金属线路的制造方法技术

技术编号:14745913 阅读:114 留言:0更新日期:2017-03-01 22:14
一种金属线路的制造方法,包含提供基板。基板表面上依序设有金属层及光刻胶层。对光刻胶层进行曝光步骤以在光刻胶层中形成曝光部及未曝光部。利用显影剂进行显影步骤以移除曝光部或未曝光部并暴露出部分金属层。于显影步骤后部分显影剂残留在金属层暴露部分上。进行等离子处理以在显影剂残留部分与金属层暴露部分上形成亲水性官能基。利用蚀刻剂对金属层暴露部分进行蚀刻步骤以移除金属层的暴露部分。于蚀刻步骤期间蚀刻剂与显影剂残留部分上的亲水性官能基键结而移除显影剂的残留部分。显影剂残留部分经等离子处理后可有效去除,可提高金属线路图案转移的准确性与质量,提升蚀刻工艺良率。等离子可粗化金属层表面,增进材料层对金属层的附着性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电子组件的制作,且特别是有关于一种金属线路的制造方法
技术介绍
近年来,自感旋旋光性聚合物干性移像膜,即一般所称的干膜(dryfilm)问世后,印刷电路板(PCB)制造业以此技术取代传统湿式光刻胶剂做影像的移转。一般而言,干膜由依序堆栈的盖膜层、感光刻胶剂层以及隔膜层等三个部分所组成,即感光刻胶剂层夹设在盖膜层与隔膜层之间。盖膜层的材料通常采用聚酯类,例如聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)。而隔膜层的材料通常为聚乙烯成分。干膜可依其光刻胶形式分为正片干膜和负片干膜。目前,业界多以负片干膜来进行生产。负片干膜经曝光后,曝光的部分会形成聚合物而固化。因此,经显影后,负片干膜的未曝光部分会被去除,只留下曝光固化后的聚合物,而得到所需线路的图案。然而,于显影工艺后,通常仍有部分显影剂会残留在欲制作线路的金属层上,而残留的显影剂中含有高浓度的光刻胶成分。这些含有高浓度光刻胶成分的显影剂若没有清除干净,容易在金属层表面上形成残渣(scum)。这些残渣会造成后续蚀刻不完全,而严重影响金属线路的图案定义与尺寸,进而导致产品良率不佳。若欲在蚀刻工艺期间移除这些残渣,通常需使用更多的蚀刻剂,如此一来,不仅会使得金属层发生过蚀,也会导致蚀刻剂的浪费,造成工艺成本的提高。
技术实现思路
本专利技术的一目的就是在提供一种金属线路的制造方法,其在作为光刻胶的干膜曝光显影后,先利用大气等离子对残留在金属层的表面上的显影剂进行等离子处理,借以去除残留显影剂及/或对残留显影剂的表面改质。如此一来,残留显影剂及其中所含的干膜成分可被等离子或后续蚀刻工艺所使用的蚀刻剂有效去除,而可提高金属线路图案转移的准确性,提升蚀刻工艺的良率,进而可提高金属线路的品质。本专利技术的另一目的是在提供一种金属线路的制造方法,于显影后所导入的大气等离子,不仅可协助显影剂及其内的干膜成分的去除,更有利于清除部分细小的有机物,并可粗化金属层的表面,且可在金属层的表面形成亲水性的官能基,因此可提高金属层的表面的润湿性,进而可增进后续形成在金属层的表面上的材料层对金属层的附着性。根据本专利技术的上述目的,提出一种金属线路的制造方法。在此方法中,提供基板,其中此基板的一表面上设有金属层、以及光刻胶层位于金属层上。对光刻胶层进行曝光步骤,以在此光刻胶层中形成至少一曝光部以及至少一未曝光部。利用显影剂进行显影步骤,以移除前述至少一曝光部或至少一未曝光部,并暴露出金属层的一部分,其中于显影步骤后,部分的显影剂残留在金属层的暴露部分上。进行等离子处理,以在显影剂的残留部分与金属层的暴露部分上形成复数个亲水性官能基。利用蚀刻剂对金属层的暴露部分进行蚀刻步骤,以移除金属层的暴露部分,其中于蚀刻步骤期间,蚀刻剂与显影剂的残留部分上的亲水性官能基键结,而移除显影剂的残留部分。依据本专利技术的一实施例,上述进行蚀刻步骤时包含利用二流体蚀刻技术。依据本专利技术的另一实施例,上述的光刻胶层系干膜层。依据本专利技术的又一实施例,上述的光刻胶层系负型光刻胶层,且显影步骤系移除上述至少一未曝光部。依据本专利技术的再一实施例,上述的光刻胶层系正型光刻胶层,且显影步骤系移除上述至少一曝光部。依据本专利技术的再一实施例,上述进行等离子处理时,包含利用工作气体,其中此工作气体包含氮气(N2)、或氮气与干净干燥空气(cleardryair,CDA)。依据本专利技术的再一实施例,上述进行等离子处理时,包含利用工作气体,其中此工作气体包含氩气(Ar)、氩气与干净干燥空气、或氩气与干净干燥空气及氮气。依据本专利技术的再一实施例,上述进行等离子处理时包含利用大气等离子。依据本专利技术的再一实施例,上述的亲水性官能基包含氢氧基(OH)、碳氧单键基(C-O)、碳氧双键基(C=O)、羧酸基(COOH)、氨基、胺基、及/或过氧基(-O-O-)。依据本专利技术的再一实施例,上述的等离子处理包含使显影剂的残留部分与金属层的暴露部分具有等于或小于30度的水滴角。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:图1A至图1F绘示依照本专利技术的一实施方式的一种金属线路的制造方法的工艺剖面图;以及图2A与图2B绘示依照本专利技术的另一实施方式的一种金属线路的制造方法的工艺剖面图。其中,附图标记:100基板102表面104金属层106表面108光刻胶层110曝光部112未曝光部114残留部分116等离子118金属线路120金属线路具体实施方式请参照图1A至图1F,其绘示依照本专利技术的一实施方式的一种金属线路的制造方法的工艺剖面图。本实施方式的金属线路的制造方法可应用于各式半导体工艺,例如印刷电路板或软性电路板(FPCB)的金属线路制作上。在一些实施例中,如图1A所示,制造金属线路时,可先提供基板100。基板100的材料可例如包含金属、陶瓷、高分子聚合物等。此外,基板100可为单层结构、或多层堆栈的结构。接下来,于基板100的表面102上形成金属层104。金属层104可例如包含铜层或铝层。接着,于金属层104的表面106上涂布光刻胶层108。光刻胶层108可为负型光刻胶层,或者可为正型光刻胶层。在一些例子中,光刻胶层108可为干膜层,例如负片干膜或正片干膜。接着,如图1B所示,通过具有欲形成的金属线路图案的光掩模(未绘示),对光刻胶层108进行曝光步骤,以在光刻胶层108中形成至少一曝光部110与至少一未曝光部112。在图1B所示的示范例子中,曝光步骤在光刻胶层108中形成二个曝光部110与三个未曝光部112。在一些例子中,光刻胶层108为负型光刻胶层,因此曝光部110会形成聚合物而固化。在另一些例子中,光刻胶层108为正型光刻胶层,因此曝光部110会形成变软或分解。完成光刻胶层108的曝光步骤后,利用显影剂对光刻胶层108进行显影步骤,以移除部分的光刻胶层108,而暴露出金属层104的表面106的一部分。在光刻胶层108为负型光刻胶层的例子中,如图1C所示,由于曝光部110经曝光而固化,因此显影步骤移除未曝光部112,而暴露出未曝光部112下方的金属层104的表面106。在光刻胶层108系正型光刻胶层的例子中,由于曝光部110经曝光后会变软或分解,因此显影步骤移除曝光部110,而暴露出曝光部110下方的金属层104的表面106。以下以光刻胶层108为负型光刻胶层的态样举例说明。于显影步骤后,显影剂可能无法清除干净,而难免残留在金属层104的表面106与光刻胶层108的曝光部110上。这些显影剂的残留部分114通常含有高浓度的光刻胶成分。接下来,如图1D所示,利用等离子116对金属层104的表面106的暴露部分、显影剂的残留部分114与光刻胶层108的曝光部110进行等离子处理。等离子处理可例如使用大气等离子。在一些例子中,进行等离子处理时,包含利用工作气体,其中此工作气体可包含氮气、或氮气与干净干燥空气。在另一些例子中,等离子处理所使用的工作气体可包含氩气、氩气与干净干燥空气、或氩气与干净干燥空气及氮气。在一些例子中,此等离子处理采用大气等离子,当通入工作气体后,外在电压高于工作气体的崩溃电压,而造成气体分子(例如氮气与干净干燥空气)激发,产生高活性粒子,例如N2*、N*、本文档来自技高网...
金属线路的制造方法

【技术保护点】
一种金属线路的制造方法,其特征在于,包含:提供一基板,该基板的一表面上设有一金属层、以及一光刻胶层位于该金属层上;对该光刻胶层进行一曝光步骤,以在该光刻胶层中形成至少一曝光部以及至少一未曝光部;利用一显影剂进行一显影步骤,以移除该至少一曝光部或该至少一未曝光部,并暴露出该金属层的一部分,其中,于该显影步骤后,部分的该显影剂残留在该金属层的暴露的该部分上;进行一等离子处理,以在该显影剂的残留的该部分与该金属层的暴露的该部分上形成多个亲水性官能基;以及利用一蚀刻剂对该金属层的暴露的该部分进行一蚀刻步骤,以移除该金属层的暴露的该部分,其中,于该蚀刻步骤期间,该蚀刻剂与该显影剂的残留的该部分上的该些亲水性官能基键结,而移除该显影剂的残留的该部分。

【技术特征摘要】
2015.08.13 TW 1041264171.一种金属线路的制造方法,其特征在于,包含:提供一基板,该基板的一表面上设有一金属层、以及一光刻胶层位于该金属层上;对该光刻胶层进行一曝光步骤,以在该光刻胶层中形成至少一曝光部以及至少一未曝光部;利用一显影剂进行一显影步骤,以移除该至少一曝光部或该至少一未曝光部,并暴露出该金属层的一部分,其中,于该显影步骤后,部分的该显影剂残留在该金属层的暴露的该部分上;进行一等离子处理,以在该显影剂的残留的该部分与该金属层的暴露的该部分上形成多个亲水性官能基;以及利用一蚀刻剂对该金属层的暴露的该部分进行一蚀刻步骤,以移除该金属层的暴露的该部分,其中,于该蚀刻步骤期间,该蚀刻剂与该显影剂的残留的该部分上的该些亲水性官能基键结,而移除该显影剂的残留的该部分。2.根据权利要求1所述的金属线路的制造方法,其特征在于,进行该蚀刻步骤时包含利用一二流体蚀刻技术。3.根据权利要求1所述的金属线路的制造方法,其特征在于,该光刻胶层为一干膜层。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏静雯沈泊承洪昭南陈俊钦游闵盛陈彦傅李祖宏王世昌
申请(专利权)人:馗鼎奈米科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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