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一种过电流防护电路制造技术

技术编号:14772471 阅读:119 留言:0更新日期:2017-03-08 15:40
本发明专利技术公开了一种过电流防护电路,第一场效应管的漏极与分压电路的一端、第三电阻的一端相连且分别通过第四电阻、第五电阻与第二场效应管的漏极、第三场效应管的漏极相连,第三场效应管的栅极与其的源极相连且同时连接在电源上,分压电路的另一端接地第三电阻的另一端同时与三极管的基极和集电极相连,三极管的发射极接地,第四电阻的另一端连接在第一场效应管的源极上,所述的第一场效应管的漏极接地,栅极连接在比较器的输出端上,比较器的一个输入端与三极管集电极相连,另一端连接在分压电路之间,可控硅整流器的一端连接在第三场效应管的源极上,另一端同时连接在第二场效应管的栅极上且接地,其电路结构简单,且可实现对大电流的防护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域,具体地,涉及一种过电流防护电路
技术介绍
电子设备在使用过程中,会受到很多外界的干扰,譬如,浪涌。浪涌主要是指电源刚开通的那一瞬间产生的强力脉冲,他很可能使电路在浪涌的一瞬间烧坏,如PN结电容击穿,电阻烧断等等。浪涌等干扰的电流极大,对电子设备的顺坏极大。而现有的过电流防护电路仅仅是并联大小电容或者串联电感,但是,在某些情况下,其不能将大电流泄放完全掉。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述技术问题提供一种过电流防护电路,其电路结构简单,且可实现对大电流的防护。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案是:一种过电流防护电路,其特征在于:包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、可控硅整流器、分压电路、第三电阻、第四电阻、第五电阻、比较器和三极管,所述的第一场效应管的漏极与分压电路的一端、第三电阻的一端相连且分别通过第四电阻、第五电阻与第二场效应管的漏极、第三场效应管的漏极相连,所述的第三场效应管的栅极与其的源极相连且同时连接在电源上,所述的分压电路的另一端接地,所述的第三电阻的另一端同时与三极管的基极和集电极相连,所述的三极管的发射极接地,所述的第四电阻的另一端连接在第一场效应管的源极上,所述的第一场效应管的漏极接地,栅极连接在比较器的输出端上,所述的比较器的一个输入端与三极管集电极相连,另一端连接在分压电路之间,所述的可控硅整流器的一端连接在第三场效应管的源极上,另一端同时连接在第二场效应管的栅极和源极上且接地。作为优选,所述的分压电路包括第一电阻和第二电阻,所述的第一电阻和第二电阻相串联。作为优选,所述的第一场效应管和第三场效应管均为P型场效应管,所述的第二场效应管为N型场效应管。综上,本专利技术的有益效果是:1、本专利技术的大电流防护电路,其电路结构简单,易于实现,成本低廉。2、本专利技术的大电流防护电路可实现对大电流的完全泄放,有效的对电子设备进行保护。具体实施方式下面结合实施例,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。实施例1:一种过电流防护电路,其特征在于:包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、可控硅整流器、分压电路、第三电阻、第四电阻、第五电阻、比较器和三极管,所述的第一场效应管的漏极与分压电路的一端、第三电阻的一端相连且分别通过第四电阻、第五电阻与第二场效应管的漏极、第三场效应管的漏极相连,所述的第三场效应管的栅极与其的源极相连且同时连接在电源上,所述的分压电路的另一端接地,所述的第三电阻的另一端同时与三极管的基极和集电极相连,所述的三极管的发射极接地,所述的第四电阻的另一端连接在第一场效应管的源极上,所述的第一场效应管的漏极接地,栅极连接在比较器的输出端上,所述的比较器的一个输入端与三极管集电极相连,另一端连接在分压电路之间,所述的可控硅整流器的一端连接在第三场效应管的源极上,另一端同时连接在第二场效应管的栅极和源极上且接地。实施例2:本实施例在上述实施例的基础上做了细化,即所述的分压电路包括第一电阻和第二电阻,所述的第一电阻和第二电阻相串联。所述的第一场效应管和第三场效应管均为P型场效应管,所述的第二场效应管为N型场效应管。如上所述,可较好的实现本专利技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过电流防护电路,其特征在于:包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、可控硅整流器、分压电路、第三电阻、第四电阻、第五电阻、比较器和三极管,所述的第一场效应管的漏极与分压电路的一端、第三电阻的一端相连且分别通过第四电阻、第五电阻与第二场效应管的漏极、第三场效应管的漏极相连,所述的第三场效应管的栅极与其的源极相连且同时连接在电源上,所述的分压电路的另一端接地,所述的第三电阻的另一端同时与三极管的基极和集电极相连,所述的三极管的发射极接地,所述的第四电阻的另一端连接在第一场效应管的源极上,所述的第一场效应管的漏极接地,栅极连接在比较器的输出端上,所述的比较器的一个输入端与三极管集电极相连,另一端连接在分压电路之间,所述的可控硅整流器的一端连接在第三场效应管的源极上,另一端同时连接在第二场效应管的栅极和源极上且接地。

【技术特征摘要】
1.一种过电流防护电路,其特征在于:包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、可控硅整流器、分压电路、第三电阻、第四电阻、第五电阻、比较器和三极管,所述的第一场效应管的漏极与分压电路的一端、第三电阻的一端相连且分别通过第四电阻、第五电阻与第二场效应管的漏极、第三场效应管的漏极相连,所述的第三场效应管的栅极与其的源极相连且同时连接在电源上,所述的分压电路的另一端接地,所述的第三电阻的另一端同时与三极管的基极和集电极相连,所述的三极管的发射极接地,所述的第四电阻的另一端连接在第一场效应管的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱晓霞
申请(专利权)人:邱晓霞
类型:发明
国别省市:四川;51

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