【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有焊锡粒子的导电糊剂。本专利技术还涉及使用了上述导电糊剂的连接结构体及连接结构体的制造方法。
技术介绍
各向异性导电糊剂及各向异性导电膜等各向异性导电材料已广为人知。就上述各向异性导电材料而言,在粘合剂中分散有导电性粒子。为了获得各种连接结构体,上述各向异性导电材料已被用于例如挠性印刷基板与玻璃基板的连接(FOG(FilmonGlass))、半导体芯片与挠性印刷基板的连接(COF(ChiponFilm))、半导体芯片与玻璃基板的连接(COG(ChiponGlass))、以及挠性印刷基板与玻璃环氧基板的连接(FOB(FilmonBoard))等。在利用上述各向异性导电材料对例如挠性印刷基板的电极与玻璃环氧基板的电极进行电连接时,在玻璃环氧基板上配置含有导电性粒子的各向异性导电材料。接着,叠层挠性印刷基板,并进行加热及加压。由此,使各向异性导电材料固化,通过导电性粒子对电极间进行电连接,从而得到连接结构体。作为上述各向异性导电材料的一个例子,下述专利文献1中公开有一种粘接胶带,其包含含有热固化性树脂的树脂层、焊锡粉和固化剂,且上述焊锡粉和上述固化剂存在于上述树脂层中。该粘接带为膜状而不是糊状。另外,专利文献1中还公开有一种使用了上述粘接胶带的粘接方法。具体而言,对第一基板、粘接带、第二基板、粘接带及第三基板从下部开始依次进行叠层,从而得到叠层体。此时,使设置于第一基板表面上的第一电极和设于第二基板表面上的第二电极对置。另外,使设于第二基板表面上的第二电极和设于第三基板表面上的第三电极对置。而且,以指定的温度加热叠层体并进行粘接。由此,得到连接 ...
【技术保护点】
一种导电糊剂,其含有热固化性化合物及热固化剂作为热固化性成分,并含有多个焊锡粒子,所述热固化性化合物包含结晶性热固化性化合物,所述焊锡粒子是中心部分及导电性的外表面均为焊锡的粒子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.18 JP 2014-190049;2015.04.08 JP 2015-079261.一种导电糊剂,其含有热固化性化合物及热固化剂作为热固化性成分,并含有多个焊锡粒子,所述热固化性化合物包含结晶性热固化性化合物,所述焊锡粒子是中心部分及导电性的外表面均为焊锡的粒子。2.如权利要求1所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物在25℃下为固体。3.如权利要求1或2所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物的熔点为80℃以上且150℃以下。4.如权利要求1~3中任一项所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物的分子量为300以上且500以下。5.如权利要求1~4中任一项所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物是二苯甲酮型环氧化合物。6.如权利要求1~5中任一项所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物的结晶的平均长宽比为5以下。7.如权利要求1~6中任一项所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物的结晶的平均长径为所述焊锡粒子的平均粒径的1/1.5以下。8.如权利要求1~7中任一项所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物的结晶的平均长径为所述焊锡粒子的平均粒径的1/10以上。9.如权利要求1~8中任一项所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物的熔点比所述焊锡的熔点低。10.如权利要求1~9中任一项所述的导电糊剂,其含有助熔剂,所述结晶性热固化性化合物的熔点比所述助熔剂的活性温度低。11.如权利要求1~10中任一项所述的导电糊剂,其中,所述热固化性化合物的整体100重量%中,所述结晶性热固化性化合物的含量为10重量%以上。12.如权利要求1~11中任一项所述的导电糊剂,其不含填料,或者含有5重量%以下的填料。13.如权利要求1~12中任一项所述的导电糊剂,其中,所述结晶性热固化性化合物以粒子状分散在导电糊剂中。14.如权利要求1~13中任一项所述的导电糊剂,其含有与结晶性热固化性化合物不同的其它热固化性化合物。15.如权利要求1~14中任一项所述的导电糊剂,其中,所述焊锡粒子的平均粒径为1μm以上且60μm以下。16.如权利要求1~15中任一项所述的导电糊剂,其中,所述焊锡粒子的含量为10重量%以上且80重量%以下。17.一种连接结构体,其具备:表面具有至少一个第一电极的第一连接对象部件、表面具有至少一个第二电极的第二连接对象部件、将所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件连接在一起的连接部,所述连接部为权利要求1~16中任一项所述的导电糊剂的固化物,所述第一电极和所述第二电极通过所述连接部中的焊锡部实现了电连接。18.如权利要求17所述的连接结构体...
【专利技术属性】
技术研发人员:石泽英亮,斋藤谕,上野山伸也,
申请(专利权)人:积水化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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