自动测试设备和在自动测试设备与受测装置间连接的设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了示例性自动测试设备(ATE)，所述ATE可包括：其上安装有DUT的装置接口板(DIB)；向所述DUT发送信号并且从所述DUT接收信号的系统；以及通过所述DIB向所述DUT提供电流的能量源单元(ESU)，其中所述ESU包括用于提供所述电流的电流路径，并且其中所述电流路径被构造成限制所述电流路径的组合电感。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书整体涉及控制自动测试设备中的信号路径电感。
技术介绍
自动测试设备(ATE)是指用于测试装置的自动化(通常为计算机驱动的)系统。由ATE测试的装置一般被称为受测装置(DUT)。ATE通常包括计算机系统和测试仪器，或具有相应功能性的单个装置。ATE能够向DUT提供测试信号，从DUT接收响应信号，并且转发那些响应信号以供处理来确定DUT是否满足测试合格性。
技术实现思路
示例性自动测试设备(ATE)可包括：其上安装有DUT的装置接口板(DIB)；向所述DUT发送信号并且从所述DUT接收信号的系统；以及通过DIB向DUT提供电流的能量源单元(ESU)，其中该ESU可包括用于提供电流的电流路径，并且其中该电流路径可被构造成限制该电流路径的组合电感。该示例性ATE可包括下列特征中的一个或多个(单独地或组合地)。电流路径可包括第一电路路径和第二电路路径，第一电路路径可用于传递第一电流，从而形成第一磁场，第二电路路径可用于传递第二电流，从而形成第二磁场，其中第二磁场至少部分地抵消第一磁场。第一电流与第二电流可在量级上是基本相同的，并且在方向上是相反的。在一些具体实施中，ESU可位于DIB的正下方。在一些具体实施中，ESU可位于DIB下方(但并非正下方)，并且处于一定位置中，该位置能够减小电流路径中的电感，而不会对在DUT上执行的测试产生明显不利影响。电流路径可包括第一电路路径和第二电路路径，第一电路路径可用于传递第一电流，从而形成第一磁场，第二电路路径可用于传递第二电流，从而形成第二磁场，其中第二磁场至少部分地抵消第一磁场。第一电路路径可包括多个第一导电面，第二电路路径可包括多个第二导电面，其中第一导电面和第二导电面是平行的。至少一些第一导电面中的每一者可布置在两个第二导电面之间，使得第一导电面和第二导电面呈交错状态。ATE可包括ESU与DIB之间的迅速断开(QD)。QD可用于使ESU从DIB脱离。QD可在DUT与ESU之间形成电连接的至少一部分。QD可包括第一电路路径和第二电路路径，第一电路路径可用于传递第一电流，从而形成第一磁场，第二电路路径可用于传递第二电流，从而形成第二磁场，其中第二磁场至少部分地抵消第一磁场。ESU可包括：用于向DUT提供电流的一个或多个电容器；以及平行布置在一个或多个电容器与DIB之间的开关，其中该开关被构造成响应于电流超过指定值而断开。开关可包括多个固态开关，该固态开关的数量被设计成(例如，存在合适数量的开关)获得低于指定值的电感。电路路径可包括多个第一导电面和多个第二导电面，其中第一导电面和第二导电面是平行的，其中第一导电面被间隙断开，并且其中开关破坏该间隙，以便在第一导电面的不同部分之间传递电流。开关与一个或多个电容器相距的距离可至少大于预定距离。用于在自动测试设备(ATE)和受测装置(DUT)之间连接的示例性设备可包括：其上安装有DUT的装置接口板(DIB)；以及向DUT提供电流的能量源单元(ESU)。ESU可包括电路板，该电路板在DUT与ESU之间形成电连接的至少一部分。电路板可包括第一电路路径和第二电路路径，第一电路路径可用于传递第一电流，从而形成第一磁场，第二电路路径可用于传递第二电流，从而形成第二磁场，其中第二磁场至少部分地抵消第一磁场。示例性设备可包括下列特征中的一个或多个(单独地或组合地)。第一电流与第二电流可在量级上是基本相同的，并且在方向上是相反的。ESU可相对于DUT位于DIB的正下方。ESU可位于DIB下方(但并非正下方)，并且处于一定位置中，该位置能够减小第一路径中的电感，而不会对在DUT上执行的测试产生明显不利影响。第一电路路径可包括多个第一导电面，第二电路路径可包括多个第二导电面，并且第一导电面和第二导电面可以是平行的。至少一些第一导电面中的每一者可布置在两个第二导电面之间。该示例性设备可包括ESU与DIB之间的迅速断开(QD)。QD可用于使ESU从DIB脱离。QD可在DUT与ESU之间形成电连接的至少一部分。QD可包括第三电路路径和第四电路路径。第三电路路径可用于传递第三电流，从而形成第三磁场，第四电路路径可用于传递第四电流，从而形成第四磁场，其中第四磁场至少部分地抵消第三磁场。ESU可包括：用于向DUT提供电流的一个或多个电容器；以及平行布置在一个或多个电容器与DUT之间的开关，其中该开关被构造成响应于电流超过指定值而断开。开关可包括多个固态开关，该固态开关的数量被设计成(例如，存在合适数量的开关)获得低于指定值的电感。第一电路路径可包括多个第一导电面，第二电路路径可包括多个第二导电面，第一导电面和第二导电面可以是平行的，第一导电面可以被间隙断开，并且开关可破坏该间隙，以便在第一导电面的不同部分之间传递电流。开关与一个或多个电容器相距的距离可至少大于预定距离。本说明书(包括此
技术实现思路
部分)中所描述的特征中的任何两个或更多个可组合在一起以形成本文未具体描述的具体实施。本文所述的系统和技术、或其一部分可被实现为计算机程序产品或被计算机程序产品控制，该计算机程序产品包括存储于一个或多个非暂态机器可读存储介质上的指令，并且所述指令可在一个或多个处理装置上执行以控制(例如，协调)本文所描述的操作。本文所述的测试系统和技术、或其一部分可被实现为设备、方法或电子系统，所述设备、方法或电子系统可包括一个或多个处理装置以及存储用于实现各种操作的可执行指令的存储器。附图和以下具体实施方式陈述了一个或多个具体实施的详细信息。通过具体实施和附图以及通过权利要求书，其他特征和优点将显而易见。附图说明图1为ATE的示例性部件的透视图，该ATE包括断开的能量源单元(ESU)和装置接口板(DIB)。图2为ATE的示例性部件的透视图，该ATE包括连接在一起的ESU和DIB。图3为示例性ESU以及DIB的示例性部分的透视图。图4为示出ATE的示例性电路的电路图。图5和图6为ESU的透视图，该ESU包括印刷电路板(PCB)的剖面部分，该PCB包含正电流面路径和负电流面路径。图7为DIB插槽的透视图，该DIB插槽包含DUT以及DIB与ESU之间的电信号路径的一部分。图8为ATE的示例性部件的框图。不同图中的类似附图标记指示类似元件。具体实施方式为了测试部件，制造商通常使用ATE(或“测试器”)。响应于测试程序集(TPS)中的指令，一些ATE自动生成将施加到受测装置(DUT)的输入信号，并且监测输出信号。ATE将输出信号与预期响应进行比较，以确定DUT是否有缺陷。ATE通常包括计算机系统和测试仪器，或具有相应功能性的单个装置。在一些情况下，测试仪器向DUT提供功率。ATE通常还包括有接口，该接口可能是或可能不是装置接口板(DIB)的一部分。该接口可以被构造成(例如，包括一个或多个接口)在ATE与一个或多个DUT之间路由信号。在一些具体实施中，该接口被构造成在一个或多个ATE与一个或多个DUT之间路由信号。在一些情况下，该接口包括一个或多个驱动器，用于将信号驱动到一个或多个DUT。在此场合，驱动器通常是指用于输出电信号的任何类型的电路。例如，逻辑门(例如，与门、或门等)、分离器、放大器等都能输出信号，因此都可被视为驱动器。可使用ATE进行测试的装置的例子包括电动机以及为这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自动测试设备(ATE)，包括：其上安装有DUT的装置接口板(DIB)；向所述DUT发送信号并且从所述DUT接收信号的系统；以及通过所述DIB向所述DUT提供电流的能量源单元(ESU)，所述ESU包括用于提供所述电流的电流路径，所述电流路径被构造成限制所述电流路径的组合电感。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.11 US 14/329,6171.一种自动测试设备(ATE)，包括：其上安装有DUT的装置接口板(DIB)；向所述DUT发送信号并且从所述DUT接收信号的系统；以及通过所述DIB向所述DUT提供电流的能量源单元(ESU)，所述ESU包括用于提供所述电流的电流路径，所述电流路径被构造成限制所述电流路径的组合电感。2.根据权利要求1所述的ATE，其中所述电流路径包括第一电路路径和第二电路路径，所述第一电路路径用于传递第一电流，从而形成第一磁场，所述第二电路路径用于传递第二电流，从而形成第二磁场，所述第二磁场至少部分地抵消所述第一磁场。3.根据权利要求1所述的ATE，其中所述第一电流与所述第二电流在量级上是基本相同的，并且在方向上是相反的。4.根据权利要求1所述的ATE，其中所述ESU位于所述DIB的正下方。5.根据权利要求1所述的ATE，其中所述ESU位于所述DIB下方，并且处于一定位置中，所述位置能够减小所述电流路径中的电感，而不会对在所述DUT上执行的测试产生不利影响。6.根据权利要求1所述的ATE，其中所述电流路径包括第一电路路径和第二电路路径，所述第一电路路径用于传递第一电流，从而形成第一磁场，所述第二电路路径用于传递第二电流，从而形成第二磁场，所述第二磁场至少部分地抵消所述第一磁场；其中所述第一电路路径包括多个第一导电面，所述第二电路路径包括多个第二导电面，所述第一导电面和所述第二导电面是平行的；以及其中至少一些所述第一导电面中的每一者布置在两个第二导电面之间，使得第一导电面和第二导电面呈交错状态。7.根据权利要求1所述的ATE，还包括所述ESU与所述DIB之间的迅速断开(QD)，所述QD用于使所述ESU从所述DIB脱离，所述QD形成所述DUT与所述ESU之间电连接的至少一部分，所述QD包括第一电路路径和第二电路路径，所述第一电路路径用于传递第一电流，从而形成第一磁场，所述第二电路路径用于传递第二电流，从而形成第二磁场，所述第二磁场至少部分地抵消所述第一磁场。8.根据权利要求1所述的ATE，其中所述ESU包括：用于向所述DUT提供电流的一个或多个电容器；以及平行布置在所述一个或多个电容器与所述DIB之间的开关，所述开关被构造成响应于电流超过指定值而断开。9.根据权利要求8所述的ATE，其中所述开关包括多个固态开关，所述多个固态开关的数量被设计成获得低于指定值的电感。10.根据权利要求8所述的ATE，其中所述电路路径包括多个第一导电面和多个第二导电面，所述第一导电面和所述第二导电面是平行的，所述第一导电面被间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰克·E·魏默，史蒂文·C·普赖斯，大卫·R·汉娜，杰弗里·贝嫩，斯科特·斯基宾斯基，
申请(专利权)人：泰拉丁公司，
类型：发明
国别省市：美国;US