供的第一表面和由第二导电类型半导体层提供的第二表面,第二表面与第一表面相对;密封部分,其邻近于发光堆叠件布置;第一电极结构,其布置在第一表面的一部分上,并且连接至第一导电类型半导体层;绝缘层,其布置在发光堆叠件与密封部分之间;以及第一金属垫,其布置在第二表面上,并且穿过位于发光堆叠件的一侧的绝缘层以连接至第一电极结构。发光器件封装件还可包括:第二电极结构,其布置在第二表面上,并且连接至第二导电类型半导体层;以及第二金属垫,其布置在第二表面上,并且穿过绝缘层以连接至第二电极结构。第一电极结构可沿着发光堆叠件的第一表面的边缘包围发光堆叠件。第一电极结构可包围邻近于发光堆叠件的第一表面布置的绝缘层的上表面的至少一部分。第一电极结构可包括布置在发光堆叠件的第一表面的边缘上的第一区和在发光堆叠件的第一表面的内部从第一区延伸的多个第二区。多个第二区可包括均从第一表面的一侧延伸的多个指形电极。发光器件封装件还可包括反射金属层,其覆盖邻近于发光堆叠件的第一表面布置的绝缘层的至少一部分。反射金属层可与第一电极结构分离。第一金属垫和第二金属垫可在发光堆叠件的第二表面上彼此分离开,并且覆盖发光堆叠件的侧表面并延伸至邻近于发光堆叠件的第一表面。第一金属垫可穿过彼此分离的多个区域中的绝缘层,使得第一金属垫连接至第一电极结构。第一金属垫可包围第二金属垫,并且第一金属垫延伸至发光堆叠件的外侧。绝缘层的至少一部分可布置在发光堆叠件的第二表面上的第二电极结构的一些部分之间的区域中。第一电极结构可布置在第一表面上,以对应于绝缘层的所述至少一部分。绝缘层可具有多层反射结构,在该多层反射结构中具有不同折射率的多个绝缘膜交替地堆叠。密封部分可包括光反射颗粒。发光器件封装件还可包括连接至第一金属垫的第一金属柱和连接至第二金属垫的第二金属柱,并且第一金属柱和第二金属柱中的每一个具有从密封部分暴露出来的区域。发光器件封装件还可包括第一导电类型半导体层上的磷光体层。根据另一示例性实施例的一方面,提供了一种发光器件封装件,该发光器件封装件包括:多个发光堆叠件,每个发光堆叠件包括按次序堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层,并且每个发光堆叠件具有由第一导电类型半导体层提供的第一表面和由第二导电类型半导体层提供的与第一表面相对的第二表面;第一电极结构,其布置在每个发光堆叠件的第一表面的一部分上,并且连接至多个发光堆叠件中的一个发光堆叠件的第一导电类型半导体层;第二电极结构,其布置在每个发光堆叠件的第二表面上,并且连接至多个发光堆叠件中的另一个发光堆叠件的第二导电类型半导体层;密封部分,其邻近于发光堆叠件布置;绝缘层,其布置在发光堆叠件与密封部分之间;第一金属垫,其布置在第二表面上,并且穿过位于所述一个发光堆叠件的一侧的绝缘层,以连接至第一电极结构;以及互连部分,其布置在发光堆叠件之间,并且穿过绝缘层,以将所述一个发光堆叠件的第一电极结构连接至所述另一个发光堆叠件的第二电极结构。发光器件封装件还可包括第二金属垫,其布置在第二表面上,并且穿过绝缘层,以连接至所述另一个发光堆叠件的第二电极结构。根据另一示例实施例的一方面,提供了一种发光器件封装件,该发光器件封装件包括:发光堆叠件,其具有按照台面结构排列的多个层;第一电极结构,其布置为覆盖发光堆叠件的边缘,同时暴露出发光堆叠件的上部导电层,第一电极结构电连接至所述上部导电层;第二电极结构,其布置在发光堆叠件的底部导电表面上,并且电连接至发光堆叠件的底部导电表面;绝缘层,其布置在第二电极结构和发光堆叠件的侧部上,并且在第一电极结构的一部分下方延伸;第一金属垫,其布置在绝缘层上,第一金属垫通过绝缘层中的至少一个第一孔电连接至第一电极结构;以及第二金属垫,其布置在绝缘层上,第二金属垫通过绝缘层中的至少一个第二孔电连接至第二电极结构。附图说明根据以下结合附图对示例实施例进行的具体描述,将更加清楚地理解以上和/或其它方面,附图中:图1是根据示例实施例的发光器件封装件的示意性剖视图;图2是图1的发光器件封装件的平面图;图3是图1的发光器件封装件的后视图;图4至图9分别是根据各个示例实施例的发光器件封装件的第一电极结构的平面图;图10是根据示例实施例的发光器件封装件的金属垫的后视图;图11是根据示例实施例的发光器件封装件的第一电极结构和第二电极结构的布局的平面图;图12是根据示例实施例的发光器件封装件的第一电极结构和第二电极结构的布局的剖视图;图13A至图13I是制造根据示例实施例的发光器件封装件的方法的剖视图;图14是根据示例实施例的发光器件封装件的示意性剖视图;图15是图14的发光器件封装件的平面图;图16是图14的发光器件封装件的后视图;图17是根据示例实施例的发光器件封装件的第一电极结构的平面图;图18是根据示例实施例的发光器件封装件的金属垫的后视图;图19A至图19E是制造根据示例实施例的发光器件封装件的方法的剖视图;图20A和图20B是包括根据示例实施例的发光器件封装件的白色光源模块的示意图;图21是示出可在根据示例实施例的发光器件封装件中采用的波长转换材料的CIE1931颜色空间色度图;图22是可在根据示例实施例的发光器件封装件中采用的量子点的剖视图;图23是包括根据示例实施例的发光器件封装件的背光装置的立体图;图24是包括根据示例实施例的发光器件封装件的直下式背光装置的剖视图;图25是包括根据示例实施例的发光器件封装件的平板照明装置的立体图;图26是包括根据示例实施例的发光器件封装件的灯泡型灯的分解立体图;图27是包括根据示例实施例的发光器件封装件的条型灯的分解透视图;图28是包括根据示例实施例的发光器件封装件的室内照明控制网络系统的示意图;图29是包括根据示例实施例的发光器件封装件的开放网络系统的示意图;以及图30是示出包括根据示例实施例的发光器件封装件的照明装置的智能引擎与移动装置之间通过可见光通信进行的通信操作的框图。具本文档来自技高网...
发光器件封装件

【技术保护点】
一种发光器件封装件,包括:发光堆叠件,其包括按次序堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层,发光堆叠件具有由第一导电类型半导体层提供的第一表面和由第二导电类型半导体层提供的与第一表面相对的第二表面;密封部分,其邻近于发光堆叠件布置;第一电极结构,其布置在发光堆叠件的第一表面的一部分上,并且连接至第一导电类型半导体层;绝缘层,其布置在发光堆叠件与密封部分之间;以及第一金属垫,其布置在发光堆叠件的第二表面上,并且穿过位于发光堆叠件的一侧的绝缘层以连接至第一电极结构。

【技术特征摘要】
2015.09.04 KR 10-2015-01257191.一种发光器件封装件,包括:发光堆叠件,其包括按次序堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层,发光堆叠件具有由第一导电类型半导体层提供的第一表面和由第二导电类型半导体层提供的与第一表面相对的第二表面;密封部分,其邻近于发光堆叠件布置;第一电极结构,其布置在发光堆叠件的第一表面的一部分上,并且连接至第一导电类型半导体层;绝缘层,其布置在发光堆叠件与密封部分之间;以及第一金属垫,其布置在发光堆叠件的第二表面上,并且穿过位于发光堆叠件的一侧的绝缘层以连接至第一电极结构。2.根据权利要求1所述的发光器件封装件,还包括:第二电极结构,其布置在发光堆叠件的第二表面上,并且连接至第二导电类型半导体层;以及第二金属垫,其布置在发光堆叠件的第二表面上,并且穿过绝缘层以连接至第二电极结构。3.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中第一电极结构沿着发光堆叠件的第一表面的边缘包围发光堆叠件。4.根据权利要求3所述的发光器件封装件,其中第一电极结构包围邻近于发光堆叠件的第一表面布置的绝缘层的上表面的至少一部分。5.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中第一电极结构包括布置在发光堆叠件的第一表面的边缘上的第一区和在发光堆叠件的第一表面的内部从第一区延伸的多个第二区。6.根据权利要求5所述的发光器件封装件,其中所述多个第二区包括从第一表面的一侧延伸的多个指形电极。7.根据权利要求1所述的发光器件封装件,还包括反射金属层,其覆盖邻近于发光堆叠件的第一表面布置的绝缘层的至少一部分。8.根据权利要求7所述的发光器件封装件,其中反射金属层与第一电极结构分离。9.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中第一金属垫和第二金属垫在发光堆叠件的第二表面上彼此分离开,第一金属垫和第二金属垫覆盖发光堆叠件的侧表面并且延伸至邻近于发光堆叠件的第一表面。10.根据权利要求9所述的发光器件封装件,其中第一金属垫穿过彼此分离的多个区域中的绝缘层,以连接至第一电极结构。11.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中第一金属垫包围第二金属垫,并且延伸至发光堆叠件的外侧。12.根据权利要求2所述的发光器件封装件,其中绝缘层的至少一部分布置在发光堆叠件的第二表面上的第二电极结构的部分之间的区域中。13.根据权利要求12所述的发光器件封装件,其中第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:李东国权容旻金亨根
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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