【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于移动电话等设备中的射频(RF)滤波器。
技术介绍
移动电话正在变得越来越智能化。在从所谓第三代(3G)智能电话向第四代(4G)和第五代(5G)智能电话的转变过程中,对于无线电频率和频段存在爆炸式的增长。为了能够正确运行,需要滤除邻近频段的信号。射频和微波应用显著得益于可调谐器件和电路的使用。利用可在宽范围进行调谐的元件,滤波器可被制成能够在多个工作频段上调谐,可以针对放大功率水平(amplifierpowerlevel)和天线阻抗对阻抗匹配网络进行调节。为了满足日益复杂的智能电话以及汽车等产品中的射频设备的要求,有必要对于不同的通信通道以及不同的射频频率设备,例如智能电话,使用不同的频段,以共存在否则会干扰正常工作的频率下。一种手段是使用FBAR技术作为滤波器。FBAR(薄膜体声波共振器)滤波器是一种具有优异性能的体声波滤波器,其与表面声波滤波器相比具有更陡峭的抑制曲线。其具有低信号损失,因此在移动电信技术中能够实现更长的电池寿命和更长的通话时间。当大多数应用是第三代移动通信技术(3G)时,只有4或5个不同频段受益于使用FBAR(薄膜体声波共振器)滤波。现在,由于全世界的运营商都在进入4G(第四代移动通信技术),所以滤波器的质量指标变得越来越严格。钛酸锶钡(BST)是一种室温下具有钙钛矿型结构的作为中心对称压电材料的混合钛酸盐。BST具有高介电常数,低介电损耗和低漏电流密度,且已被用作电 ...
【技术保护点】
一种制造薄膜体声波共振器滤波器的方法,包括:(a)获得芯片,所述芯片包括牺牲基板和在所述牺牲基板上的电极层之间生长的压电材料膜;(b)获得电介质框架栅格,所述电介质框架栅格限定一空腔阵列,使得每个空腔被框架包围,所述电介质框架栅格还包括穿过所述框架延伸的导电通孔;(c)在所述框架栅格的下表面上粘附一粘性可分离胶带;(d)将所述芯片放置在每个空腔中,通过所述粘性可分离胶带的粘性保持所述芯片的位置;(e)移除所述牺牲基板,在所述压电材料膜的上方及四周层压粘附聚合物,并移除所述粘性可分离胶带;(f)在每个所述压电材料膜周围钻孔穿过所述粘附聚合物到达至少第一和第二通孔,以及穿过所述压电材料膜到达其下方的电极层;(g)在所述框架的上表面上,制造连接在所述第一通孔的上端与所述压电材料膜上方的电极层之间的第一连接,并且制造连接在所述第二通孔的上端与所述压电材料膜下方的电极层之间的第二连接,以及制造包封所述第一通孔的上端、所述第二通孔的上端以及所述第一连接和第二连接的上连接环;(h)在所述框架的下表面上,制造连接在所述第一通孔和所述第二通孔的下端上的下焊盘,以及制造包封所述第一通孔和所述第二通孔的下端 ...
【技术特征摘要】
2015.01.27 US 14/606,3231.一种制造薄膜体声波共振器滤波器的方法,包括:
(a)获得芯片,所述芯片包括牺牲基板和在所述牺牲基板上的电极层之间生长的压电
材料膜;
(b)获得电介质框架栅格,所述电介质框架栅格限定一空腔阵列,使得每个空腔被框架
包围,所述电介质框架栅格还包括穿过所述框架延伸的导电通孔;
(c)在所述框架栅格的下表面上粘附一粘性可分离胶带;
(d)将所述芯片放置在每个空腔中,通过所述粘性可分离胶带的粘性保持所述芯片的
位置;
(e)移除所述牺牲基板,在所述压电材料膜的上方及四周层压粘附聚合物,并移除所述
粘性可分离胶带;
(f)在每个所述压电材料膜周围钻孔穿过所述粘附聚合物到达至少第一和第二通孔,
以及穿过所述压电材料膜到达其下方的电极层;
(g)在所述框架的上表面上,制造连接在所述第一通孔的上端与所述压电材料膜上方
的电极层之间的第一连接,并且制造连接在所述第二通孔的上端与所述压电材料膜下方的
电极层之间的第二连接,以及制造包封所述第一通孔的上端、所述第二通孔的上端以及所
述第一连接和第二连接的上连接环;
(h)在所述框架的下表面上,制造连接在所述第一通孔和所述第二通孔的下端上的下
焊盘,以及制造包封所述第一通孔和所述第二通孔的下端的下连接环;
(i)制造从所述下焊盘延伸至所述下连接环下方的用于表面贴装的引脚;
(j)移除在下电极下方的所述粘附聚合物;
(k)将上盖附着至所述上连接环,将下盖附着至所述下连接环;以及
(l)从所述电介质框架栅格上切割分离单个的封装薄膜体声波共振器滤波器。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述牺牲基板是单晶C-面蓝宝石。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述压电材料膜是混合的钛酸锶钡(BxS(1-x)TiO3)。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述压电材料膜的制造方法选自分子束外延、脉冲激
光沉积、射频溅射和原子层沉积。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述压电材料膜是外延生长的。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述压电材料膜是单晶。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述电极层包括铂或钽。
8.如权利要求1所述的方法,其中在所述牺牲基板和所述第一电极层之间沉积界面层。
9.如权利要求8所述的方法,其中步骤(e)包括透过所述牺牲基板照射所述界面层。
10.如权利要求8所述的方法,其中所述界面层包括AlN、TiN、GaN或InN。
11.如权利要求1所述的方法,其中步骤(a)包括:
获得牺牲基板的晶片;
在所述牺牲基板的表面上制造界面层;
在所述界面层上制造下电极;
在所述下电极上制造压电材料外延层;
在所述压电材料外延层上制造上电极;以及
将所述电极切割分离成芯片。
12.如权利要求1所述的方法,其中所述电介质框架栅格包括与金属通孔共烧结的陶瓷
基质。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述电介质框架栅格包括聚合物基质和铜通孔。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述聚合物基质还包括玻璃纤维和陶瓷填料。
15.如权利要求13所述的方法,其中所述铜通孔的制造方法是在图案化光刻胶中电镀
形成直立柱,剥除所述光刻胶以及在其上层压所述聚合物基质。
16.如权利要求13所述的方法,其中所述聚合物基质是液晶聚合物。
17.如权利要求1所述的方法,其中步骤(d)中的在每个空腔中放置芯片的步骤包括:将
芯片放置为使所述牺牲基板与所述可分离胶带接触,以及使所述压电材料膜和所述电极朝
上。
18.如权利要求17所述的方法,其中步骤(e)中的移除牺牲基板,在所述压电材料膜的
上方和四周层压粘附聚合物以及移除可分离胶带的步骤包括以下步骤:
i.在所述芯片和所述框架的上方层压粘附聚合物的涂层;
ii.在所述粘附聚合物的上方施加载体;
iii.移除所述可分离胶带;
iv.在利用硬掩模保护所述框架栅格的同时,等离子体蚀刻或激光烧蚀穿过所述粘附
聚合物直至所述载体;
v.透过所述牺牲基板照射所述界面层以熔融所述界面层;
vi.移除所述牺牲基板;
vii.施加粘附聚合物;以及
viii.移除所述载体。
19.如权利要求18所述的方法,其中所述载体是金属载体,并且移除所述载体包括蚀刻
掉所述载体。
20.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:卓尔·赫尔维茨,黄士辅,
申请(专利权)人:珠海越亚封装基板技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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