发光装置制造方法及图纸

技术编号:14769541 阅读:96 留言:0更新日期:2017-03-08 13:38
一种发光装置,包括一绝缘基板、多个发光二极管芯片以及一图案化导电层。绝缘基板具有一上表面。发光二极管芯片配置于绝缘基板上,且位于上表面上。发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内,且至少有两个发光二极管芯片的主要发光波长不同。图案化导电层配置于绝缘基板与发光二极管芯片之间,且与发光二极管芯片电性接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置,尤其涉及一种以发光二极管芯片作为光源的发光装置。
技术介绍
发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来,发光二极管已朝高功率发展,因此其应用领域已扩展至道路照明、大型户外看板、交通指示灯及相关领域。在未来,发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。一般来说,当高功率的发光二极管芯片发出高亮度的光线时,会产生大量的热能。倘若热能无法逸散而不断地堆积在发光二极管芯片内,发光二极管芯片的温度会持续地上升。如此一来,发光二极管芯片可能会因为过热而导致亮度衰减及使用寿命缩短,严重者甚至造成永久性的损坏。再者,为了符合各行各业的需求,制造商大多会同时制造不同尺寸、电压、发光波长或是亮度的发光二极管芯片,由于需制作的规格多元,因此容易发生发光二极管芯片库存的问题,进而造成库存成本增加。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光装置,其利用多个芯片混搭的方式来提供各种波长、电压或是亮度的需求。本专利技术提出一种发光装置,其包括一绝缘基板、多个发光二极管芯片以及一图案化导电层。绝缘基板具有一上表面。发光二极管芯片配置于绝缘基板上,且位于上表面上。发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内,且至少有两个发光二极管芯片的主要发光波长不同。图案化导电层配置于绝缘基板与发光二极管芯片之间,且与发光二极管芯片电性接触。在本专利技术的一实施例中,上述的至少两个发光二极管芯片的主要发光波长的差值大于等于5纳米。在本专利技术的一实施例中,上述的发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片,且特定色光为蓝光。在本专利技术的一实施例中,上述的主要发光波长的范围为430纳米至490纳米之间。在本专利技术的一实施例中,上述的发光二极管芯片为绿光发光二极管芯片,且特定色光为绿光。在本专利技术的一实施例中,上述的主要发光波长的范围为490纳米至570纳米之间。在本专利技术的一实施例中,上述的发光二极管芯片为红光发光二极管芯片,且特定色光为红光。在本专利技术的一实施例中,上述的主要发光波长的范围为610纳米至700纳米之间。在本专利技术的一实施例中,上述的图案化导电层与一外部电路电性连接。在本专利技术的一实施例中,上述的图案化导电层包括:内连接线路以及外连接线路。内连接线路对应于该些发光二极管芯片而设置,通过内连接线路使该些发光二极管芯片以串联和/或并联的方式而彼此电性连接。外连接线路设置于内连接线路的外侧,通过外连接线路而电性连接内连接线路与外部电路。在本专利技术的一实施例中,上述的发光装置还包括至少一导电连接结构,连接于图案化导电层与外部电路之间。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘基板的比热高于650J/Kg-K。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘基板的热传导系数大于10W/m-K。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘基板为一透明绝缘基板,其中材质包括玻璃、砷化镓、碳化硅氮化铝、氮化镓或蓝宝石。在本专利技术的一实施例中,上述的发光二极管芯片包括覆晶式发光二极管芯片。在本专利技术的一实施例中,上述的图案化导电层内埋于绝缘基板的上表面。在本专利技术的一实施例中,上述的图案化导电层配置于绝缘基板的上表面上。基于上述,本专利技术是将相同特定色光且至少两个主要发光波长不同的发光二极管芯片设置于绝缘基板上,即通过亮度高的芯片搭配与亮度低的芯片,来达成具有平均亮度的发光装置,同样地,也可接此技术运用在波长混搭上,通过长发光波长的芯片搭配短发光波长的芯片,来达成具有平均波长的发光装置,藉此来满足客户的各类需求。再者,由于本专利技术采用绝缘基板来作为发光二极管芯片的承载板,因此可将发光二极管芯片所产生的热传递出来并置纳于绝缘基板中,以降低热能堆积在发光二极管芯片内所衍生的发光效率下降的问题。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A为本专利技术的一实施例的一种发光装置的立体示意图;图1B为沿图1A的线I-I的剖面示意图;图1C为本专利技术的一实施例的一种发光装置的上视图;图1D为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的剖面示意图;图2为本专利技术的一实施例的一种发光装置的立体示意图;图3为本专利技术的一实施例的一种发光装置的立体示意图。附图标记:100a、100a’、100b、100c:发光装置;110:绝缘基板;112:上表面;122a、124a、126a、128a:发光二极管芯片;122b、124b、126b、128b:发光二极管芯片;122c、124c、126c、128c:发光二极管芯片;130:导电接点;140、140’:图案化导电层;142:内连接线路;144:外连接线路;150:导电连接结构;160:外部电路。具体实施方式图1A为本专利技术的一实施例的一种发光装置的立体示意图。图1B为沿图1A的线I-I的剖面示意图。为了方便说明起见,图1A中省略显示图案化导电层、导电连接结构及外部电路。请同时参考图1A与图1B,在本实施例中,发光装置100a包括一绝缘基板110、多个发光二极管芯片122a、124a、126a、128a(图1A中仅示意地显示4个)以及一图案化导电层140。详细来说,为了让绝缘基板110来置纳发光过程中发光二极管芯片122a、124a、126a、128a所产生的热能,降低热能堆积在芯片122a、124a、126a、128a而产生的发光效率下降的问题,因此绝缘基板110的比热需高于650J/Kg-K,亦或是通过绝缘基板的热传导系数大于10W/m-K以上,将堆积在芯片122a、124a、126a、128a的热能快速向外传递。再者,为了增加光取出效率,必须避免发光层123b所发出的光线被基板吸收,因此绝缘基板110a为透明的绝缘基板。举例来说,绝缘基板110a可以是玻璃基板、砷化镓基板、氮化镓基板、氮化铝基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等,较佳者为蓝宝石基板。发光二极管芯片122a、124a、126a、128a配置于绝缘基板110上,且位于上表面112上,其中发光二极管芯片122a、124a、126a、128a例如是覆晶式发光二极管芯片。图案化导电层140配置于绝缘基板110与发光二极管芯片122a、124a、126a、128a之间,且与发光二极管芯片122a、124a、126a、128a电性接触。更具体来说,图案化导电层140配置于绝缘基板110的上表面112上,且发光二极管芯片122a、124a、126a、128a其通过多个导电接点130与位于绝缘基板110上的图案化导电层140电性连接。请进一步参阅图1C,图1C为本专利技术的一实施例的一种发光装置的上视图。为了方便说明起见,图1C中省略显示发光二极管芯片、导电连接结构及外部电路。图案化导电层140配置于绝缘基板110的上表面112上,图案化导电层140包括:内连接线路142以及外连接线路144,通过内连接线路142使可使发光二极管芯片彼此以串联和/或并联的形式连接(图1C中仅示意地显示串联形式),而外连接线路144则设置于内连接线路142的外侧,便于与外部电路作电性连接。特别是,本实施例的发光二极管芯片122a、124a、126a、128a的主要发光波长在一特定色光的波长范围内,且至少有两个发光二极本文档来自技高网...
发光装置

【技术保护点】
一种发光装置,包括:一绝缘基板;多个发光二极管芯片,配置于所述绝缘基板上,其中所述多个发光二极管芯片的主要发光波长属于同一色光且其平均值为WA,所述多个发光二极管芯片中的主要发光波长最大者或最小者与平均值WA具有一差值WD,其中WD不大于10纳米;以及一图案化导电层,配置于所述绝缘基板与所述多个发光二极管芯片之间,且与所述多个发光二极管芯片电性接触。

【技术特征摘要】
2011.12.08 TW 1001453311.一种发光装置,包括:一绝缘基板;多个发光二极管芯片,配置于所述绝缘基板上,其中所述多个发光二极管芯片的主要发光波长属于同一色光且其平均值为WA,所述多个发光二极管芯片中的主要发光波长最大者或最小者与平均值WA具有一差值WD,其中WD不大于10纳米;以及一图案化导电层,配置于所述绝缘基板与所述多个发光二极管芯片之间,且与所述多个发光二极管芯片电性接触。2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述差值WD不大于等于3纳米。3.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述色光为蓝光或红光。4.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述图案化导电层包括:一内连接线路,对应于所述多个发光二极管芯片而设置,通过所述内连接线路使所述多个发光二极管芯片彼此电性连接;以及一外连接线路,设置于所述内连接线路的外侧。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏柏仁李允立施怡如陈正言许国君
申请(专利权)人:新世纪光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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