GOA电路制造技术

技术编号:14771402 阅读:173 留言:0更新日期:2017-03-08 15:00
本发明专利技术涉及一种GOA电路。该GOA电路包括级联的多个GOA电路单元,其中第n级GOA电路单元包括:第一薄膜晶体管(T1),第二薄膜晶体管(T2),第三薄膜晶体管(T3),第四薄膜晶体管(T4),第五薄膜晶体管(T5),第六薄膜晶体管(T6),第七薄膜晶体管(T7),第八薄膜晶体管(T8),第九薄膜晶体管(T9),第十薄膜晶体管(T10),第一电容(C1)及第二电容(C2)。本发明专利技术的GOA电路在现有的GOA电路基础上增加T9、T10 2个TFT,无需D2U和U2D控制信号的配合就可以实现正反向扫描功能,这对于更窄边框的设计起到一定的帮助作用;同时该GOA电路对应的驱动时序简单,可以降低IC成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器领域,尤其涉及一种GOA电路
技术介绍
阵列基板行驱动(GateDriverOnArray,简称GOA)技术是利用现有薄膜晶体管液晶显示器阵列(Array)制程将栅极(Gate)行扫描驱动信号电路制作在阵列基板上,实现对栅极逐行扫描的驱动方式的一项技术。在GOA电路设计都需要具有正反向扫描功能,而现在的普遍做法就是在GOA电路单元中增加U2D和D2U正反向扫描单元:正向扫描时,正向扫描控制信号U2D为高电平,反向扫描控制信号D2U为低电平;反向扫描时,反向扫描控制信号D2U为高电平,正向扫描控制信号U2D为低电平。而这种方式就需要芯片(IC)具有输出该信号的功能,对IC的可选择性有一定的限制,同时由于D2U和U2D的存在,在布局(Layout)设计时对更窄边框的设计也存在一定的限制作用,同时这种电路架构对应的IC成本相对较高。参见图1,其为现有的GOA电路示意图,可用于LTPS面板。现有的GOA电路包括级联的多个GOA电路单元,其中输出第n级水平扫描信号的第n级GOA电路单元包括:薄膜晶体管T1,其栅极连接第n-2级GOA电路单元的信号输出点Gn-2,源极和漏极分别连接节点H和输入正向扫描控制信号U2D;薄膜晶体管T2,其栅极连接节点Q,源极和漏极分别连接第n级GOA电路单元的信号输出点Gn和输入时钟信号CKV1;薄膜晶体管T3,其栅极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点Gn+2,源极和漏极分别连接节点H和输入反向扫描控制信号D2U;薄膜晶体管T4,其栅极连接节点P,源极和漏极分别连接信号输出点Gn和恒压低电位VGL;薄膜晶体管T5,其栅极连接恒压高电位VGH,源极和漏极分别连接节点H和节点Q;薄膜晶体管T6,其栅极连接节点P,源极和漏极分别连接节点H和恒压低电位VGL;薄膜晶体管T7,其栅极连接节点H,源极和漏极分别连接节点P和恒压低电位VGL;薄膜晶体管T8,其栅极输入时钟信号CKV3,源极和漏极分别连接节点P和恒压高电位VGH;电容C1,其两端分别连接节点Q和信号输出点Gn;电容C2,其两端分别连接节点P和恒压低电位VGL。节点Q为用于控制栅极驱动信号输出的点;节点P为用于维持Q点及Gn点低电平的稳定点。图1中虚线框部分即为GOA电路的正反向扫描单元。参见图2,其为图1的GOA电路正向扫描时序示意图,现结合图1,对电路的具体工作过程(正向扫描)介绍如下:正向扫描时:U2D为高电平,D2U为低电平;阶段1,预充电:Gn-2与U2D同时为高电平,T1导通,H点被预充电。当H点为高电平时,T5处于导通状态,Q点被预充电。当H点为高电平时,T7处于导通状态,P点被拉低;阶段2,Gn输出高电平:在阶段1中,Q点被预充电,C1对电荷具有一定的保持作用,T2处于导通状态,CKV1的高电平输出到Gn端;阶段3,Gn输出低电平:C1对Q点的高电平具有保持作用,而此时CKV1的低电平将Gn点拉低;阶段4,Q点拉低到VGL:当Gn+2为高电平,此时D2U为低电平,T3处于导通的状态,那么Q点被拉低到VGL;阶段5,Q点及Gn点低电平维持阶段:当Q点变为低电平后,T7处于截止状态,当CKV3跳变为高电平时T8导通,P点被充电,那么T4和T6均处于导通的状态,可以保证Q点及Gn点低电平的稳定,同时C2对P点的高电平具有一定的保持作用。参见图3,其为图1的GOA电路反向扫描时序示意图,现结合图1,对电路的具体工作过程(反向扫描)介绍如下:反向扫描时:D2U为高电平,U2D为低电平;阶段1,预充电:Gn+2与D2U同时为高电平,T3导通,H点被预充电。当H点为高电平时,T5处于导通状态,Q点被预充电。当H点为高电平时,T7处于导通状态,P点被拉低;阶段2,Gn输出高电平:在阶段1中,Q点被预充电,C1对电荷具有一定的保持作用,T2处于导通状态,CKV1的高电平输出到Gn端;阶段3,Gn输出低电平:C1对Q点的高电平具有保持作用,而此时CKV1的低电平将Gn点拉低;阶段4,Q点拉低到VGL:当Gn-2为高电平时,此时U2D为低电平,T1处于导通的状态,那么Q点被拉低到VGL;阶段5,Q点及Gn点低电平维持阶段:当Q点变为低电平后,T7处于截止状态,当CKV3跳变为高电平时T8导通,P点被充电,那么T4和T6均处于导通的状态,可以保证Q点及Gn点低电平的稳定,同时C2对P点的高电平具有一定的保持作用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种GOA电路,实现正反向扫描功能而无需D2U和U2D控制信号的配合。为实现上述目的,本专利技术提供了一种GOA电路,包括级联的多个GOA电路单元,其中第n级GOA电路单元包括:第一薄膜晶体管,其栅极连接恒压高电位,第一源极/漏极连接第n-2级GOA电路单元的信号输出点,第二源极/漏极连接第九薄膜晶体管的第一源极/漏极;第九薄膜晶体管,其栅极连接第n-2级GOA电路单元的信号输出点,第二源极/漏极连接第三节点;第三薄膜晶体管,其栅极连接恒压高电位,第一源极/漏极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点,第二源极/漏极连接第十薄膜晶体管的第一源极/漏极;第十薄膜晶体管,其栅极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点,第二源极/漏极连接第三节点;第七薄膜晶体管,其栅极连接第三节点,源极和漏极分别连接第二节点和恒压低电位;第六薄膜晶体管,其栅极连接第二节点,源极和漏极分别连接第三节点和恒压低电位;第五薄膜晶体管,其栅极连接恒压高电位,源极和漏极分别连接第三节点和第一节点;第八薄膜晶体管,其栅极输入第二时钟信号,源极和漏极分别连接第二节点和恒压高电位;第二薄膜晶体管,其栅极连接第一节点,源极和漏极分别连接第n级GOA电路单元的信号输出点和输入第一时钟信号;第一电容,其两端分别连接第一节点和第n级GOA电路单元的信号输出点;第四薄膜晶体管,其栅极连接第二节点,源极和漏极分别连接第n级GOA电路单元的信号输出点和恒压低电位;第二电容,其两端分别连接第二节点和恒压低电位。其中,该第一时钟信号和第二时钟信号为占空比为0.25的矩形波,该第一时钟信号和第二时钟信号的相位相差二分之一周期。其中,对于第1级GOA电路单元,正向扫描开始时,该第n-2级GOA电路单元的信号输出点输入高电平信号作为启动信号。其中,对于第2级GOA电路单元,正向扫描开始时,该第n-2级GOA电路单元的信号输出点输入高电平信号作为启动信号。其中,对于倒数第1级GOA电路单元,反向扫描开始时,该第n+2级GOA电路单元的信号输出点输入高电平信号作为启动信号。其中,对于倒数第2级GOA电路单元,反向扫描开始时,该第n+2级GOA电路单元的信号输出点输入高电平信号作为启动信号。其中,其为LTPS面板的GOA电路。其中,其为OLED面板的GOA电路。综上,本专利技术的GOA电路无需D2U和U2D控制信号的配合就可以实现正反向扫描功能,这对于更窄边框的设计起到一定的帮助作用;同时该GOA电路对应的驱动时序简单,可以降低IC成本。附图说明下面结合附图,通过对本专利技术的具体实施方式详细描述,将使本专利技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中,图1为现有的GOA电路示意图;图2为图1的GOA电路正向扫描时序示意图;图本文档来自技高网
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GOA电路

【技术保护点】
一种GOA电路,其特征在于,包括级联的多个GOA电路单元,其中第n级GOA电路单元包括:第一薄膜晶体管(T1),其栅极连接恒压高电位(VGH),第一源极/漏极连接第n‑2级GOA电路单元的信号输出点(Gn‑2),第二源极/漏极连接第九薄膜晶体管(T9)的第一源极/漏极;第九薄膜晶体管(T9),其栅极连接第n‑2级GOA电路单元的信号输出点(Gn‑2),第二源极/漏极连接第三节点(H);第三薄膜晶体管(T3),其栅极连接恒压高电位(VGH),第一源极/漏极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点(Gn+2),第二源极/漏极连接第十薄膜晶体管(T10)的第一源极/漏极;第十薄膜晶体管(T10),其栅极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点(Gn+2),第二源极/漏极连接第三节点(H);第七薄膜晶体管(T7),其栅极连接第三节点(H),源极和漏极分别连接第二节点(P)和恒压低电位(VGL);第六薄膜晶体管(T6),其栅极连接第二节点(P),源极和漏极分别连接第三节点(H)和恒压低电位(VGL);第五薄膜晶体管(T5),其栅极连接恒压高电位(VGH),源极和漏极分别连接第三节点(H)和第一节点(Q);第八薄膜晶体管(T8),其栅极输入第二时钟信号(CKV3),源极和漏极分别连接第二节点(P)和恒压高电位(VGH);第二薄膜晶体管(T2),其栅极连接第一节点(Q),源极和漏极分别连接第n级GOA电路单元的信号输出点(Gn)和输入第一时钟信号(CKV1);第一电容(C1),其两端分别连接第一节点(Q)和第n级GOA电路单元的信号输出点(Gn);第四薄膜晶体管(T4),其栅极连接第二节点(P),源极和漏极分别连接第n级GOA电路单元的信号输出点(Gn)和恒压低电位(VGL);第二电容(C2),其两端分别连接第二节点(P)和恒压低电位(VGL)。...

【技术特征摘要】
1.一种GOA电路,其特征在于,包括级联的多个GOA电路单元,其中第n级GOA电路单元包括:第一薄膜晶体管(T1),其栅极连接恒压高电位(VGH),第一源极/漏极连接第n-2级GOA电路单元的信号输出点(Gn-2),第二源极/漏极连接第九薄膜晶体管(T9)的第一源极/漏极;第九薄膜晶体管(T9),其栅极连接第n-2级GOA电路单元的信号输出点(Gn-2),第二源极/漏极连接第三节点(H);第三薄膜晶体管(T3),其栅极连接恒压高电位(VGH),第一源极/漏极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点(Gn+2),第二源极/漏极连接第十薄膜晶体管(T10)的第一源极/漏极;第十薄膜晶体管(T10),其栅极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点(Gn+2),第二源极/漏极连接第三节点(H);第七薄膜晶体管(T7),其栅极连接第三节点(H),源极和漏极分别连接第二节点(P)和恒压低电位(VGL);第六薄膜晶体管(T6),其栅极连接第二节点(P),源极和漏极分别连接第三节点(H)和恒压低电位(VGL);第五薄膜晶体管(T5),其栅极连接恒压高电位(VGH),源极和漏极分别连接第三节点(H)和第一节点(Q);第八薄膜晶体管(T8),其栅极输入第二时钟信号(CKV3),源极和漏极分别连接第二节点(P)和恒压高电位(VGH);第二薄膜晶体管(T2),其栅极连接第一节点(Q),源极和漏极分别连接第n级GOA电路单元的信号输出点(Gn)和输入第一时钟信号(CKV1);第一电容(C1)...

【专利技术属性】
技术研发人员:李亚锋
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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