半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构包括：衬底、设置在衬底上方的管芯，以及包括：设置在管芯上方的管芯焊盘和设置在管芯的外围处并且与管芯焊盘电连接的密封环、设置在管芯上方的聚合物层、延伸穿过聚合物层并且与管芯焊盘电连接的通孔，和设置在衬底上方并且围绕管芯和聚合物层的模塑件，其中，密封环配置为接地。本发明专利技术的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
使用半导体器件的电子设备对许多现代应用至关重要。半导体器件应用于各种高密度的电子应用。随着电子技术的进步，由于集成电路的功能更强大和数量更多而同时其尺寸变得越来越小，电子设备变得越来越复杂。由于电子设备的规模微型化，履行不同功能的各种类型和尺寸的半导体器件集成和封装至单一模块中。此外，为了集成各个类型的半导体器件，执行许多制造操作。但是，半导体器件的制造和集成涉及许多复杂的步骤和操作。这样低轮廓且高密度的半导体器件的集成变得更复杂。半导体器件的制造和集成的复杂度的增加可能造成缺陷，诸如污染、电互连不佳、噪声耦合、部件的分层或高产量损失。集成和生产半导体器件为不期望的配置将进一步加剧材料损耗，并且因此增加制造成本。由于涉及更多具有不同材料的不同部件，半导体器件的制造和集成操作的复杂性增加。修改半导体器件的结构和改进制造操作的挑战更大。因此，需要不断地改进半导体器件的制造并解决以上缺陷。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；管芯，设置在所述衬底上方，并且包括管芯焊盘和密封环，所述管芯焊盘设置在所述管芯上方，所述密封环设置在所述管芯的外围处并且与所述管芯焊盘电连接；聚合物层，设置在所述管芯上方；通孔，延伸穿过所述聚合物层并且与所述管芯焊盘电连接；以及模塑件，设置在所述衬底上方并且围绕所述管芯和所述聚合物层，其中，所述密封环配置为接地。本专利技术的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：第一再分布层(RDL)，包括第一互连结构；介电层，设置在所述第一RDL上方；通孔，与所述第一互连结构电连接并且延伸穿过所述介电层；第二再分布层(RDL)，设置在所述介电层和所述通孔上方，并且包括通过所述通孔与所述第一互连结构电连接的第二互连结构；管芯，设置在所述第二RDL上方；以及源，与所述管芯电连接，配置为发射电磁辐射，并且设置在所述管芯和所述第一RDL之间，其中，所述第一RDL的所述第一互连结构和所述第二RDL的所述第二互连结构配置为吸收预定频率的电磁辐射。本专利技术的又一实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：接收衬底；在所述衬底上方设置管芯，其中，所述管芯包括管芯焊盘和密封环，所述管芯焊盘设置在所述衬底上方，所述密封环形成在所述管芯的外围处并且与所述管芯焊盘电连接；在所述管芯的所述管芯焊盘上方形成通孔；在所述管芯上方设置聚合物层；在所述衬底上方设置模塑件并且所述模塑件围绕所述管芯和所述聚合物层，其中，所述密封环配置为接地。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意地增大或缩小。图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图2是根据本专利技术的一些实施例的沿图1的AA'的半导体结构的示意性截面图。图3是根据本专利技术的一些实施例的沿图1的BB'的半导体结构的示意性截面图。图4是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图5是根据本专利技术的一些实施例的沿图4的CC'的半导体结构的示意性截面图。图6是根据本专利技术的一些实施例的沿图4的DD'的半导体结构的示意性截面图。图7是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图8是根据本专利技术的一些实施例的沿图7的EE'的半导体结构的示意性截面图。图9是根据本专利技术的一些实施例的沿图7的FF'的半导体结构的示意性截面图。图10是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图11是根据本专利技术的一些实施例的沿图10的GG'的半导体结构的示意性截面图。图12是根据本专利技术的一些实施例的沿图10的HH'的半导体结构的示意性截面图。图13是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图14是根据本专利技术的一些实施例的沿图13的II'的半导体结构的示意性截面图。图15是根据本专利技术的一些实施例的沿图13的JJ'的半导体结构的示意性截面图。图16是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图17是根据本专利技术的一些实施例的沿图16的KK'的半导体结构的示意性截面图。图18是根据本专利技术的一些实施例的沿图16的LL'的半导体结构的示意性截面图。图19是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图20是根据本专利技术的一些实施例的沿图19的MM'的半导体结构的示意性截面图。图21是根据本专利技术的一些实施例的沿图19的NN'的半导体结构的示意性截面图。图22是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图23是根据本专利技术的一些实施例的沿图22的OO'的半导体结构的示意性截面图。图24是根据本专利技术的一些实施例的沿图22的PP'的半导体结构的示意性截面图。图25是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。图26是根据本专利技术的一些实施例的沿图25的QQ'的半导体结构的示意性截面图。图27是根据本专利技术的一些实施例的沿图25的RR'的半导体结构的示意性截面图。图28是根据本专利技术的一些实施例的图25至图27的半导体结构的示意性分解图。图29是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。图30A至图30I是根据本专利技术的一些实施例的通过图29的方法制造半导体结构的示意图。图31是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。图32A至图32G是根据本专利技术的一些实施例的通过图31的方法制造半导体结构的示意图。图33是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。图34A至图34G是根据本专利技术的一些实施例的通过图33的方法制造半导体结构的示意图。图35是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。图36A至图36O是根据本专利技术的一些实施例的通过图35的方法制造半导体结构的示意图。图37是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。图38A至图38O是根据本专利技术的一些实施例的通过图37的方法制造半导体结构的示意图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。通过一些操作制造包括各种半导体器件的电子设备。在制造期间，具有不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：衬底；管芯，设置在所述衬底上方，并且包括管芯焊盘和密封环，所述管芯焊盘设置在所述管芯上方，所述密封环设置在所述管芯的外围处并且与所述管芯焊盘电连接；聚合物层，设置在所述管芯上方；通孔，延伸穿过所述聚合物层并且与所述管芯焊盘电连接；以及模塑件，设置在所述衬底上方并且围绕所述管芯和所述聚合物层，其中，所述密封环配置为接地。

【技术特征摘要】
2015.08.31 US 14/840,8081.一种半导体结构，包括：衬底；管芯，设置在所述衬底上方，并且包括管芯焊盘和密封环，所述管芯焊盘设置在所述管芯上方，所述密封环设置在所述管芯的外围处并且与所述管芯焊盘电连接；聚合物层，设置在所述管芯上方；通孔，延伸穿过所述聚合物层并且与所述管芯焊盘电连接；以及模塑件，设置在所述衬底上方并且围绕所述管芯和所述聚合物层，其中，所述密封环配置为接地。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述密封环沿着所述管芯的所述外围延伸以至少部分地包围所述管芯的中心部分。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述密封环可连接至地。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述通孔设置在所述管芯焊盘上方并且由所述聚合物层围绕。5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：再分布层(RDL)，设置在所述管芯和所述模塑件上方，并且包括与所述通孔、所述管芯焊盘和所述密封环电连接的互连结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述RDL的所述互连结构配置为接地或可连接至地。7.一种半导体结构，包括：第一再分布层(RDL)，包括第一互连结构；介电层，设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤子君，张守仁，陈韦廷，林胤藏，陈颉彦，王垂堂，吴凯强，吕俊麟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71