湿式蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种湿式蚀刻装置。此湿式蚀刻装置包含转盘、第一酸液供应单元与第二酸液供应单元。其中，转盘用以承载晶圆。第一酸液供应单元设置在晶圆的上表面的上方，且第二酸液供应单元邻设于第一酸液供应单元。第一酸液供应单元以沿着晶圆的上表面并通过转盘轴心的方式移动。前述的第二酸液供应单元具有顶面、至少一个供应通道与底面，且每个供应通道分别连通顶面与底面。第二酸液供应单元不设置在第一酸液供应单元的移动路径上。本实用新型专利技术的湿式蚀刻装置可控制晶圆蚀刻的表面均匀度，并提升其控制精准度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种湿式蚀刻装置，特别涉及一种可控制表面均匀度的湿式蚀刻装置。
技术介绍
摆脱公知二维的电路传导，通过电路的三维堆叠，所制得的集成电路可促使电子元件能朝微小化更蓬勃发展。其中，为了达成电路的三维堆叠，本
中一般技术人员均致力于研究光微影工艺，以改良其中沉积步骤、曝光步骤、显影步骤与蚀刻步骤等技术，而提升电路堆叠的传导效能，并进一步降低集成电路的技术节点。其中，依据蚀刻技术的不同，前述的蚀刻步骤又可区分为湿式蚀刻与干式蚀刻。在湿式蚀刻中，一般是利用酸液腐蚀材料上所欲去除的材料。湿式蚀刻装置一般可将晶圆浸置于酸液槽中，以湿蚀刻晶圆，而去除不需要的部分。惟，当晶圆浸置于酸液槽时，由于酸液属于等向性蚀刻，故浸置时间与酸液浓度等工艺参数均须精准控制，以避免晶圆因过蚀现象，而降低所制得晶圆的效能。虽然前述的湿蚀刻方法可通过控制参数条件来避免过蚀现象，惟其不适用于越趋精细发展的集成电路。因此，为了满足精细化的趋势，湿式蚀刻装置是将晶圆放置于可旋转的转盘上，并以酸液供应装置朝晶圆的表面供应酸液。然后，旋转转盘，并通过旋转所产生的离心力，将酸液甩开，以覆盖并蚀刻晶圆的表面。惟，受限于离心力的作用力，晶圆的边缘区域往往具有较差的蚀刻效率，而使所制得晶圆的表面均匀度无法满足应用的需求。为了进一步改善边缘区域的表面均匀度，使用者可通过移动前述的酸液供应装置，调整晶圆的表面均匀度。然而，为了满足多样化的应用需求，各区域的晶圆表面须具有不同的表面均匀度，而使得湿蚀刻步骤的参数越趋复杂，进而难以满足品质要求，并限制技术的发展。有鉴于此，亟须提供一种湿式蚀刻装置，以改进公知湿式蚀刻装置之缺陷。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
因此，本技术的一方面是在提供湿式蚀刻装置，通过额外设置第二酸液供应单元，而可控制晶圆蚀刻的表面均匀度。根据本技术的一方面，提出一种湿式蚀刻装置。此蚀刻装置包含转盘、第一酸液供应单元与第二酸液供应单元。转盘用以承载晶圆。第一酸液供应单元设置在晶圆的上表面的上方，且第一酸液供应单元以沿着晶圆的上表面并通过转盘的轴心的方式移动。第一酸液供应单元的第一出液端与上表面具有第一距离，且第一酸液供应单元朝晶圆的上表面至少供应第一酸液。前述的第二酸液供应单元邻设于第一酸液供应单元。第二酸液供应单元具有顶面、至少一个供应通道与底面，且每一个供应通道分别连通顶面与底面。其中，供应通道的第二出液端沿着晶圆的径向分布于底面上，且每一个第二出液端与上表面分别具有第二距离。第二酸液供应单元朝晶圆的上表面至少供应第二酸液，且第二酸液供应单元不设置在第一酸液供应单元的移动路径上。依据本技术的一实施例，前述晶圆的圆心对齐转盘的轴心。依据本技术的一个或多个实施例，前述的第一酸液供应单元具有至少一个酸液供应管，且此至少一个酸液供应管分别供给不同的第一酸液。依据本技术的一个或多个实施例，前述的第二酸液供应单元以平行于第一酸液供应单元的移动路径移动。依据本技术的一个或多个实施例，当前述供应通道为多个时，每一个供应通道彼此连通。依据本技术的一个或多个实施例，前述最远离轴心的第二出液端对准晶圆的边缘。依据本技术的一个或多个实施例，前述第二酸液供应单元的底面不平行于晶圆的上表面。依据本技术的一个或多个实施例，前述的第一酸液相同于第二酸液。依据本技术的一个或多个实施例，前述的第一距离相等于第二距离。依据本技术的一个或多个实施例，此湿式蚀刻装置还包含酸液回收单元。此酸液回收单元围绕转盘与晶圆，而可回收转盘旋转飞溅的第一酸液与第二酸液。应用本技术的湿式蚀刻装置，其通过设置第二酸液供应单元，而可控制晶圆蚀刻的表面均匀度，并提升其控制精准度，进而可根据需求调整晶圆中各区域的表面均匀度。附图说明为了对本技术的实施例及其优点有更完整的理解，现请参照以下的说明并配合相应的附图。必须强调的是，各种特征并非依比例描绘且仅是为了图解目的。相关附图内容说明如下：图1为绘示依照本技术的一实施例的的湿式蚀刻装置的俯视图。图2为绘示沿着图1的A-A’剖切线剖切的本技术的一实施例的湿式蚀刻装置的侧视图。具体实施方式以下仔细讨论本技术实施例的制造和使用。然而，可以理解的是，实施例提供许多可应用的新型概念，其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论的特定实施例仅供说明，并非用以限定本技术的范围。请同时参照图1与图2，其中图1为绘示依照本技术的一实施例的湿式蚀刻装置的俯视图，且图2为绘示沿着图1的A-A’剖切线剖切的本技术的一实施例的湿式蚀刻装置的侧视图。在一实施例中，此装置100可包含转盘110、第一酸液供应单元120与第二酸液供应单元130。转盘110用以承载晶圆111，且转轴110a与转盘110的轴心110b固接。其中，当马达(未绘示)使转轴110a旋转时，通过转轴110a的旋转带动，转盘110可以轴心110b为中心产生旋转。优选地，晶圆111的圆心111b对齐转盘110的轴心110b。在一实施例中，晶圆111可通过真空吸附、黏胶贴附、利用转盘固定件夹持、其它适当的固定方法或上述方法的任意组合来固定于转盘110上。惟须说明的是，此处所言的“晶圆111固定于转盘110上”是指于转盘110旋转时，晶圆111须固定于转盘110上，以避免晶圆111因离心力而飞离。换言之，前述的固定方法须使晶圆111克服转盘110旋转产生的离心力。在此实施例中，前述晶圆111固定于转盘110的方法可为临时性的固定，而在湿式蚀刻及/或其它接续的处理步骤后，晶圆111可自转盘110上卸下。前述的第一酸液供应单元120系设置在晶圆111的上表面111a的上方。优选地，前述的第一酸液供应单元120对准转盘110的轴心110b。第一酸液供应单元120朝晶圆111的上表面111a供应第一酸液，且第一酸液供应单元120的第一出液端120a与晶圆111的上表面111a具有第一距离T1。在一实施例中，依据第一距离T1的远近，第一酸液可在晶圆111的上表面111a蚀刻出不同的表面形貌，而调整晶圆111的表面均匀度。举例而言，第一距离T1越大(即出液端120a与上表面111a的距离越远)时，受到重力与酸液落下高度的影响，第一酸液对于上表面111a的冲击越大，而可蚀刻较多的材料，进而降低此区域(亦即出液端120a所对准的晶圆区域)的残留晶圆厚度；反的，第一酸液对于上表面111a的冲击越小，而蚀刻较少的材料，进而增加此区域的残留晶圆厚度。如图2所示，第一酸液供应单元120具有一酸液供应管121。据此，第一酸液可由酸液储存槽(未绘示)输送至酸液供应管121中，并由出液端120a输出。其中，依据所需的表面形貌，第一酸液可以高压方式自出液端120a喷出，或者以常压方式自出液端120a自然流出，而使蚀刻后的晶圆具有不同的表面均匀度。在另一实施例中，第一酸液供应单元120也可选择性地具有多个酸液供应管，且这些酸液供应管分别可供应相同或不同的第一酸液，或者同时或不同时供应第一酸液。前述的第一酸液供应单元120以沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿式蚀刻装置，其特征在于，所述湿式蚀刻装置包含：转盘，用以承载晶圆；第一酸液供应单元，设置在所述晶圆的上表面的上方，其中所述第一酸液供应单元以沿着所述上表面并通过所述转盘的轴心的方式移动，所述第一酸液供应单元的第一出液端与所述上表面具有第一距离，且所述第一酸液供应单元朝所述上表面至少供应第一酸液；以及第二酸液供应单元，邻设于所述第一酸液供应单元，所述第二酸液供应单元具有顶面、至少一个供应通道与底面，每个供应通道分别连通所述顶面与所述底面，所述至少一个供应通道的第二出液端沿着所述晶圆的径向分布于所述底面上，其中每个所述第二出液端与所述上表面分别具有第二距离，所述第二酸液供应单元朝所述上表面至少供应第二酸液，且所述第二酸液供应单元不设置在所述第一酸液供应单元的移动路径上。

【技术特征摘要】
1.一种湿式蚀刻装置，其特征在于，所述湿式蚀刻装置包含：转盘，用以承载晶圆；第一酸液供应单元，设置在所述晶圆的上表面的上方，其中所述第一酸液供应单元以沿着所述上表面并通过所述转盘的轴心的方式移动，所述第一酸液供应单元的第一出液端与所述上表面具有第一距离，且所述第一酸液供应单元朝所述上表面至少供应第一酸液；以及第二酸液供应单元，邻设于所述第一酸液供应单元，所述第二酸液供应单元具有顶面、至少一个供应通道与底面，每个供应通道分别连通所述顶面与所述底面，所述至少一个供应通道的第二出液端沿着所述晶圆的径向分布于所述底面上，其中每个所述第二出液端与所述上表面分别具有第二距离，所述第二酸液供应单元朝所述上表面至少供应第二酸液，且所述第二酸液供应单元不设置在所述第一酸液供应单元的移动路径上。2.如权利要求1所述的湿式蚀刻装置，其特征在于，所述晶圆的圆心对齐所述转盘的轴心。3.如权利要求1所述的湿式蚀刻装置，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏左将，
申请(专利权)人：顶程国际股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71