衬底处理装置及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

技术编号:14766188 阅读:49 留言:0更新日期:2017-03-08 10:32
提高具有多个处理室的处理装置的生产率的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括:能够处理衬底的多个处理室;能够向多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部;能够向多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部;能够对多个处理室的任一方或全部进行排气的排气部;和控制部,以如下方式控制处理气体供给部、吹扫气体供给部和排气部,即,在向多个处理室中的一个处理室输送衬底、不向该一个处理室以外的至少一个其他处理室输送衬底时,与向一个处理室供给所述处理气体并行地,向其他处理室供给吹扫气体,并对一个处理室和其他处理室进行排气。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法
技术介绍
在近年来的半导体器件制造中,推进少批量(少lot)多品种化。希望提高该少批量多品种制造的生产率。作为响应该要求的手法之一,有在具有多个处理室的单片式装置中提高生产率的方法。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题由于设于处理装置的处理室的数量与处理片数的不一致,存在生产率降低的技术问题。本专利技术的目的在于提供一种能够提高具有多个处理室的处理装置的生产率的技术。用于解决问题的手段根据一方案,提供如下技术:包括:能够处理衬底的多个处理室;能够向多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部;能够向多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部;能够对多个处理室的任一方或全部进行排气的排气部;和控制部,以如下方式控制处理气体供给部、吹扫气体供给部和排气部,即,在向多个处理室中的一个处理室输送衬底、不向该一个处理室以外的至少一个其他处理室输送衬底时,与向一个处理室供给所述处理气体并行地,向其他处理室供给吹扫气体,并对一个处理室和其他处理室进行排气。专利技术效果根据本专利技术的技术,能够提高具有多个处理室的处理装中的生产率。附图说明图1是一实施方式涉及的衬底处理系统的横剖面的简图。图2是一实施方式涉及的衬底处理系统的纵剖面的简图。图3是一实施方式涉及的衬底处理系统的真空输送机械装置的简图。图4是一实施方式涉及的衬底处理装置的结构简图。图5是一实施方式涉及的腔室的纵剖面的简图。图6是一实施方式涉及的衬底处理系统的控制器的结构简图。图7是一实施方式涉及的第一衬底处理工序的流程图。图8是一实施方式涉及的第一衬底处理工序的顺序图。图9是一实施方式涉及的第二衬底处理工序的流程图。图10是一实施方式涉及的第二衬底处理工序的顺序图。图11是在一实施方式涉及的衬底处理系统进行的衬底处理工序的流程图。图12是另一实施方式涉及的衬底处理装置的结构简图。附图标记的说明100···腔室110···处理组件200···晶片(衬底)201···处理室202···处理容器211···载置面212···衬底载置台215···外周面232a···第一缓冲空间232b···第二缓冲空间234···簇射头234a···第一的分散孔234b···第二的分散孔234c···第三的分散孔234d···第四的分散孔241a···第一气体导入口241b···第二气体导入口1000···衬底处理系统1100···IO工作台1200···大气输送室1220···第一输送机械装置(大气输送机械装置)1300···加载互锁室1400···真空输送室1700···第二输送机械装置(真空输送机械装置)具体实施方式<第一实施方式>以下,基于附图说明本专利技术的第一实施方式。以下,说明本实施方式涉及的衬底处理系统。(1)衬底处理系统的构成使用图1~图4说明本专利技术的一实施方式涉及的衬底处理系统的概要结构。图1是表示本实施方式涉及的衬底处理系统的构成例的横剖面图。图2是表示本实施方式涉及的衬底处理系统的构成例的图1的α-α’纵剖面图。图3是说明了图1的机械臂的详细情况的说明图。图4是图1的β-β’纵剖面图,说明向处理组件供给的气体供给系统的说明图。图5是说明设于处理组件的腔室的说明图。在图1和图2中,适用本专利技术的衬底处理系统1000是对晶片200进行处理的系统,主要由IO工作台1100、大气输送室1200、加载互锁室1300、真空输送室1400、处理组件110构成。接着具体说明各构成。在图1的说明中,前后左右分别是X1方向为右,X2方向为左,Y1方向为前,Y2方向为后。需要说明的是,在晶片200的表面形成半导体元器件,在衬底处理系统1000中进行半导体元器件制造的一工序。在此,半导体元器件是指包括集成电路、电子元件单体(电阻元件、线圈元件、电容元件、半导体元件)中的任一个或多个。此外,也可以是半导体元器件的制造中途所必须的虚设膜。(大气输送室·IO工作台)IO工作台(装载端口)1100设置于衬底处理系统1000的跟前。在IO工作台1100上搭载有多个晶舟1001。晶舟1001用作为输送硅(Si)衬底等衬底200的载体,在晶舟1001内分别以水平姿势保存多个未处理的衬底200或处理完毕的衬底200。在晶舟1001设有盖部1120,由后述的晶舟开启件1210开闭。晶舟开启件1210将载置于IO工作台1100的晶舟1001的盖部1120开闭,将衬底出入口开放或关闭,由此能够进行衬底200相对于晶舟1001的出入。晶舟1001通过未图示的工序内输送装置(RGV)而相对于IO工作台1100供给和排出。IO工作台1100与大气输送室1200相邻。大气输送室1200在与IO工作台1100不同的面连结后述的加载互锁室1300。在大气输送室1200内设置有作为移载衬底200的第一输送机械装置的大气输送机械装置1220。如图2所示,大气输送机械装置1220构成为通过设置于大气输送室1200的升降机1230而升降,并构成为通过线性执行机构1240而向左右方向往返移动。如图2所示,在大气输送室1200的上部设有供给清洁气体的清洁单元1250。此外,如图1所示,在大气输送室1200的左侧设有用于将形成于衬底200的槽口或定向平面对准的装置(以下,记作预对准器)1260。如图1和图2所示,大气输送室1200的壳体1270的前侧设有用于将衬底200相对于大气输送室1200搬入搬出的衬底搬入搬出口1280和晶舟开启件1210。IO工作台(装载端口)1100设置在隔着衬底搬入搬出口1280与晶舟开启件1210相反一侧、即壳体1270的外侧。晶舟开启件1210将载置于IO工作台1100的晶舟1001的盖部1001a开闭,将衬底出入口打开或封闭,由此能够实现衬底200相对于晶舟1001的出入。晶舟1001通过未图示的工序内输送装置(RGV)而被相对于IO工作台1100供给、排出。在大气输送室1200的壳体1270的后侧设有用于将晶片200相对于加载互锁室1300搬入搬出的衬底搬入搬出口1290。衬底搬入搬出口1290通过被后述的闸阀1330打开、封闭,由此能够进行晶片200的出入。(加载互锁(L/L)室)加载互锁室1300与大气输送室1200相邻。如后所述,真空输送室1400配置在构成加载互锁室1300的壳体1310所具有的面中的、不同于大气输送室1200的面。由于壳体1310内的压力与大气输送室1200的压力和真空输送室1400的压力相应地会发生变动,因此加载互锁室1300被构成为可耐负压的构造。壳体1310中的与真空输送室1400相邻的一侧设有衬底搬入搬出口1340。衬底搬入搬出口1340被闸阀1350打开或关闭,由此可进行晶片200的出入。而且,在加载互锁室1300内设有具有至少两个用于载置晶片200的载置面1311(1311a、1311b)的衬底载置台1320。衬底载置面1311之间的距离根据后述的真空输送机械装置1700所具有的指形件之间的距离而设定。(真空输送室)衬底处理系统1000具备作为输送室的真空输送室(传输组件)1400,其成为在负压下输送衬底200的输送空间。构成真空输送室1400的壳体1410在俯视下本文档来自技高网...
衬底处理装置及半导体器件的制造方法

【技术保护点】
一种衬底处理装置,包括:能够处理衬底的多个处理室;能够向所述多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部;能够向所述多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部;能够对所述多个处理室的任一方或全部进行排气的排气部;和控制部,以如下方式控制所述处理气体供给部、所述吹扫气体供给部和所述排气部,即,在向所述多个处理室中的一个处理室输送衬底、不向该一个处理室以外的至少一个其他处理室输送衬底时,与向所述一个处理室供给所述处理气体并行地,向所述其他处理室供给吹扫气体,并对所述一个处理室和所述其他处理室进行排气。

【技术特征摘要】
2015.08.27 JP 2015-1678591.一种衬底处理装置,包括:能够处理衬底的多个处理室;能够向所述多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部;能够向所述多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部;能够对所述多个处理室的任一方或全部进行排气的排气部;和控制部,以如下方式控制所述处理气体供给部、所述吹扫气体供给部和所述排气部,即,在向所述多个处理室中的一个处理室输送衬底、不向该一个处理室以外的至少一个其他处理室输送衬底时,与向所述一个处理室供给所述处理气体并行地,向所述其他处理室供给吹扫气体,并对所述一个处理室和所述其他处理室进行排气。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为:在一边所述排气部对所述多个处理室全部进行排气、一边向所述一个处理室供给所述处理气体时,以使得所述其他处理室的排气流导变得与所述一个处理室的排气流导相等的方式向所述其他处理室供给所述吹扫气体。3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为:以使所述吹扫气体的流量为与所述处理气体的流量相同的量的方式,控制所述吹扫气体供给部。4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,具有能够向所述多个处理室分别供给反应气体的反应气体供给部,所述控制部构成为:以如下方式控制所述处理气体供给部、所述吹扫气体供给部和所述反应气体供给部,即,在向所述一个处理室依次供给所述处理气体、所述吹扫气体和所述反应气体的情况下,与该处理气体、该吹扫气体和该反应气体的供给并行地向所述其他处理室供给所述非活性气体。5.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,具有向与所述多个处理室的全部处理室连接的排气管供给吹扫气体的排气管吹扫气体供给部,所述控制部构成为:以与向所述一个处理室的处理气体供给并行地向所述其他处理室的排气部供给吹扫气体的方式...

【专利技术属性】
技术研发人员:广地志有
申请(专利权)人:株式会社日立国际电气
类型:发明
国别省市:日本;JP

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