电子封装结构及其制法制造技术

本申请公开了一种电子封装结构及其制法，该制法，包括：提供一具有多个导电穿孔的中介板，且该中介板中形成有位于这些导电穿孔周围的开孔，接着，设置电子元件于该中介板上，再结合盖板于该电子元件上，并形成用以包覆该电子元件的封装层，而该封装层还形成于该开孔中，以令该开孔中的封装层接触空气，故于进行后续的高温制造方法时，该封装层中的溶剂于挥发后，可经过这些开孔排出该封装层外，而不会于该封装层中形成气泡，以避免发生气爆。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装制造方法，特别是涉及一种提升制造方法可靠度的电子封装结构及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于芯片封装领域的技术，例如芯片尺寸构装(ChipScalePackage，简称CSP)、芯片直接贴附封装(DirectChipAttached，简称DCA)或多芯片模组封装(Multi－ChipModule，简称MCM)等覆晶型态的封装模组、或将芯片立体堆迭化整合为三维积体电路(3DIC)芯片堆迭技术等。图1A至图1B为现有半导体封装件1的制法的示意图。如图1A所示，提供一盖板12及一具有多个导电硅穿孔(Through-siliconvia，简称TSV)与线路重布层(Redistributionlayer，简称RDL)的硅中介板(ThroughSiliconinterposer，简称TSI)10，且通过CoW(ChiponWafer)制造方法，将多个半导体芯片11通过多个导电凸块110设于该硅中介板10上。如图1B所示，将该盖板12与该硅中介板10相压合，再进行模封(molding)制造方法，即形成用以包覆这些半导体芯片11的封装层13于该盖板12与该硅中介板10之间。详细地，由于这些半导体芯片11的厚度太薄，故于形成该封装层13之前，会在这些半导体芯片11上方设置该盖板12，以供固定支撑使用。目前的模封技术，可有效减少封装层13的胶材于流动时所产生的气室(void)问题。此外，当完成模封制造方法之后，常会进行其它温度高于200℃的高温制造方法，例如，于该硅中介板10下方植球，再回焊结合其它电子装置。但是，该封装层13的材料除了包含环氧树脂，还包含各式溶剂(solvent)(如硬化剂、填充剂、催化剂及脱模剂)，且于温度200℃以上的环境下，上述各种溶剂会逐渐裂解成气体，此时，因该盖板12与该硅中介板10遮挡该封装层13的上、下两侧，而无法排除该气体，故该气体将存在于该封装层13中而形成气泡a，以致于当进行另一高温制造方法时，如采用表面粘着技术(SMT)的产品终端制造方法，该气泡a会受热膨胀而发生气爆，导致产品不良。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺点，本专利技术提供一种电子封装结构及其制法，以避免发生气爆。本专利技术的电子封装结构，包括：一具有多个导电穿孔的中介板，还具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一与第二表面的侧面，且这些导电穿孔连通该第一与第二表面，而该侧面具有缺口；电子元件，其设于该中介板的第一表面上；以及封装层，其形成于该中介板的第一表面上并包覆该电子元件，且该封装层覆盖该缺口。前述的电子封装结构中，该缺口位于该中介板的第一表面与侧面的交界处。前述的电子封装结构中，形成该封装层的材质为封装胶体或介电材。本专利技术还提供一种电子封装结构的制法，包括：提供一具有多个导电穿孔的中介板，且该中介板中形成有位于这些导电穿孔周围的至少一开孔；设置电子元件于该中介板上；以及结合盖板于该电子元件上，并形成封装层于该盖板与该中介板之间，以令该封装层包覆该电子元件，且该封装层还形成于该开孔中。前述的制法中，形成该开孔的方法包括机械成孔、激光或蚀刻。前述的制法中，于形成该封装层后，沿该开孔进行切单制造方法。前述的制法中，形成该封装层的方法为模封或压合。前述的电子封装结构及其制法中，该中介板具有电性连接该电子元件或这些导电穿孔的线路重布层。前述的电子封装结构及其制法中，于形成该封装层后，移除该盖板，使该电子元件外露于该封装层的表面。前述的电子封装结构及其制法中，于形成该封装层后，形成多个导电元件于该中介板上，并使这些导电元件电性连接该中介板另外，前述的电子封装结构及其制法中，于形成该封装层后，结合一封装基板于该中介板上，并使该封装基板电性连接该中介板。由上可知，本专利技术的电子封装结构及其制法，主要通过先于该中介板上形成开孔，使位于该开孔中的封装层外露于该中介板而接触空气，故相比于现有技术，当本专利技术的电子封装结构进行后续的高温制造方法时，该封装层中的溶剂于挥发后，将经过这些开孔(或缺口)排出该封装层外，而不会存留于该中介板与该盖板之间，以避免于该封装层中形成气泡，进而能避免发生气爆。附图说明图1A至图1B为现有半导体封装件的制法的立体与剖面示意图；以及图2A至图2F为本专利技术的电子封装结构的制法的剖面示意图；其中，图2B’为图2B的上视图，图2E’及图2E”为图2E的其它实施例。附图标记说明1半导体封装件10硅中介板11半导体芯片110,211导电凸块12,22盖板13,23封装层2,2’,2”,3电子封装结构20中介板20a第一表面20b,20b’第二表面20c侧面200导电穿孔201,201’线路重布层202开孔202’缺口21电子元件21a作用面21b非作用面210电极垫23a上表面24导电元件25封装基板a气泡S切割路径。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图2A至图2F为本专利技术的电子封装结构2,2’,2”,3的制法的剖面示意图。如图2A所示，提供一具有多个导电穿孔200的中介板20，且该中介板20具有相对的第一表面20a与第二表面20b，以令这些导电穿孔200连通该第一表面20a，又该中介板20的第一表面20a上形成有位于这些导电穿孔200周围的多个开孔202。在本实施例中，该中介板20的第一表面20a上具有电性连接这些导电穿孔200的线路重布层201。此外，形成该开孔202的方法包括机械成孔(如钻、锯、铣等方式)、激光或蚀刻。如图2B及图2B’所示，设置多个电子元件21于该中介板20的第一表面20a上。在本实施例中，该电子元件21为主动元件、被动元件或其二者组合等，且该主动元件为例如半导体芯片，而该被动元件为例如电阻、电容及电感。此外，该电子元件21以覆晶方式设于该线路重布层201上。具体地，该电子元件21具有相对的作用面21a与非作用面21b，且该作用面21a具有多个电极垫210，该电极垫210以多个导电凸块211结合于该线路重布层201上。又，该电子元件21并未遮盖这些开孔202，如图2B’所示。如图2C所示，结合一盖板22于该电子元件21的非作用面21b上，且形成一封装层23于该盖板22与该中介板20的第一表面20a之间，以令该封装层23包覆该电子元件21与这些导电凸块211，且该封装层23还形成于这些开孔202中。在本实施例中，形成该封装层23的方法为模封(moldi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子封装结构，其特征为，该电子封装结构包括：一具有多个导电穿孔的中介板，该中介板还具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一与第二表面的侧面，其中，这些导电穿孔连通该第一与第二表面，且该侧面形成有缺口；电子元件，其设于该中介板的第一表面上；以及封装层，其形成于该中介板的第一表面上并包覆该电子元件，且该封装层覆盖该缺口。

【技术特征摘要】
2015.08.20 TW 1041271271.一种电子封装结构，其特征为，该电子封装结构包括：一具有多个导电穿孔的中介板，该中介板还具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一与第二表面的侧面，其中，这些导电穿孔连通该第一与第二表面，且该侧面形成有缺口；电子元件，其设于该中介板的第一表面上；以及封装层，其形成于该中介板的第一表面上并包覆该电子元件，且该封装层覆盖该缺口。2.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该中介板具有电性连接该电子元件的线路重布层。3.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该中介板具有电性连接这些导电穿孔的线路重布层。4.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该缺口位于该中介板的第一表面与侧面的交界处。5.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，形成该封装层的材质为封装胶体或介电材。6.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该电子元件外露于该封装层的表面。7.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该电子封装结构还包括盖板，其结合于该电子元件上，使该封装层位于该中介板的第一表面与该盖板之间。8.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该电子封装结构还包括多个导电元件，其形成于该中介板的第二表面上并电性连接
\t该中介板。9.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该电子封装结构还包括封装基板，其结合于该中介板的第二表面上并电性连接该中介板。...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁芳瑜，张宏宪，赖顗喆，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71