温度控制系统技术方案

本实用新型专利技术公开一种温度控制系统，其包含一致冷芯片装置以及一储存装置。此储存装置包含一温度感测模块以及一控制模块，温度感测模块可定时测量储存装置的温度以产生一测量温度值，控制模块电性连接温度感测模块以及致冷芯片装置，控制模块可用以控制数据的存取以及从温度感测模块得知测量温度值。当测量温度值高于一第一门槛值时，控制模块开启致冷芯片装置的电源以降低储存装置的温度，当测量温度值低于一第二门槛值时，控制模块开启致冷芯片装置的电源，并将致冷芯片装置的直流电源正负极进行互换。该温度控制系统可以利用温度门槛值来对储存装置进行温度的控制，以有效延长储存装置的运转寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种温度控制系统，特别涉及一种能适用于一储存装置并对其进行升温或降温的控制系统。
技术介绍
由于固态硬盘的高速访问速度，其已渐渐成为人们使用计算机时储存数字数据的工具之一，而由于固态硬盘是用来储存数字数据，因此如何确保其能维持在一正常运作也成为一个极为重要的问题。影响固态硬盘寿命的其中一个主要因素为温度。温度的上升以及长期高温运行都会对固态硬盘的衰老产生巨大的加速作用。传统硬盘只能在摄氏5到55度的范围内工作，而相较于传统硬盘，固态硬盘的工作温度范围则更大。举例来说，固态硬盘可在摄氏-10～70度的范围内工作。然而，若是让上例中的固态硬盘一直在摄氏60～70度的高温范围内运转，则也将会影响到此固态硬盘的寿命。因此，如何让固态硬盘在一定的温度范围内运作，实为一个极为重要的议题。综观前述，本技术的专利技术人经多年苦心潜心研究、思索并设计一种适用于储存装置的温度控制系统，以针对现有技术的缺失加以改善，进而增进产业上的实施利用。
技术实现思路
有鉴于上述现有技艺的问题，本技术的目的就是在提供一种温度控制系统，以解决以上的问题。基于上述目的，本技术提供一种温度控制系统，其包含一致冷芯片装置以及一储存装置。此储存装置包含一温度感测模块以及一控制模块，温度感测模块定时测量储存装置的温度以产生一测量温度值，控制模块电性连接温度感测模块以及致冷芯片装置，控制模块用以控制数据的存取以及从温度感测模块得知测量温度值。当测量温度值高于一第一门槛值时，控制模块开启致冷芯片装置的电源以降低储存装置的温度，当测量温度值低于一第二门槛值时，控制模块开启致冷芯片装置的电源，并将致冷芯片装置的直流电源正负极进行互换。优选地，当测量温度值低于第二门槛值时，控制模块持续写入数据至储存装置的数据区块上。优选地，数据区块包含一保留扇区或是一坏轨扇区。优选地，数据区块为一挥发性内存。优选地，致冷芯片装置利用一导热片以黏贴至储存装置的表面。优选地，致冷芯片装置利用一导热片以黏贴至控制模块的表面。优选地，致冷芯片装置包含P型半导体及N型半导体，当测量温度值高于第一门槛值时且控制模块开启致冷芯片装置的电源时，P型半导体上所通过电流的方向远离储存装置，N型半导体上所通过电流的方向靠近储存装置。优选地，当测量温度值高于第一门槛值时，控制模块降低其数据存取的传输速率。承上所述，依本技术的温度控制系统，其可具有一或多个下述优点：(1)本技术的温度控制系统可以利用温度门槛值来对储存装置进行温度的控制，以有效延长储存装置的运转寿命。(2)本技术的温度控制系统不但可以降低储存装置的温度，也可以提升储存装置的温度，故可以适用于各种的环境之下，例如处在一般常温或是极地温度之下。附图说明图1为本技术的温度控制系统的第一方块图。图2为本技术的温度控制系统的示意图。图3为本技术的致冷芯片装置的第一示意图。图4为本技术的致冷芯片装置的第二示意图。图5为本技术的温度控制系统的第二方块图。具体实施方式为利贵审查员了解本技术的技术特征、内容与优点及其所能实现的功效，兹将本技术配合附图，并以实施例的表达形式详细说明如下，而其中所使用的附图，其主旨仅为示意及辅助说明书的用，未必为本技术实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的附图的比例与配置关系解读、局限本技术于实际实施上的权利范围，合先叙明。请参阅图1，其为本技术的温度控制系统的第一方块图。如图所示，温度控制系统100包含一致冷芯片装置10以及一储存装置20，其中此致冷芯片装置10可包含一P型半导体及一N型半导体，而储存装置20可包含一固态硬盘或是一传统硬盘，且此储存装置20可以电性连接到一主机上。在本技术的实施例中，储存装置20可包含一温度感测模块210以及一控制模块220，其中此温度感测模块210可以为一温度感应芯片，控制模块220可以为一微控制器(Microcontroller)。温度感测模块210可以用来定时测量储存装置20所产生的温度，并根据所测量到的温度来产生一测量温度值211。而控制模块220可电性连接温度感测模块210以及致冷芯片装置10，控制模块220除了可以对储存装置20进行数据的存取，还可以从温度感测模块210得知测量温度值211的值。在一实施例中，控制模块220内可以储存一第一门槛值221及一第二门槛值222，其中此第一门槛值221可作为储存装置20所能运作的温度范围的一上限值，而第二门槛值222可作为储存装置20所能运作的温度范围的一下限值。详细地说明，当控制模块220发现测量温度值211高于第一门槛值221时，控制模块220可开启致冷芯片装置10的电源以降低储存装置20的温度，当测量温度值211低于第二门槛值222时，控制模块220开启致冷芯片装置10的电源，并将致冷芯片装置10的直流电源正负极进行互换。换句话说，本技术的致冷芯片装置10的默认值是为一停止运作的状态，其只有在测量温度值211高于第一门槛值221或低于第二门槛值222时才会进行运作，且致冷芯片装置10的电源开关可以由控制模块220直接或间接地进行控制，其中此致冷芯片装置10的电源开关操控方式为硬件焊接领域中的现有技艺，故在此不进行赘述。此外，在一实施例中，当测量温度值211高于第一门槛值221时，除了使用致冷芯片装置10来进行降温之外，控制模块220也可以降低数据存取的传输速率，进而达到降温的效果。举例来说，可以将SATA6Gb/s降至SATA3Gb/s，通过减低功率的方式来达到降温的目的。请参阅图2，其为本技术的温度控制系统的示意图，并请一并参阅图1。在此实施例中，储存装置20以一固态硬盘模块来举例实施，而在此储存装置20上则含有温度感测模块210以及控制模块220。较佳的情况是，此致冷芯片装置10可以利用一导热片以黏贴在控制模块220的表面上，且其电力来源的开关可以通过控制模块220来加以控制。详细地说，如图3及图4所示，此致冷芯片装置10可以由至少一P型半导体11及N型半导体12所组成，当测量温度值211高于第一门槛值221时且控制模块220开启致冷芯片装置10的电源时，P型半导体11上所通过电流的方向远离储存装置20，N型半导体12上所通过电流的方向靠近储存装置20。更进一步地说明，当通入一电流后，P型半导体11及N型半导体12的材料内带有能量的载子均由下往上移动，使带有能量的载子累积在上端面，致使上端面温度升高，即所谓的热端，另一方面，带有能量的载子则远离下端面，致使下端面温度降低，即所谓的冷端，而通过此种方式，控制模块220便可以经由接触到冷端而达到温度的下降，其示意图如图3所示。另一方面，若电流的方向为一相反方向时，则此时带有能量的载子将累积在下端面，而使得上端面及下端面分别成为冷端及热端，通过此种方式，控制模块220便可以经由接触到热端而达到温度的上升，其示意图如图4所示。举例来说，以图3及图4为例，用户可将致冷芯片装置10贴附于控制模块220上，并将第二门槛值222设定为摄氏-5度，一但控制模块220发现测量温度值211的值低于-5度时，则此时控制模块220便可以启动致冷芯片装置10的电源，并将其直流电源的正负极进行互换本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度控制系统，其特征在于，包含：致冷芯片装置；以及储存装置，其包含：温度感测模块，定时测量所述储存装置的温度以产生测量温度值；以及控制模块，电性连接所述温度感测模块及所述致冷芯片装置，所述控制模块用以控制数据的存取以及从所述温度感测模块得知所述测量温度值；其中当所述测量温度值高于第一门槛值时，所述控制模块开启所述致冷芯片装置的电源以降低所述储存装置的温度，当所述测量温度值低于第二门槛值时，所述控制模块开启所述致冷芯片装置的电源，并将所述致冷芯片装置的直流电源正负极进行互换。

【技术特征摘要】
1.一种温度控制系统，其特征在于，包含：致冷芯片装置；以及储存装置，其包含：温度感测模块，定时测量所述储存装置的温度以产生测量温度值；以及控制模块，电性连接所述温度感测模块及所述致冷芯片装置，所述控制模块用以控制数据的存取以及从所述温度感测模块得知所述测量温度值；其中当所述测量温度值高于第一门槛值时，所述控制模块开启所述致冷芯片装置的电源以降低所述储存装置的温度，当所述测量温度值低于第二门槛值时，所述控制模块开启所述致冷芯片装置的电源，并将所述致冷芯片装置的直流电源正负极进行互换。2.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，当所述测量温度值低于所述第二门槛值时，所述控制模块持续写入数据至所述储存装置的数据区块上。3.如权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，所述数据区块包含保留...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志鸿，
申请(专利权)人：宇瞻科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71