一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法，属于电磁复合材料技术领域。该合金的表达式为：MaZbTcSid；其中，表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种，Z为P、N、B、C、O、As中的至少一种，T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种，其余为少量不可避免的杂质；所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比含量(原子％)，且满足：25≤a≤70，5≤b≤70，0≤c≤10，0<d≤20，且a+b+c+d＝100。该合金具有优良的导磁性、极低的磁损耗以及良好的韧性，特别适用于高频下的电磁屏蔽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法，属于电磁复合材料

技术介绍
隔磁片广泛应用于无线充电、NFC(NearFieldCommunication,近场通讯)和RFID(RadioFrequencyIdentification，射频识别)
，可制成无线充电器其中的导磁片、NFC和RFID设备中的隔磁片。导磁片在无线充电器中，通过线圈进行能量耦合实现能量传递，给充电器交感磁场提供回路，提高效率，同时隔离电流产生的涡流隔离，防止涡流影响金属为主的线路主板，使充电器能正常工作。NFC和RFID设备中的隔磁片既能吸收金属衰减反射波，又能增强磁场感应距离，提高通讯灵敏度。在市场名称中，隔磁片通常又被称作：NFC天线隔磁片、防磁贴、导磁片、手机抗干扰磁贴、电子磁布、铁氧体片、吸波材料等。其常见厚度为0.08mm-0.5mm，带覆膜厚度为0.3mm-3mm。NFC实质是脱胎于无线设备间的一种“非接触式射频识别”(RFID)及互联技术，它可以满足任何两个无线设备间的信息交换、内容访问、服务交换，并且使之更为简约。支付型手机(NFC)付费方法是通过13.56MHzRFID无线射频识别系统实现的。铁氧体片已经开始广泛应用于小额支付手机和射频领域中。中国专利申请CN103377787A公开了一种NFC磁片用浆料及其制备方法，所述NFC磁片用浆料由磁粉和有机载体组成。该专利技术提供的NFC磁r>片用浆料，采用粉末状的聚乙烯醇缩丁醛和/或乙基纤维素作为粘结剂，替代现有技术中的树脂和橡胶。中国专利申请CN104766686A公开了一种NFC磁片浆料及其制备方法。它由铁氧体粉末和水性体系组成，所述的水性体系中含有水、表面处理剂、粘接剂和消泡剂；并由以下步骤制备得到：(1)将表面处理剂、铁氧体粉末和水放入球磨罐中，进行一次球磨；(2)在一次球磨后，加入消泡剂和粘接剂，进行二次球磨；(3)在二次球磨后取出浆料，进行真空脱泡，得到NFC磁片用浆料。中国专利申请CN104496451A公开了一种NiCuZn系铁氧体材料及其制备方法，所述NiCuZn系铁氧体材料包括主成份和添加剂，所述主成份由Fe2O3、ZnO、CuO和NiO组成，其中Fe2O3、ZnO、CuO、NiO占所述主成份的摩尔百分比分别为48.5-50.0mol％、20-25mol％、10-12mol％、15-19.5mol％；所述添加剂包括所述主成份0.6-1.0wt％的Co2O3以及所述主成份0.1-0.5wt％的LiF。中国专利申请CN104387090A公开了一种用于铁氧体粉体喷雾造粒的浆料及其制备方法，铁氧体粉体喷雾造粒的浆料的制备方法，包括步骤：准备粘结剂PB-72溶液和粘结剂PVA溶液；准备经研磨的铁氧体原粉；将所述粘结剂PB-72溶液和所述粘结剂PVA溶液加入到所述铁氧体原粉中进行研磨，形成铁氧体粉体喷雾造粒的浆料。用于铁氧体粉体喷雾造粒的浆料是指根据上述制备方法制得的浆料。中国技术CN203521092U公开一种柔性铁氧体隔磁片，包括一方形隔磁片和方形隔磁片两侧覆盖的胶布，所述方形隔磁片分割为相同大小的隔磁片单元，所述隔磁片单元表面为网格状，所述隔磁片单元之间通过隔磁片连接部连接固定，所述隔磁片单元与隔磁片连接部为一体结构。因为隔磁片单元之间通过隔磁片连接部这种微薄的连接，可减小漏磁；由于连接很微薄，隔磁片单元非常接近于独立单元，这样整个隔磁片的柔性较强。中国专利技术专利CN102976726B公开了一种微波烧结超薄型铁氧体片材的方法，其目的在于解决现有技术在铁氧体片材在烧制过程中易于变形，平整度差，甚至出现断裂的问题。该专利技术采用微波烧结的方法制备超薄型铁氧体片材，铁氧体片材在烧制过程中不会出现变形或者开裂，平整度好，而且可以在一定程度上降低了铁氧体片材的烧结温度及烧结时间，所需的生产周期9-12小时，相对于马弗炉加热，生产周期缩短了30-60％。中国专利CN100502633C公开了一种新型电磁屏蔽材料及其制造方法。该专利技术是在软磁材料基体的两个表面电沉积一层金属铜形成复合电磁屏蔽材料。所述软磁材料是用快淬方法制备的纳米晶或非晶带材,厚度在20～40μm之间；基体软磁材料的成分由Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Zr、Hf、Si、B、P中的金属和非金属元素组成，该软磁材料采用单辊或双辊快淬方法制备。而电沉积的双面铜导电层总厚度在1～50μm之间。沉积的金属铜是在含有铜离子的酸性或碱性电解液中,使用直流或交流电源沉积得到。现有制备技术中，制备NFC磁片工艺有挤出成型、压制成型和流延成型。但挤出成型工艺采用的浆料磁粉含量低，磁片烧结后密度相对较低，磁性能较差，隔磁效果有限；而压制成型工艺，受限于设备精度，无法制备厚度0.1mm以下的薄磁片。流延成型工艺是目前NFC薄磁片最常用的工艺。现有流延浆料主要由铁氧体粉末和有机体系组成，然后用浆料制备出厚度小于0.1mm的铁氧体生片，烧结后就得到了性能优异的铁氧体磁片。现有流延成型工艺生产，多采用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)作粘合剂，酒精和二甲苯作有机溶剂。而二甲苯作为甲苯类有机物是毒性较强的有机溶剂，在流延时的大量排放会严重污染环境，恶化工作条件并损害人体健康。由上可以看出，目前市场上的采用铁氧体制作隔磁片，存在韧性差，磁片易碎，漏磁大，使用不便，成本高的缺陷，而且制备工艺复杂，需要多个步骤，耗费大量能源，甚至使用的有机溶剂污染环境。这些现有问题都极大程度地制约着现有电磁屏蔽材料的发展应用，因此，采用新型电磁屏蔽材料及制备技术，面临着重大的研发需求。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法，该软磁合金具有优良的韧性和电磁屏蔽性能，符合电磁复合材料轻薄化、功能化、节能环保趋势的发展要求，可应用于无线充电、NFC和RFID等电磁屏蔽领域，能够满足触控屏、电子印刷等进一步加工设计需求。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种电磁屏蔽用软磁合金，该合金的表达式为：MaZbTcSid；其中，所述表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种，Z为P、N、B、C、O、As中的至少一种，T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种，其余为少量不可避免的杂质；所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，该合金的表达式为：MaZbTcSid；其中，所述表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种，Z为P、N、B、C、O、As中的至少一种，T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种，其余为少量不可避免的杂质；所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比含量(原子％)，且满足以下条件：25≤a≤70，5≤b≤70，0≤c≤10，0<d≤20，且a+b+c+d＝100。

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，该合金的表达式为：
MaZbTcSid；其中，所述表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种，Z为P、
N、B、C、O、As中的至少一种，T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、
Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种，其余为少量不可避
免的杂质；所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比含
量(原子％)，且满足以下条件：
25≤a≤70，5≤b≤70，0≤c≤10，0<d≤20，且a+b+c+d＝100。
2.根据权利要求1所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分M
的原子百分比含量a的取值范围为40≤a≤65，优选为50≤a≤65。
3.根据权利要求1所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分Z
的原子百分比含量b的取值范围为10≤b≤50，优选为15≤b≤40。
4.根据权利要求1所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分T
的原子百分比含量c的取值范围为0.05≤c≤8，优选为2≤c≤6。
5.根据权利要求1所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分
Si的原子百分比含量d的取值范围为2≤d≤15，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周少雄，董帮少，张广强，李宗臻，高慧，崔乃日，
申请(专利权)人：安泰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11