【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求享有于2015年9月2日提交的第10-2015-0124230号韩国专利申请的优先权,通过引用将其公开内容全部并入本文。
技术介绍
本专利技术构思涉及半导体器件,并且更具体地涉及半导体存储器件。因为电阻式存储器件之中的磁阻式随机存取存储器(MRAM)可以高速地执行写操作和读操作,是非易失性的,并且具有较低功耗,所以MRAM可以使用在数据存储器件中。MRAM可以在可变电阻器元件中存储数据,该可变电阻器元件可以是存储单元的磁阻器元件。MRAM可以基于主单元的可变电阻器元件以及参考单元的可变电阻器元件来标识主单元的数据。因为参考单元的可变电阻值可能由于连续的读操作而改变,所以在参考单元中可能造成可变电阻分散(dispersion),并且主单元的数据感测容限可能降低。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供一种半导体存储器件,其可以通过使存储单元阵列中的参考单元的可变电阻器元件短路并且提供参考电阻器来增加主单元的感测容限。根据本专利技术构思的一些实施例,半导体存储器件包括主存储单元阵列、参考存储单元阵列以及参考电阻器电路。所述主存储单元阵列包括第一电阻式存储单元,第一电阻式存储单元分别包含第一单元晶体管以及连接在第一单元晶体管与第一位线之间的第一可变电阻器元件。所述参考存储单元阵列包括第二电阻式存储单元,第二电阻式存储单元分别包含第二晶体管以及连接在第二晶体管与第二位线之间的第二可变电阻器元件。所述第二可变电阻器元件包括电短路(electricalshort)。所述参考电阻器电路包括耦接到第二位线的至少一个参考电阻器。根据本专利技术构思的一些方 ...
【技术保护点】
一种半导体存储器件,包含:以行和列布置的多个电阻式存储单元,所述多个电阻式存储单元中的每一个包含单元晶体管和可变电阻器元件;第一存储单元阵列,其包含连接到分别对应于行的多个字线中的一个的第一单元晶体管以及连接到分别对应于列的多个第一位线中的一个的第一可变电阻器元件;第二存储单元阵列,其包含连接到所述多个字线中的一个的第二单元晶体管以及连接到对应于列中的一个的第二位线的第二可变电阻器元件,其中所述第二可变电阻器元件被短路;以及连接到第二位线的参考电阻器。
【技术特征摘要】
2015.09.02 KR 10-2015-01242301.一种半导体存储器件,包含:以行和列布置的多个电阻式存储单元,所述多个电阻式存储单元中的每一个包含单元晶体管和可变电阻器元件;第一存储单元阵列,其包含连接到分别对应于行的多个字线中的一个的第一单元晶体管以及连接到分别对应于列的多个第一位线中的一个的第一可变电阻器元件;第二存储单元阵列,其包含连接到所述多个字线中的一个的第二单元晶体管以及连接到对应于列中的一个的第二位线的第二可变电阻器元件,其中所述第二可变电阻器元件被短路;以及连接到第二位线的参考电阻器。2.如权利要求1所述的半导体存储器件,还包含连接到所述多个第一位线中的一个以及第二位线的感测放大器。3.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述第二可变电阻器元件包含磁性隧道结(MTJ)元件,其中,所述MTJ元件基于击穿电压而被短路。4.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述第二可变电阻器元件与导电通孔元件并联地连接,所述导电通孔元件包含通孔洞中的导电材料。5.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述参考电阻器包括在参考电阻器控制电路中,其中,所述参考电阻器控制电路包含:多个电阻器;以及分别并联地连接到所述多个电阻器的晶体管,其中,所述晶体管被配置为响应于修整信号而选择性地使所述多个电阻器短路。6.如权利要求5所述的半导体存储器件,其中,所述修整信号在测试半导体存储器件的过程期间施加。7.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述电阻式存储单元包含自旋转移矩-磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)单元、磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元、相变随机存取存储器(PRAM)单元以及电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元中的至少一个。8.一种半导体存储器件,包含:以行和列布置的多个电阻式存储单元,所述多个电阻式存储单元中的每一个包含单元晶体管和可变电阻器元件;第一存储单元阵列,其包含连接到分别对应于行的多个字线中的一个的第一单元晶体管以及连接到分别对应于列的多个第一位线中的一个的第一可变电阻器元件;第二存储单元阵列,其包含连接到所述多个字线中的一个的第二单元晶体管以及连接到对应于列中的一个的第二位线的第二可变电阻器元件,其中,所述第二位线连接到第二单元晶体管与第二可变电阻器元件之间的连接节点;以及连接到第二位线的参考电阻器。9.如权利要求8所述的半导体存储器件,还包含连接到所述多个第一位线中的一个以及第二位线的感测放大器。1...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐辅永,表锡洙,高宽协,李龙圭,金大植,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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