半导体器件及其制造方法技术

技术编号:14765488 阅读:84 留言:0更新日期:2017-03-08 09:00
本发明专利技术的实施例提供了一种包括半导体管芯的半导体器件。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。存在耦合至集成半导体封装件并且配置为用于该半导体封装件的接地端子的接触件。该半导体器件还具有基本封闭集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩,其中,该EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径耦合于该接触件。本发明专利技术的实施例还提供了制造半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及半导体领域,更具体地涉及半导体器件及其制造方法
技术介绍
当前,电子设备对于我们的日常生活是不可或缺的,其涉及并包含很多的电子组件。在电子工业中,由管芯组成的电子组件被广泛地应用到多种电子装备和应用中。随着电子工业的进步,电子组件的小型化和更高功能日渐突出。对电子组件的小型化和更高功能的要求导致更复杂且更密集的配置。电子工业的主要趋势是使得电子组件更轻、更小、更多功能、更强大、更可靠且更便宜。因此,晶圆级封装(WLP)技术已获得越来越多的人心。这种技术提供了对电子组件在晶圆级上的制造,并且被广泛的应用以便满足对电子组件的小型化和更高功能的持续要求。随着晶圆级封装的应用和复杂性增加,对于稳定性和可靠性存在更多的挑战。由此,持续寻求着对WLP的结构和方法的改进。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件,包括:半导体管芯;介电材料,围绕所述半导体管芯以形成集成半导体封装件;接触件,耦合至所述集成半导体封装件并且配置为用于所述集成半导体封装件的接地端子;以及电磁干扰(EMI)屏蔽罩,基本封闭所述集成半导体封装件,其中,所述电磁干扰屏蔽罩通过设置在所述集成半导体封装件中的路径与所述接触件耦合。本专利技术的实施例还提供了一种半导体器件,包括:半导体管芯;第一模塑,围绕所述半导体管芯的侧壁;介电层,位于所述模塑和所述半导体管芯上方;导电结构,位于所述介电层中,其中,所述导电结构包括电耦合至所述半导体管芯的导电迹线;第二模塑,位于所述介电层上方,其中,使所述第一模塑、所述介电层和所述第二模塑成型以形成集成半导体封装件;以及导电层,至少覆盖所述集成半导体封装件的外表面的一部分,其中,所述导电层电耦合至所述集成半导体封装件的接地端子。本专利技术的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体管芯;利用介电材料围绕所述半导体管芯的侧壁;在所述半导体管芯上方形成后钝化互连件(PPI)并且将所述后钝化互连件与所述半导体管芯电耦合;将所述半导体管芯和所述后钝化互连件成型到集成半导体封装件中;利用导电层覆盖所述集成半导体封装件的外表面的至少一部分,其中,所述导电层与所述外表面的所述部分的形貌共形;以及在所述集成半导体封装件内侧形成电耦合至所述集成半导体封装件的接地端子和所述导电层的导电路径。附图说明当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术。应该强调的是,根据工业中的标准实践,各种部件没有被按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。图1是根据一些实施例的抗电磁干扰(EMI)半导体器件。图1A是根据一些实施例的沿着图1中的AA’的截面图。图2是根据一些实施例的沿着图1A中的线BB’的半导体器件的俯视图。图3是根据一些实施例的抗电磁干扰半导体器件的截面图。图4是根据一些实施例的抗电磁干扰半导体器件的俯视图。图4A是根据一些实施例的抗电磁干扰半导体器件的一部分的俯视图。图5A是根据一些实施例的抗电磁干扰半导体器件的一部分的俯视图。图5B是根据一些实施例的抗电磁干扰半导体器件的一部分的俯视图。图5C是根据一些实施例的抗电磁干扰半导体器件的一部分的俯视图。图6是根据一些实施例的抗电磁干扰半导体器件的截面图。图6A至图6C是根据一些实施例的半导体器件的导电迹线的一部分。图7是根据一些实施例的抗电磁干扰半导体器件的截面图。图7A是根据一些实施例的图7中的抗电磁干扰半导体器件的俯视图。图8A至图8E分别表示根据一些实施例的若干抗电磁干扰半导体器件的截面图。图9A至图9G是根据一些实施例的制造抗电磁干扰半导体器件的方法的操作。图10A至图10B是根据一些实施例的制造抗电磁干扰半导体器件的方法的操作。图11A至图11D是根据一些实施例的制造抗电磁干扰半导体器件的方法的操作。图12A至图12D是根据一些实施例的制造抗电磁干扰半导体器件的方法的操作。图13A至图13C是根据一些实施例的制造抗电磁干扰半导体器件的方法的操作。具体实施方式为了实施本专利技术的不同部件,以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例。以下描述元件和布置的特定示例以简化本专利技术。当然这些仅仅是示例并不打算限定。例如,以下描述中第一部件形成在第二部件上可包括其中第一部件和第二部件以直接接触形成的实施例,并且也可包括其中额外的部件形成在第一部件和第二部件之间的实施例,使得第一和第二部件不直接接触。另外,本专利技术可以在各个实施例中重复参考数字和/或字母。这种重复只是为了简明的目的且其本身并不指定各个实施例和/或所讨论的结构之间的关系。此外,为便于描述,在本文中可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”等的空间相对位置术语,以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),并且因此可以对本文中使用的空间相对位置描述符作同样地解释。在本专利技术中,半导体器件设置成具有用于保护半导体组件免于外部EMI(电磁干扰)扰动的屏蔽罩。该半导体组件通过利用多输入(fan-in,或称为“扇入”)或多输出(fan-out,或称为“扇出”)技术操作而在晶圆级封装件上进行制造。该屏蔽罩是半导体器件的最外部的外壳并且将半导体组件基本围在半导体器件内侧。此外,该屏蔽罩还耦合至半导体器件的接地端子。在图1中,示出了抗EMI半导体器件100。该半导体器件100包括屏蔽罩105以覆盖居于其内侧的至少一个半导体组件。该屏蔽罩105能够防止或削弱外部EM,其可对半导体组件带来噪音。在本专利技术中,屏蔽罩105是不透明的,因此本文呈现沿着线AA’的截面以帮助进一步描述半导体器件100的内部。图1A是沿着AA’的截面图。在半导体器件100中,屏蔽罩105内侧的空间基本由集成半导体封装件所充满,该集成半导体封装件包括诸如填充物和半导体组件的材料。该集成半导体封装件包括定位在器件100内侧的半导体管芯101和被可选地选择以支撑半导体管芯101的衬底121。半导体管芯101的侧壁由第一层级介电层103所围绕。第一层级介电层103的顶面103a与半导体管芯101的顶面101a基本共面。第二层级104位于半导体管芯101的顶面101a上方。中间区域110夹在第一层级介电层103和第二层级介电层104之间。中间区域110的一部分还位于半导体管芯101和第二层级之间。电子组件102可以可选地插入到第二层级104中并且通过中间区域110中的导电结构与半导体管芯101电耦合。半导体管芯101和电子组件102集成以执行多种功能,诸如无线信号传输、数据处理、照明等。屏蔽罩105将外部EMI过滤掉以确保半导体器件100能够恰当地运行。屏蔽罩105共形地覆盖集成半导体封装件的外表面的至少一部分而不在其间产生任何间隙。如图1A中所示,屏蔽罩105共形地封闭集成半导体封装件的侧壁和顶面,而同时保留半导体管芯101的底部不被覆盖。可拆分衬底121布置在半导体管芯101下方以密封集成半导体封装件的底部。在一些实施例中,屏蔽罩105的形状遵循集成半导体封装件的外表面的至少一部分的形貌。中间区域110内侧的导电结构包括导电结构的至少两本文档来自技高网...
半导体器件及其制造方法

【技术保护点】
一种半导体器件,包括:半导体管芯;介电材料,围绕所述半导体管芯以形成集成半导体封装件;接触件,耦合至所述集成半导体封装件并且配置为用于所述集成半导体封装件的接地端子;以及电磁干扰(EMI)屏蔽罩,基本封闭所述集成半导体封装件,其中,所述电磁干扰屏蔽罩通过设置在所述集成半导体封装件中的路径与所述接触件耦合。

【技术特征摘要】
2015.08.28 US 14/839,0471.一种半导体器件,包括:半导体管芯;介电材料,围绕所述半导体管芯以形成集成半导体封装件;接触件,耦合至所述集成半导体封装件并且配置为用于所述集成半导体封装件的接地端子;以及电磁干扰(EMI)屏蔽罩,基本封闭所述集成半导体封装件,其中,所述电磁干扰屏蔽罩通过设置在所述集成半导体封装件中的路径与所述接触件耦合。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述路径包括在一端连接至所述电磁干扰屏蔽罩的导电迹线,并且所述导电迹线是所述集成半导体封装件的密封环的一部分。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述路径包括导电的隔离件贯通孔(TIV),其中,所述隔离件贯通孔从所述接触件向上延伸并穿过所述介电材料。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述路径包括嵌入在所述介电材料中的导电迹线,并且所述导电迹线在一端连接至所述电磁干扰屏蔽罩并且在另一端连接至导电的隔离件贯通孔(TIV),其中,所述隔离件贯通孔连接至所述接触件。5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述路径包括位于所述介电材料中并且耦合至所述电磁干扰屏蔽罩的导电保持件,其中,所述保持件邻近所述集成半导体封装件的外围。6.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括位于所述半导体管芯和所述介电材料上方的后钝化互连件(PPI),所述后钝化互连件包括:有源部,电耦合至所述半导体管芯;以及伪部,与所述半导体管芯隔离,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:张守仁吕俊麟吴凯强杨青峰陈颉彦王垂堂王彦评陈宪伟林韦廷
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1