对数型非线性金属锥探针制造技术

一种高空间分辨率、高灵敏度、能产生强纵向偏振电场的对数型非线性金属纳米锥探针。该探针由对数型金属纳米非线性锥形结构构成，当入射光(特别是径向偏振光)照射对数型非线性金属纳米锥探针底面时，入射光能量转化为表面等离激元，等离激元沿非线性金属纳米锥弯曲表面传播，并压缩至顶端形成高度局域增强的电磁场分布，从而得到强纳米聚焦。本发明专利技术可用作扫描近场显微镜、原子力显微镜等扫描探针显微镜以及针尖增强拉曼光谱仪的探针，在单分子成像、热辅助磁记录、纳米传感、纳米成像、纳米光刻和纳米操纵等诸多领域有重要应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光学和光电
，涉及纳米光电器件、表面等离子体激发、纳米聚焦和矢量场，特别是一种高空间分辨率、高灵敏度、能产生强纵向偏振电场的金属光电探针。
技术介绍
产生具有大纵向偏振电场分量的纳米聚焦强场，对于提高单分子成像、热辅助磁记录、纳米光刻及诱发热电子至关重要。目前已有多种增强纳米聚焦的金属结构，其中最常用的是金属纳米线性锥形结构，但是线性纳米结构的聚焦存在局限性，能通过改变曲率半径对光场进行聚焦，不具有非线性特性，使得对表面等离激元的研究和应用存在局限性。因此我们提出研究对数型非线性金属纳米锥结构。
技术实现思路
本专利技术目的是为产生具有大纵向偏振电场分量的纳米聚焦矢量场，提供一种高空间分辨率和高灵敏度的对数型非线性金属纳米锥探针。本专利技术提供的高空间分辨率和高灵敏度的对数型非线性金属纳米锥探针，由对数型金属纳米非线性锥形结构构成，该探针在柱状坐标系的结构方程h(ρ,θ)为：其中：ρ和θ分别是柱状坐标系下的半径和角度，h0是预设的高度参数，R是底面半径，h0和R的大小在纳米量级。N为对数型非线性因子，且24≤N≤27，N为正整数。所述的对数型非线性金属纳米锥探针。当入射光(特别是径向偏振光)照射对数型金属纳米锥探针底面时，在金属表面激发表面等离激元，并沿着对数型非线性金属纳米锥的弯曲表面向顶端传播，并不断压缩和聚焦，形成高度局域的纳米聚焦强场。所述的对数型非线性金属纳米锥探针，由于该探针的结构为对数型非线性结构，表面等离激元沿曲面表面传播在顶端形成强度达4个数量级的纳米聚焦电场。所述的对数型非线性金属纳米锥探针，在金属材料和其结构参数确定的条件下，通过改变对数型非线性因子N可以得到不同强度增强的纳米聚焦场，且强度均可达4个数量级。本专利技术的优点和积极效果：本专利技术提供的对数型非线性金属纳米锥探针，当入射光(特别是径向偏振光)照射探针底面时，在其底面的边缘激发表面等离激元，等离激元沿着锥的弯曲表面向顶端传播，并不断旋转、压缩和聚焦，在顶端形成纳米聚焦的高局域强电场。该聚焦电场不仅具有很大的纵向偏振分量，有利于提高纳米探测和成像的灵敏度，有利于实现纳米粒子的操纵和筛选。另一方面，通过改变对数型非线性金属纳米锥结构的非线性因子N可以实现纳米聚焦电场的调控。本专利技术可用作扫描近场显微镜、原子力显微镜等扫描探针显微镜以及针尖增强拉曼光谱仪的高分辨率和高灵敏度探针。本专利技术在单分子成像、热辅助磁记录、纳米传感、纳米成像、纳米光刻和纳米操纵等诸多领域有重要应用价值。附图说明图1是高空间分辨率和高灵敏度的对数型非线性金属锥探针结构图。其中：(a)是对数型非线性金属锥探针的主剖视图；(b)是对数型非线性金属锥探针的右剖视图；(c)是对数型非线性金属锥探针的俯视图。图2是当总高度h＝600nm时，对数型非线性金属锥探针产生的纳米聚焦。其中：(a)和(b)分别是电场E在xz和yz平面的强度分布图，其在探针顶端形成纳米聚焦；(c)是在探针焦点附近所在xz平面上|E|2的强度分布。图3是当24≤N≤27，对数型非线性金属纳米锥的增强因子与N的关系图。具体实施方式实施例1如图1所示，一种高空间分辨率、高灵敏度、能产生强纵向偏振电场的对数型纳米金属非线性锥形探针，该探针由对数型金属纳米非线性锥形结构构成，该探针在柱状坐标系下的结构方程h(ρ,θ)为：其中：ρ和θ是柱状坐标系下的半径和角度，h0是预设的高度参数，R是底面半径，h0和R的大小在纳米量级。N为对数型非线性因子，且24≤N≤27，N为正整数。本专利技术中对数型非线性金属锥探针的制作可采用电化学的方法来实现。其具体步骤如下：(1)利用氨水的腐蚀性以及可编程的电机控制金属丝的刻蚀出现一个线性锥形结构；(2)利用高氯酸，将线性的锥进行二次刻蚀，利用可编程的电机控制速度，使不同的位置出现不同程度的刻蚀，从而得到一个非线性的锥。具体应用实例1对数型非线性金属锥探针的具体参数以如下为例：材料为银，入射波长λinc＝800nm，此时其相对介电常数εm＝-30.1495+0.3932i，选取h0＝600nm，R＝300nm，N＝25，入射光为径向偏振光。图2是N＝25时对数型非线性金属纳米锥探针产生的纳米聚焦，其电场的最大强度为15527a.u.，其纵向分量|Ez|2为7942a.u.，占51.15％。图2中(a)和(b)分别是电场E在xz和yz平面的强度分布图，其在探针顶端形成纳米聚焦；(c)是在探针焦点附近所在xz平面上|E|2的强度分布。图3是当24≤N≤27时，对数型非线性金属纳米锥的增强因子与N的关系图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能提高空间分辨率和灵敏度以及能产生强纵向偏振电场对数型非线性金属纳米锥探针，其特征在于该对数型非线性金属纳米锥探针由金属纳米非线性锥形结构构成，该探针在柱状坐标系下的结构方程h(ρ,θ)为：其中：ρ和θ分别是柱状坐标系下的半径和角度，h0是预设的高度参数，R是底面半径，N为对数型非线性因子，且24≤N≤27，N为正整数，h0和R的大小在纳米量级；当入射光，特别是径向偏振光照射对数型非线性金属纳米锥探针底面时，在金属表面激发表面等离激元，并沿着对数型非线性金属纳米锥的弯曲表面向顶端传播，并不断压缩和聚焦，形成高度局域的纳米聚焦强场。

【技术特征摘要】
2016.08.05 CN 20161064094441.一种能提高空间分辨率和灵敏度以及能产生强纵向偏振电场对数型非线性金属纳米锥探针，其特征在于该对数型非线性金属纳米锥探针由金属纳米非线性锥形结构构成，该探针在柱状坐标系下的结构方程h(ρ,θ)为：其中：ρ和θ分别是柱状坐标系下的半径和角度，h0是预设的高度参数，R是底面半径，N为对数型非线性因子，且24≤N≤27，N为正整数，h0和R的大小在纳米量级；当入射光，特别是径向偏振光照...

【专利技术属性】
技术研发人员：匡登峰，程芳，董立群，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：天津;12