一种阵列基板制造技术

技术编号:14810600 阅读:36 留言:0更新日期:2017-03-15 02:36
本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板,该阵列基板包括:衬底基板;位于衬底基板上方的第一绝缘层,第一绝缘层中设置有至少一个第一过孔,至少一个第一过孔贯穿第一绝缘层;位于第一过孔底部的多条触控走线;位于第一绝缘层上方的多个触控电极块,至少一条触控走线对应一个触控电极块,触控电极块与对应的至少一条触控走线电连接;位于第一过孔底部的像素连接部,像素连接部与触控走线绝缘;位于第一绝缘层上方的多个像素电极,像素电极与像素连接部电连接。本发明专利技术中触控走线和像素连接部共用第一过孔,与现有技术相比,本发明专利技术中过孔少、孔径尺寸相对较小,因此过孔导致液晶分子配向混乱的区域减小,相应的黑矩阵尺寸减小,进而提高了像素开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及显示技术,尤其涉及一种阵列基板
技术介绍
随着显示面板向薄型化和轻量化转变,将触摸部件与液晶面板进行一体化设计成为当前显示面板主要的发展方向,触摸部件和液晶面板的一体化包括“In-cell”和“On-cell”。显示面板包括阵列基板和彩膜基板,In-cell显示面板中触控部件集成在阵列基板或者彩膜基板之内。如图1A所示为现有技术提供的In-cell显示面板的阵列基板的示意图,图1B为图1A沿A-A'的剖视图。如图1A和图1B所示,阵列基板包括:一基板10、位于基板10上的源极11和漏极12、有机膜层13、触控走线14、第一绝缘层15、公共电极块16、第二绝缘层17和像素电极18。其中,多个公共电极块16呈矩阵排列且复用为触控电极,触控走线14与公共电极块16一一对应设置并通过第一过孔19电连接,像素电极18与漏极12通过第二过孔20电连接,源极11与数据线21电连接。可见,阵列基板中至少包括导通触控走线14与公共电极块16的第一过孔19以及导通像素电极18与漏极12的第二过孔20。在液晶显示面板中,过孔附近的液晶分子配向较为混乱,通常设置黑矩阵进行遮盖,因此过孔越多液晶分子配向混乱的区域就越大,相应的黑矩阵尺寸大导致像素显示区域减小,从而降低像素开口率。此外,触控走线14在对应一列公共电极块16的下方延伸并与其中对应的公共电极块16电连接,并且第一绝缘层15的厚度较薄,因此触控走线14与对应一列公共电极块16的其他公共电极块16之间会产生较大的寄生电容。如图1C所示为现有技术提供的In-cell显示面板的另一种阵列基板的示意图,图1D为图1C沿B-B'的剖视图,在此沿用图1A和图1B编号,其中,触控走线14和数据线21错开设置,触控走线14和公共电极块16之间会产生较大的寄生电容的问题依然存在。同样的,阵列基板中至少包括导通触控走线14与公共电极块16的第一过孔19以及导通像素电极18与漏极12的第二过孔20。在液晶显示面板中,过孔附近的液晶分子配向较为混乱,通常设置黑矩阵进行遮盖,因此过孔越多液晶分子配向混乱的区域就越大,相应的黑矩阵尺寸大导致像素显示区域减小,从而降低像素开口率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板,以解决现有技术中像素开口率较小的问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板包括:衬底基板;位于所述衬底基板上方的第一绝缘层,所述第一绝缘层中设置有至少一个第一过孔,所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层;位于所述第一过孔底部的多条触控走线;位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块,至少一条所述触控走线对应一个所述触控电极块,所述触控电极块与对应的所述至少一条触控走线电连接;位于所述第一过孔底部的像素连接部,所述像素连接部与所述触控走线绝缘;位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极,所述像素电极与所述像素连接部电连接。第二方面,本专利技术实施例还提供了一种阵列基板,该阵列基板包括:衬底基板;位于所述衬底基板上方的第一绝缘层,所述第一绝缘层中设置有至少一个第一过孔,所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层;位于所述第一过孔底部的多个触控连接部;位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块,至少一个所述触控连接部对应一个所述触控电极块,所述触控电极块与对应的所述至少一个触控连接部电连接;位于所述第一过孔底部的漏极,所述漏极与所述触控连接部绝缘;位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极,所述像素电极与所述漏极电连接。第三方面,本专利技术实施例还提供了一种阵列基板,该阵列基板包括:衬底基板;位于所述衬底基板上方的第一绝缘层,所述第一绝缘层中设置有至少一个第一过孔,所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层;位于所述第一过孔底部的多条触控走线;位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块,至少一条所述触控走线对应一个所述触控电极块,所述触控电极块与对应的所述至少一条触控走线电连接;位于所述第一过孔底部的漏极,所述漏极与所述触控走线绝缘;位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极,所述像素电极与所述漏极电连接。本专利技术提供的阵列基板,在第一绝缘层中设置第一过孔,第一过孔底部设置有触控走线和像素连接部,触控电极块通过第一过孔与对应的触控走线电连接、像素电极通过第一过孔与像素连接部电连接,因此本专利技术中仅需一个过孔即可实现触控电极块与触控走线、以及像素电极和像素连接部的电连接,即触控走线和像素连接部共用第一过孔。与现有技术相比,本专利技术中过孔少、孔径尺寸相对较小,因此过孔导致液晶分子配向混乱的区域减小,相应的黑矩阵尺寸减小,进而提高了像素开口率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1A为现有技术提供的In-cell显示面板的一种阵列基板的示意图;图1B为图1A沿A-A'的剖视图;图1C为现有技术提供的In-cell显示面板的另一种阵列基板的示意图;图1D为图1C沿B-B'的剖视图;图2A是本专利技术一个实施例提供的阵列基板的示意图;图2B是图2A沿C-C'的剖视图;图2C是本专利技术一个实施例提供的另一阵列基板的示意图;图2D是图2C沿D-D'的剖视图;图3A是本专利技术另一个实施例提供的阵列基板的示意图;图3B是图3A沿E-E'的剖视图;图3C是本专利技术另一个实施例提供的另一阵列基板的示意图;图3D是图3C沿F-F'的剖视图;图4A是本专利技术又一个实施例提供的阵列基板的示意图;图4B是图4A沿G-G'的剖视图;图4C是本专利技术又一个实施例提供的另一阵列基板的示意图;图4D是图4C沿H-H'的剖视图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将参照本专利技术实施例中的附图,通过实施方式清楚、完整地描述本专利技术的技术方案,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。为了解决现有技术的问题,如图2A所示,本专利技术一个实施例提供一种阵列基板,图2B为图本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;位于所述衬底基板上方的第一绝缘层,所述第一绝缘层中设置有至少一个第一过孔,所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层;位于所述第一过孔底部的多条触控走线;位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块,至少一条所述触控走线对应一个所述触控电极块,所述触控电极块与对应的所述至少一条触控走线电连接;位于所述第一过孔底部的像素连接部,所述像素连接部与所述触控走线绝缘;位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极,所述像素电极与所述像素连接部电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上方的第一绝缘层,所述第一绝缘层中设置有至少一个
第一过孔,所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层;
位于所述第一过孔底部的多条触控走线;
位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块,至少一条所述触控走线对应
一个所述触控电极块,所述触控电极块与对应的所述至少一条触控走线电连接;
位于所述第一过孔底部的像素连接部,所述像素连接部与所述触控走线绝
缘;
位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极,所述像素电极与所述像素连接
部电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极块沿所述
第一过孔的第一侧壁延伸到所述第一过孔底部与对应的所述至少一条触控走线
电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括位于
所述第一绝缘层与所述像素电极之间的第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述
第一过孔的第二侧壁并露出所述像素连接部,所述像素电极沿覆盖所述第二侧
壁的所述第二绝缘层延伸到所述第一过孔底部以与所述像素连接部电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层覆盖沿
所述第一侧壁延伸的所述触控电极块。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
位于所述触控走线下方的第三绝缘层,所述第三绝缘层中设置有第二过孔;
位于所述第三绝缘层下方且位于所述衬底基板上的源极和漏极,所述漏极
位于所述第二过孔的底部;
所述像素连接部与所述漏极通过所述第二过孔电连接。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括:所述
触控电极块复用为公共电极块。
7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘
层为有机膜,所述有机膜在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度大于所述第三
绝缘层的厚度。
8.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上方的第一绝缘层,所述第一绝缘层中设置有至少一个
第一过孔,所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层;
位于所述第一过孔底部的多个触控连接部;
位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块,至少一个所述触控连接部对
应一个所述触控电极块,所述触控电极块与对应的所述至少一个触控连接部电
连接;
位于所述第一过孔底部的漏极,所述漏极与所述触控连接部绝缘;
位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极,所述像素电极与所述漏极电连
接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极块沿所述
第一过孔...

【专利技术属性】
技术研发人员:周星耀姚绮君
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司天马微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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