薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列基板，显示器件，其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种包括源漏电极结构的薄膜晶体管(TFT)，TFT阵列基板，显示器件，及其制备方法。本发明专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括形成源漏电极结构。形成源漏电极结构包括以下步骤：在溅射室内用含有金属元素的靶形成至少一层金属膜；导入一种气体进入所述溅射室与所述金属元素进行反应，以在所述至少一层金属膜上形成防反射层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种薄膜晶体管，一种薄膜晶体管阵列基板，一种显示器件，及其制备方法。
技术介绍
近来，薄膜晶体管阵列被广泛应用于平板显示领域，特别是在有机发光二极管(OLED)显示领域。薄膜晶体管阵列通常包含多个具有源漏(S/D)金属层的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。然而，传统的源漏金属层有较强的光反射率。源漏金属层的高反射率容易造成后续加工工艺中曝光图形异常，尤其在高分辨率时，影响更大。本专利技术所公开的薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列，显示器件，及其制备方法可至少部分地减轻一个或多个如上所述的问题和其他问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成源漏电极结构。形成源漏电极结构包括以下步骤：在溅射室内用含有金属元素的靶形成至少一层金属膜；以及导入一种气体进入所述溅射室与所述金属元素进行原位反应，以在所述至少一层金属膜上形成防反射层。优选的是，所述防反射层的光反射率低于所述至少一层金属膜中的任一金属膜层。优选的是，控制导入所述溅射室的所述气体的浓度，以控制所形成的所述防反射层的光反射率。优选的是，所述防反射层的厚度范围为约10纳米到100纳米。优选的是，所述气体包含氮气；所述防反射层是所述金属元素的氮化物薄膜。优选的是，所述形成至少一层金属膜的步骤包括：形成含有第一金属元素的第一金属膜；以及在所述溅射室内用含有所述金属元素的所述靶，在所述第一金属膜上形成第二金属膜。优选的是，当在所述溅射室溅射形成所述第二金属膜时，导入所述气体进入所述溅射室以在所述第二金属膜上形成所述防反射层。优选的是，所述第一金属元素是铝元素。优选的是，所述源漏电极结构还包括在所述第一金属膜之下的含有第三金属元素的第三金属膜。优选的是，所述第一金属元素和所述第三金属元素是同一金属元素。优选的是，所述金属元素是钛元素。优选的是，所述防反射层包括氮化钛膜。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包含上述的薄膜晶体管的制备方法。优选的是，所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法包含：于所述源漏电极结构上方，形成与所述源漏电极结构电接触的像素电极层。本专利技术还提供了一种由上述的方法形成的薄膜晶体管。本专利技术的还提供了一种由上述的方法形成的薄膜晶体管阵列基板。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。附图说明图1为本专利技术实施例薄膜晶体管的切面结构的示意图；图2为本专利技术实施例薄膜晶体管的制造流程的示意图。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。在可能的情况下，附图中的各个部分提到的相同或相似的部分将采用相同的附图标记。本专利技术披露了一种薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列基板，显示器件，及其制备方法。一个示例性薄膜晶体管100的切面结构图可如图1所示。薄膜晶体管100可以是被用于薄膜晶体管阵列中。薄膜晶体管100可以是顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。图1是以顶栅型薄膜晶体管为例来说明本专利技术的结构细节，并不对本专利技术范围造成任何限制。如图所示，薄膜晶体管100可以包括：基底110，第一绝缘层120，有源层130，第二绝缘层140，栅电极150，钝化层160，以及源漏电极结构170。在不影响本专利技术中薄膜晶体管100的核心效能的情况下，所述结构中的某些层次或结构可以被省略掉，某些未提到的层次或结构也可以被包括进来。基底110可以为任何合适的基板。在某些实施例中，基底110可以为由玻璃、石英、塑料制成的光学透明基板。在另一些实施例中，基底110可以是由如聚萘(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酰亚胺(PI)等聚合物制成的柔性基板。作为另一些实例，基底110可以是由金属或合金制成的的金属箔基板。在某些实施方案中，基底110可以包括若干缓冲层和水氧阻隔层。在一些实施方案中，第一绝缘层120位于基底110之上。第一绝缘层120可以由下列的任意一种绝缘材料制成：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)、氧化钇(Y2O3)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氮化铝(AlN)、氧氮化铝(ALNO)、氧化钛(TiOx)、钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)、或它们的任意组合。在一些实施方案中，第一绝缘层120可具有任何合适的厚度，例如厚度可在50纳米和500纳米之间。在一些实施方案中，有源层130位于第一绝缘层120之上。有源层130可以为无机金属氧化物半导体薄膜。例如，有源层130可以由氮氧化物材料如ZnON构成。在一些实施方案中，有源层130可包括源区131、漏区137、位于源区131和漏区137之间的沟道区134，如图1所示。在一些实施例中，源区131和漏区137可以是重掺杂的区域，而沟道区134可以是非掺杂区。可选的，一种轻掺杂漏(LDD)结构可用于增加TFT沟道的长度。例如，LDD区可形成于沟道区134与漏区137之间。同样地，另一个轻掺杂区域可形成于沟道区134和源区131之间。在一些实施方案中，第二绝缘层140位于有源层130之上并且包围整个有源层130。第二绝缘层140可以由下列任意一种绝缘材料构成：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)、氧化钇(Y2O3)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氮化铝(AlN)、氮化铝(ALNO)、氧化钛(TiOx)、钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)、或它们之间的任意组合。在一些实施例中，第二绝缘层140可具有任何合适的厚度，例如厚度可以于50纳米和500纳米之间。栅电极150可以位于第二绝缘层140之上。在一些实施方案中，栅电极150可包括栅极缓冲层，栅电极层，和栅极覆盖层(未在图中示出)。例如，栅电极层可位于栅极缓冲层和栅极覆盖层之间。栅极覆盖层可以是在栅电极层的顶部。栅极缓冲层的厚度可为约100纳米或更小，例如在约20纳米至100纳米之间。栅极缓冲层，栅电极层和栅极覆盖层可以由相同或不同的导电材料制成。导电材料的非限制性实例可以包括一种或多种的金属材料和透明导电材料。所述金属材料可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)、铬(Cr)、钕(Nd)、锌(Zn)、钴(Co)、锰(Mn)、任何一种其混合物或其合金。所述透明导电材料可以是铟锡氧化物(ITO)、氧化铟锌(IZO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)等。栅极缓冲层，栅极电极层和栅极覆盖层可具有不同的物理性质。例如，栅电极层可由金属铜制成，而栅极缓冲层可有利于提供在栅电极层和下层(例如基底110)之间的粘附支持作用。又例如，栅极覆盖层可以用作扩散阻挡层以防止铜离子从所述栅电极层扩散。作为另一实例，栅极覆盖层可以是碳纳米管(CNT)单层，用以提供优越的输送通道。在某些实施方案中，栅极缓冲层和栅极覆盖层是可选的，或者可以省略。钝化层160位于第二绝缘层140和栅极电极150之上。钝化层160可包围栅电极层150。在一些实施方案中，钝化层160可以包括一层或多层绝缘膜。例如，钝化层160可以是氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(Si3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成源漏电极结构，包括以下步骤：在溅射室内用含有金属元素的靶形成至少一层金属膜；以及导入一种气体进入所述溅射室与所述金属元素进行原位反应，以在所述至少一层金属膜上形成防反射层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成源漏电极结构，包括以下步骤：在溅射室内用含有金属元素的靶形成至少一层金属膜；以及导入一种气体进入所述溅射室与所述金属元素进行原位反应，以在所述至少一层金属膜上形成防反射层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述防反射层的光反射率低于所述至少一层金属膜中的任一金属膜层。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：控制导入所述溅射室的所述气体的浓度，以控制所形成的所述防反射层的光反射率。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述防反射层的厚度范围为约10纳米到100纳米。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述气体包含氮气；以及所述防反射层是所述金属元素的氮化物薄膜。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述形成至少一层金属膜的步骤包括：形成含有第一金属元素的第一金属膜；以及在所述溅射室内用含有所述金属元素的所述靶，在所述第一金属膜上形成第二金属膜。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：当在所述溅射室溅射形成所述第二金属膜时，导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆小勇，李栋，李小龙，龙春平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11