【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本揭示内容涉及化学机械研磨,且更具体而言涉及修改基板厚度轮廓。
技术介绍
集成电路通常通过导电层、半导电层或绝缘层在硅晶片上的依序沉积而在基板上形成。各种制造工艺要求基板上的层的平坦化。例如,一个制造步骤涉及在非平面表面上沉积填料层,并将该填料层平坦化。对于特定的应用,该填料层被平坦化直到图案化层的顶表面暴露为止。例如,金属层可被沉积于图案化绝缘层上,以填充该绝缘层中的沟槽及孔洞。平坦化之后,在该图案化层的沟槽及孔洞中的金属的剩余部分形成了通孔、插头及接线,以提供基板上的薄膜电路之间的导电路径。化学机械研磨(CMP)是平坦化的一种公认方法。此平坦化方法通常要求基板被安装在承载头上。该基板的暴露表面通常被放置成抵靠旋转研磨垫。该承载头在背侧基板上提供可控制的负载,以将该基板的前侧推靠至该研磨垫。具有研磨颗粒的研磨浆料(slurry)通常被供应到研磨垫的表面。
技术实现思路
在可商购的研磨系统中,基板接收背侧压力,该背侧压力将基板的暴露表面推靠至旋转研磨垫。然而,该基板具有相对高的刚性(stiffness),导致基板的背侧上的压力被分散到该基板的前表面上的较大区域。例如,施加到该基板的背侧上的1mm直径点的压力可被分散以覆盖具有例如30mm直径的区域。作为结果,难以利用该背侧压力来精细地控制该基板的暴露表面上的压力分布。校正位于该暴露表面上的小区域内的不期望的尖峰或凹谷可能变得困难。一种用来解决此问题的技术是控制研磨垫抵靠基板的压力。在一个方面中,研磨系统包括支座以固持具有将被研磨的基板表面的基板、保持研磨垫与该基板表面接触的载体,以及压力施加器以用于在研磨垫的 ...
【技术保护点】
一种研磨系统,所述研磨系统包含:支座,以固持基板,所述基板具有将被研磨的基板表面;载体,以保持研磨垫的研磨表面与所述基板表面接触;以及压力施加器,以在所述研磨垫的背面的选定区域处施加压力,所述背面与所述研磨表面相对,其中所述压力施加器包括致动器及主体,所述主体经配置以由所述致动器移动来接触及不接触所述研磨垫的所述背面的所述选定区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.18 US 14/334,948;2014.07.18 US 62/026,2691.一种研磨系统,所述研磨系统包含:支座,以固持基板,所述基板具有将被研磨的基板表面;载体,以保持研磨垫的研磨表面与所述基板表面接触;以及压力施加器,以在所述研磨垫的背面的选定区域处施加压力,所述背面与所述研磨表面相对,其中所述压力施加器包括致动器及主体,所述主体经配置以由所述致动器移动来接触及不接触所述研磨垫的所述背面的所述选定区域。2.如权利要求1所述的研磨系统,其中所述载体经配置以固持所述研磨垫,所述研磨垫具有比所述基板更大的宽度,使得所述研磨垫接触基本上所有的所述基板。3.如权利要求2所述的研磨系统,其中所述载体经配置以仅在所述研磨垫的边缘处固定至所述研磨垫,以及所述边缘内的所述研磨垫的所述背面的剩余部分对于腔室中的流体是开放的。4.如权利要求1所述的研磨系统,其中所述压力施加器包含压力控制垫,所述压力控制垫相对于所述研磨垫可横向移动。5.如权利要求4所述的研磨系统,其中所述压力施加器包含一或更多个压力控制垫,每一个压力控制垫独立于其他的压力控制垫可横向移动。6.如权利要求4所述的研磨系统,其中所述压力施加器包含一对压力控制垫,当所述基板被所述基板支座固持时,所述一对压力控制垫可相对于所述基板表面的中心协调地移动。7.如权利要求1所述的研磨系统,其中所述压力施加器包含柔性环,所述柔性环具有顶部结构及底部结构,所述顶部结构具有固定直径,且所述底部结构具有横截面以用于接触所述研磨垫的所述背面且具有可调整的直径。8.如权利要求7所述的研磨系统,其中所述柔性环进一步包含肋部及移动机制,每个肋部在所述主体的相邻槽之间具有连接到所述移动机制的一端以及连接到所述主体的底部的另一端,其中所述移动机制经配置以沿着所述主体的长轴移动,以便调整所述主体在所述底部处的直径。9.一种研磨工具,包括:体块(bulk)研磨站,所述体块研磨站包括:可旋转平台,以支撑研磨制品,及承载头,以保持基板与所述研磨制品的研磨表面接触,所述基板具有基板表面,所述承载头具有一或更多个可控制区域;修改站,所述修改站包括:支座,以固持将被研磨的所述基板;载体,以保持研磨垫的研磨表面与所述基板表面接触;及压力施加器,以在所述研磨垫的背面的选定区域处施加压力,所述背面与所述研磨表面相对,其中所述压力施加器包括致动器及主体,所述主体经配置以由所述致动器移动来接触及不接触所述研磨垫的所述背面的选定区域;及转移机制,所述转移机制经配置以在所述体块研磨站与所述修改站之间转移所述基板。10.一种研磨的方法,所述方法包括以下步骤:使基板的表面与研磨垫的研磨表面接触,所述基板的表面包含一或更多个研磨不足的区域,所述研磨垫跨越所述基板的表面;将压力施加到所述研磨垫的背面的一或更多个选定区域,而基本上不施加压力至所述研磨表面的所述背面的剩余部分,所述背面与所述研磨表面相对,所述背面的一或更多个选定区域对应于所述一或更多个硏磨...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·古鲁萨米,H·C·陈,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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