一种断电保护电路制造技术

技术编号:14798028 阅读:121 留言:0更新日期:2017-03-13 10:35
本实用新型专利技术涉及一种断电保护电路,特别是指一种断电后又恢复供电时,用于防止设备重新启动的断电保护电路。本实用新型专利技术提供了如下技术方案:一种断电保护电路,其特征在于:所述开关电路包括有电阻R4和R7,二极管D3,电容C2和C3,三极管Q1和MOS管Q2,通过采用上述方案,本实用新型专利技术针对现有技术存在的不足,提供一种结构简单,特别是电路在断电保护状态时,R4取D2的电压信号不受C2充电时间的制约,能大幅扩展电路的适应频率,在极低频率下,仍可保证断电保护状态,不会出现误动作现象的新型的断电保护电路。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种断电保护电路,特别是指一种断电后又恢复供电时,用于防止设备重新启动的断电保护电路。
技术介绍
目前,无论是施工过程中还是家庭生活中,都有可能发生停电现象,若设备使用者忘记或者无法及时关闭设备的开关按钮,待恢复供电后,设备就会通电开始工作,可能引发设备或人员的安全事故,造成能源的浪费。电工器具如电动工具等,在使用过程中为了避免手指长时间按压电动工具,人们在电工器具的开关按钮上增设了自锁装置,按下自锁装置按钮,即可锁住开关按钮,此时,即使松开手指,电工器具也不会断电,只有再次按下自锁装置按钮,解除自锁,开关按钮才能弹出,断开电工器具。增设自锁装置虽然减少了手指的劳动强度,但是存在以下安全隐患:当没有解除自锁时,开关按钮一直处于闭合状态,此时,若断电后又恢复供电,就会自启动电工器具,造成能源的浪费,甚至会引发安全事故。公告号为CN101938213A,专利技术名称为“断电识别开关”的专利技术专利申请,公开了一种能识别断电开关,防止设备自启动。该断电识别开关电路包括一个自锁开关和一个不自锁开关,按下不自锁开关会使自锁开关自锁闭合(只有再次按下不自锁开关,才会使自锁开关解除自锁断开),从而使电容充电,进而触发晶闸管,使电路导通,晶闸管导通后即使不自锁开关是断开的,但因为与晶闸管串联的电阻上的电压以及晶闸管的漏电流都会对电容充电,仍会触发晶闸管使电路保持导通状态。此时若断电,电容上的电压渐渐释放完,晶闸管截止,即使再来电且自锁开关闭合,因为不自锁开关是断开的,因此电容上也不会有电压,晶闸管还是截止状态,使得电路不导通,只有先按下不自锁开关断开自锁开关,然后再按下不自锁开关使自锁开关闭合,才能重新给电容充电进而触发晶闸管,使电路导通。但是,如果连接的负载为电工器具的电机,因为电机本身存在感应电动势,而针对这种情况,该断电识别开关电路并没有采取任何防护措施,因此,在实际应用中就有可能误导通,即断电后又恢复供电时,电机的感应电动势还是有可能触发晶闸管使电路导通,重新启动电工器具。另外申请人在2014年1月22日申请了《断电保护电路》,该电路的技术特征是:所述开关电路包括电阻R2、R4、MOS管Q2和三极管Q1,且所述MOS管Q2为N-MOS耗尽型时,所述三极管Q1为NPN型,所述MOS管Q2为P-MOS耗尽型时,所述三极管Q1为PNP型,所述电阻R4的一端、所述电阻R2的一端以及所述三极管Q1的基极相连;所述电阻R2的另一端、所述三极管Q1的发射极以及所述MOS管Q2的源极相连作为所述开关电路的第一端口;所述电阻R4的另一端与所述MOS管Q2的漏极相连作为所述开关电路的第二端口,所述MOS管Q2的栅极与所述三极管Q1的集电极相连作为所述开关电路的控制端口,上述结构电路在断电保护状态时,R4取D2的电压信号受C2充电时间的制约。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在的不足,提供一种结构简单,特别是电路在断电保护状态时,R4取D2的电压信号不受C2充电时间的制约,能大幅扩展电路的适应频率,在极低频率下,仍可保证断电保护状态,不会出现误动作现象的新型的断电保护电路。为实现上述目的,本技术提供了如下技术方案:一种断电保护电路,包括有:第一输入端和第二输入端、用于接电源的两极,第一输出端和第二输出端、用于接负载的两端,开关K1,双向可控硅Q3,整流电路,充放电回路,开关电路和触发电路;所述开关K1连接于所述第一输入端与所述第一输出端之间,所述整流电路的输入端口从所述电源的一个电极接收电流,并将所述电流整流后经其输出端口输出,所述整流电路的输出端口、所述充放电回路的第一端口以及所述开关电路的控制端口相连,所述充放电回路的第二端口、所述开关电路的第一端口与所述第二输入端相连;所述触发电路的触发端口与所述开关电路的第二端口相连,所述双向可控硅Q3的阳极和阴极分别连接在第二输入端和第二输出端上,双向可控硅Q3的控制极连接在触发电路的第一端口上,触发电路的第二端口与所述第二输出端相连,其特征在于:所述开关电路包括有电阻R4和R7,二极管D3,电容C2和C3,三极管Q1和MOS管Q2,当MOS管Q2为N型时,三极管Q1为NPN型三极管,电容C3连接在基极和发射极之间,所述二极管D3的阴极和电容C2的第一端分别连接在MOS管Q2的漏极上,电阻R4一端连接在二极管D3的阳极上,另一端与电容C2的第二端连接,所述MOS管的栅极与三极管Q1的集电极连接,二极管D3的阳极与三极管Q1的基极连接;当MOS管Q2为P型时,三极管Q1为PNP型三极管,电容C3连接在基极和发射极之间,二极管D3的阳极和电容C2的第一端分别连接在MOS管Q2的漏极上,电阻R4一端连接在二极管D3的阴极上,另一端与电容C2的第二端连接,所述MOS管的栅极与三极管Q1的集电极连接,二极管D3的阴极与三极管Q1的基极连接。通过采用上述方案,将原设计中R4的位置换成D3,R4改到连接C2右侧,更改后的电路在断电保护状态时,R4取D2的电压信号不受C2充电时间的制约,能大幅扩展电路的适应频率,在极低频率下,仍可保证断电保护状态,不会出现误动作现象。本技术的进一步设置为:所述三极管Q1的基极与电容C3之间连接有电阻R5-1,三极管Q1的基极和发射极之间连接有电阻R5-2;所述三极管Q1的基极与电容C3之间连接有电阻R5-1,三极管Q1的基极和发射极之间连接有电阻R5-2,且电阻R5-1和电阻R5-2为三极管Q1的内置电阻;当然本技术中也可以是,所述三极管Q1的基极和发射极之间连接有电阻R5。下面结合附图对本技术作进一步描述。附图说明图1为本技术实施例一的原理框图;图2为本技术实施例一的电路图;图3为本技术实施例二的电路图;图4为本技术实施例三的电路图;图5为本技术实施例四的电路图。具体实施方式如图1和图2所示,本技术实施一:一种断电保护电路,包括有:第一输入端和第二输入端、用于接电源的两极,第一输出端和第二输出端、用于接负载的两端,开关K1,双向可控硅Q3,整流电路,充放电回路,开关电路和触发电路;所述开关K1连接于所述第一输入端与所述第一输出端之间,所述整流电路的输入端口从所述电源的一个电极接收电流,并将所述电流整流后经其输出端口输出,所述整流电路的输出端口、所述充放电回路的第一端口以及所述开关电路的控制端口相连,所述充放电回路的第二端口、所述开关电路的第一端口与所述第二输入端相连;所述触发电路的触发端口与所述开关电路的第二端口相连,所述双向可控硅Q3的阳极和阴极分别连接在第二输入端和第二输出端上,双向可控硅Q3的控制极连接在触发电路的第一端口上,触发电路的第二端口与所述第二输出端相连,上述技术中的整流电路,充放电回路和触发电路在申请人之前的专利中也是有描述的,所述在这里申请人就不详细描述了,在本技术实施例一中,所述开关电路包括有电阻R4和R7,二极管D3,电容C2和C3,三极管Q1和MOS管Q2,当MOS管Q2为N型时,如图2所示,三极管Q1为NPN型三极管,电容C3连接在基极和发射极之间,二极管D3的阴极和电容C2的第一端分别连接在MOS管Q2的漏极上,电阻R4一端连接在二极管D3的阳极上,另一端与电容C2的第二本文档来自技高网
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一种断电保护电路

【技术保护点】
一种断电保护电路,包括有:第一输入端和第二输入端、用于接电源的两极,第一输出端和第二输出端、用于接负载的两端,开关 K1,双向可控硅Q3,整流电路,充放电回路,开关电路和触发电路; 所述开关 K1 连接于所述第一输入端与所述第一输出端之间,所述整流电路的输入端口从所述电源的一个电极接收电流,并将所述电流整流后经其输出端口输出,所述整流电路的输出端口、所述充放电回路的第一端口以及所述开关电路的控制端口相连,所述充放电回路的第二端口、所述开关电路的第一端口与所述第二输入端相连;所述触发电路的触发端口与所述开关电路的第二端口相连,所述双向可控硅Q3的阳极和阴极分别连接在第二输入端和第二输出端上,双向可控硅Q3的控制极连接在触发电路的第一端口上,触发电路的第二端口与所述第二输出端相连,其特征在于:所述开关电路包括有电阻R4和R7,二极管D3,电容C2和C3,三极管Q1和MOS管Q2,当MOS管Q2为N型时,三极管Q1为NPN型三极管,电容C3连接在基极和发射极之间,二极管D3的阴极和电容C2的第一端分别连接在MOS管Q2的漏极上,电阻R4一端连接在二极管D3的阳极上,另一端与电容C2的第二端连接,所述MOS管的栅极与三极管Q1的集电极连接,二极管D3的阳极与三极管Q1的基极连接;或者是当MOS管Q2为P型时,三极管Q1为PNP型三极管,电容C3连接在基极和发射极之间,二极管D3的阳极和电容C2的第一端分别连接在MOS管Q2的漏极上,电阻R4一端连接在二极管D3的阴极上,另一端与电容C2的第二端连接,所述MOS管的栅极与三极管Q1的集电极连接,二极管D3的阴极与三极管Q1的基极连接。...

【技术特征摘要】
1.一种断电保护电路,包括有:第一输入端和第二输入端、用于接电源的两极,第一输出端和第二输出端、用于接负载的两端,开关K1,双向可控硅Q3,整流电路,充放电回路,开关电路和触发电路;所述开关K1连接于所述第一输入端与所述第一输出端之间,所述整流电路的输入端口从所述电源的一个电极接收电流,并将所述电流整流后经其输出端口输出,所述整流电路的输出端口、所述充放电回路的第一端口以及所述开关电路的控制端口相连,所述充放电回路的第二端口、所述开关电路的第一端口与所述第二输入端相连;所述触发电路的触发端口与所述开关电路的第二端口相连,所述双向可控硅Q3的阳极和阴极分别连接在第二输入端和第二输出端上,双向可控硅Q3的控制极连接在触发电路的第一端口上,触发电路的第二端口与所述第二输出端相连,其特征在于:所述开关电路包括有电阻R4和R7,二极管D3,电容C2和C3,三极管Q1和MOS管Q2,当MOS管Q2为N型时,三极管Q1为NPN型三极管,电容C3连接在基极和发射极之间,二极管D3的阴极和电容C2的第一端分别连接在MOS管Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑春开李英贤
申请(专利权)人:科都电气有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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