一种电子陶瓷元件表面处理方法和表面处理液技术

一种电子陶瓷元件表面处理方法，包括以下步骤：S1、将待电镀的电子陶瓷元件用表面处理液进行表面处理；S2、将经过表面处理后的电子陶瓷元件烘干；S3、将烘干后的电子陶瓷元件进行表面绝缘层涂敷，表面绝缘层用于防止电子陶瓷元件电镀时产生爬镀；其中表面处理液包含以下重量百分比的成分：盐酸(HCl)20％～60％、氢氟酸(HF)20％～50％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、硝酸钠(NaNO3)2％～15％、硝酸锌(Zn(NO3)2)2％～10％。在此还公开了一种用在上述处理方法中的表面处理液。该方法能够增强待涂敷表面绝缘层的元件表面的浸润性，大大提高电子陶瓷元件表面与涂敷层的结合力，显著地改善涂敷层的均匀性，从而能够有效地解决元件产品电镀时爬镀的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子陶瓷元件表面处理方法和表面处理液。
技术介绍
电子陶瓷元件产品如氧化锌压敏电阻由于材料本身的电阻率较低，产品表面绝缘电阻较小，在电镀时瓷体表面容易镀上镀层，造成爬镀，这一直是困扰电子元件制造商的一个技术难题，为了解决这一问题，片式电子元件生产商往往通过在元件电镀前在表面涂敷一层电阻率较高的保护层，以提高元件的表面电阻率，从而有效的防止产品电镀时产生爬镀。但由于表面张力以及涂层与元件表面的浸润性等因素的影响，在进行表面涂敷处理时涂敷层容易形成团聚，并且涂敷层与元件表面的结合力差，从而影响涂敷层的均匀性，以及涂敷层容易脱露，进而导致个别产品在电镀时仍会产生爬镀不良。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的不足，提供。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种电子陶瓷元件表面处理方法，包括以下步骤：S1、将待电镀的电子陶瓷元件用表面处理液进行表面处理；S2、将经过表面处理后的所述电子陶瓷元件烘干；S3、将烘干后的所述电子陶瓷元件进行表面绝缘层涂敷，所述表面绝缘层用于防止所述电子陶瓷元件电镀时产生爬镀；其中所述表面处理液包含以下重量百分比的成分：盐酸(HCl)20％～60％、氢氟酸(HF)20％～50％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、硝酸钠(NaNO3)2％～15％、硝酸锌(Zn(NO3)2)2％～10％。进一步地：所述表面处理液还包含去离子水。所述表面处理液调节至PH值在0.1～0.5。步骤S1中，将倒角后的所述电子陶瓷元件浸入所述表面处理液中浸泡预定时间，以让所述电子陶瓷元件表面与所述表面处理液充分接触和反应。所述电子陶瓷元件在所述表面处理液中浸泡时间在3～30分钟。步骤S2中，将经过表面处理后的所述电子陶瓷元件滤干，再用清水冲洗残留的所述表面处理液，然后放入烘干箱内，在80～130℃下烘干20～30分钟，直至所述电子陶瓷元件表面的水分完全被烘干。在步骤S1之前，还包括配制所述表面处理液的步骤。一种表面处理液，用于对电子陶瓷元件进行表面处理以增强电子陶瓷元件表面与涂敷的表面绝缘层的结合力，并提高涂敷的表面绝缘层的均匀性，所述表面处理液包含以下重量百分比的成分：盐酸(HCl)20％～60％、氢氟酸(HF)20％～50％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、硝酸钠(NaNO3)2％～15％、硝酸锌(Zn(NO3)2)2％～10％。所述表面处理液还包含去离子水。所述表面处理液的PH值在0.1～0.5。本专利技术的有益效果：根据本专利技术的电子陶瓷元件表面处理方法，在待电镀的电子陶瓷元件产品的表面涂敷表面绝缘层之前，使用上述的表面处理液对产品进行表面处理，通过处理液成分的化学作用，改变元件的表面状态，从而有效增强后续待涂敷表面绝缘层的元件表面的浸润性，大大提高电子陶瓷元件表面与涂敷层的结合力，结合强度高，并显著地改善涂敷层的均匀性，从而能够有效地解决元件产品电镀时爬镀的问题，防止电子陶瓷元件电镀时表面发生爬镀。该处理工艺操作简单，同时不会对片式元件的电性能造成不良影响。附图说明图1为本专利技术的电子陶瓷元件表面处理方法的处理流程图；图2为多层片式电子陶瓷元件未经处理进行表面绝缘层涂敷的实物效果图；图3为多层片式电子陶瓷元件经本专利技术实施例一的电子陶瓷元件表面处理方法处理后进行表面绝缘层涂敷的实例效果图；图4为多层片式电子陶瓷元件经本专利技术实施例二的电子陶瓷元件表面处理方法处理后进行表面绝缘层涂敷的实例效果图；图5为多层片式电子陶瓷元件经本专利技术实施例三的电子陶瓷元件表面处理方法处理后进行表面绝缘层涂敷的实例效果图。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式作详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本专利技术的范围及其应用。参阅图1，在一种实施例中，一种电子陶瓷元件表面处理方法，包括以下步骤：S1、将待电镀的电子陶瓷元件用表面处理液进行表面处理，所述表面处理液包含以下重量百分比的成分：盐酸(HCl)20％～60％、氢氟酸(HF)20％～50％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、硝酸钠(NaNO3)2％～15％、硝酸锌(Zn(NO3)2)2％～10％；S2、将经过表面处理后的所述电子陶瓷元件烘干；S3、将烘干后的所述电子陶瓷元件进行表面绝缘层涂敷，所述表面绝缘层用于防止所述电子陶瓷元件电镀时产生爬镀；在优选的实施例中，所述表面处理液还包含去离子水。较佳地，将所述表面处理液调节至PH值在0.1～0.5。在优选的实施例中，步骤S1中，将倒角后的所述电子陶瓷元件浸入所述表面处理液中浸泡预定时间，以让所述电子陶瓷元件表面与所述表面处理液充分接触和反应。更优选地，所述电子陶瓷元件在所述表面处理液中浸泡时间在3～30分钟。在优选的实施例中，步骤S2中，将经过表面处理后的所述电子陶瓷元件滤干，再用清水冲洗残留的所述表面处理液，然后放入烘干箱内，在80～130℃下烘干20～30分钟，直至所述电子陶瓷元件表面的水分完全被烘干。在一种实施例中，上述电子陶瓷元件表面处理方法在步骤S1之前还包括配制所述表面处理液的步骤。在一种实施例中，一种表面处理液，用于对电子陶瓷元件进行表面处理以增强电子陶瓷元件表面与涂敷的表面绝缘层的结合力，并提高涂敷的表面绝缘层的均匀性，所述表面处理液包含以下重量百分比的成分：盐酸(HCl)20％～60％、氢氟酸(HF)20％～50％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、硝酸钠(NaNO3)2％～15％、硝酸锌(Zn(NO3)2)2％～10％。在优选的实施例中，所述表面处理液的溶液为去离子水。较佳地，所述表面处理液的PH值在0.1～0.5。以下以片式电子陶瓷元件为例，对具体实施例进行说明。对片式电子陶瓷元件表面进行处理的工艺流程为：配制表面处理液→表面处理→烘干→表面绝缘层涂敷。其具体过程包括如下步骤：(1)配制表面处理液：将HCl、HF、Y2O3、NaNO3、NaClO3、Zn(NO3)2等材料按盐酸(HCl)20％～60％、氢氟酸(HF)20％～50％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、硝酸钠(NaNO3)2％～15％、硝酸锌(Zn(NO3)2)2％～10％的重量百分比配制，加入水或去离子水中搅拌，混合均匀，制成表面处理溶液。表面处理溶液调节至合适的PH值范围，PH＝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子陶瓷元件表面处理方法，其特征在于,包括以下步骤：S1、将待电镀的电子陶瓷元件用表面处理液进行表面处理；S2、将经过表面处理后的所述电子陶瓷元件烘干；S3、将烘干后的所述电子陶瓷元件进行表面绝缘层涂敷，所述表面绝缘层用于防止所述电子陶瓷元件电镀时产生爬镀；其中所述表面处理液包含以下重量百分比的成分：盐酸(HCl)20％～60％、氢氟酸(HF)20％～50％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、硝酸钠(NaNO3)2％～15％、硝酸锌(Zn(NO3)2)2％～10％。

【技术特征摘要】
1.一种电子陶瓷元件表面处理方法，其特征在于,包括以下步骤：
S1、将待电镀的电子陶瓷元件用表面处理液进行表面处理；
S2、将经过表面处理后的所述电子陶瓷元件烘干；
S3、将烘干后的所述电子陶瓷元件进行表面绝缘层涂敷，所述表面绝
缘层用于防止所述电子陶瓷元件电镀时产生爬镀；
其中所述表面处理液包含以下重量百分比的成分：盐酸(HCl)20％～
60％、氢氟酸(HF)20％～50％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、硝酸钠
(NaNO3)2％～15％、硝酸锌(Zn(NO3)2)2％～10％。
2.如权利要求1所述的电子陶瓷元件表面处理方法，其特征在于,所
述表面处理液还包含去离子水。
3.如权利要求1或2所述的电子陶瓷元件表面处理方法，其特征在
于,所述表面处理液调节至PH值在0.1～0.5。
4.如权利要求1至3任一项所述的电子陶瓷元件表面处理方法，其
特征在于,步骤S1中，将倒角后的所述电子陶瓷元件浸入所述表面处理液
中浸泡预定时间，以让所述电子陶瓷元件表面与所述表面处理液充分接触
和反应。
5.如权利要求4所述的电子陶瓷元件表面处理方法，其特征在于,所
述...

【专利技术属性】
技术研发人员：成学军，姚斌，贾广平，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44