掩膜及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种掩膜及其制造方法，掩膜包括具有第一区域、第二区域及第三区域的掺杂基板。掺杂基板在第一区域中具有第一厚度以界定第一掩膜状态及在第二区域中具有第二厚度以界定第二掩膜状态。第二厚度与第一厚度不同。掩膜亦包括第三区域上方所安置的吸光材料层以界定边缘区域。掺杂基板有效率地耗散累积充电以减少蚀刻形貌畸变，此展示出对晶圆印刷方法中所使用的掩膜的聚焦深度及掩膜误差增强因子的改良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种掩膜及其制造方法。
技术介绍
近来，集成电路(integratedcircuit；IC)工业经历快速增长。在集成电路设计及材料领域中的科技进步产生了多个集成电路世代，其中每一世代皆具有比上一世代更小且更为复杂的电路。在集成电路衍变过程中，功能密度(亦即，单位芯片面积中的内连接装置的数量)大致地增加，而几何形状尺寸(亦即，可使用工艺产生的最小元件(或线路))减小。此体积缩小的过程可以增加生产效率并降低关联成本。此体积缩小亦增加了集成电路处理及制造的复杂性。为了实现此等进步，需要集成电路处理及制造中的类似发展。一个方面为微影掩膜制造。尽管现有的集成电路装置制造方法已大致上适用于所欲目的，但仍尚未满足全部方面的需求。举例而言，在掩膜制造过程中，如何减少干式蚀刻工艺中所诱发的充电效应的挑战仍有许多问题。
技术实现思路
本专利技术的部分实施方式提供一种掩膜，包括掺杂基板以及吸光材料层。掺杂基板具有第一区域、第二区域及第三区域。掺杂基板在第一区域中具有第一厚度以界定第一掩膜状态及在第二区域中具有第二厚度以界定第二掩膜状态。第二厚度与第一厚度不同。吸光材料层设置于第三区域上方以界定边缘区域。本专利技术的部分实施方式提供一种掩膜，包括掺杂透明基板以及吸光材料层。掺杂透明基板具有第一掩膜状态及第二掩膜状态，第二掩膜状态与第一掩膜状态不同。第一掩膜状态具有掺杂透明基板的第一厚度及第二掩膜状态具有掺杂透明基板的第二厚度，第二厚度与第一厚度不同。第一掩膜状态与第二掩膜状态相对于彼此异相。吸光材料层设置于掺杂透明基板上方以界定边缘区域。本专利技术的部分实施方式提供一种制造掩膜方法，包括在掺杂基板上方形成硬掩膜，其中掺杂基板包括选自由金属及金属氧化物组成的群组的掺杂剂物种；图案化硬掩膜以界定第一掩膜状态及第二掩膜状态；通过图案化硬掩膜蚀刻掺杂基板以形成第一掩膜状态及第二掩膜状态，其中掺杂基板在第一掩膜状态中具有第一厚度及在第二掩膜状态中具有第二厚度，第二厚度与第一厚度不同。第一掩膜状态与第二掩膜状态相对于彼此异相；以及移除图案化硬掩膜。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1根据部分实施方式的微影系统及掩膜结构的示意图；图2制造根据部分实施方式的制造微影掩膜的流程图；图3、图4A、图4B、图4C、图5、图6、图7、图8及图9根据部分实施方式的掩膜的局部剖视图；图10A、图10B及图10C根据部分实施方式构造的掩膜的局部剖视图。其中，附图标记30：微影系统32：辐射源34：照明器35：掩膜平台36：掩膜38：投影光学盒40：靶42：基板平台100：方法102～112：步骤210：增强电荷耗散基板212：掺杂基板材料214：梯度式掺杂基板材料216：未掺杂基板材料310：吸光薄膜堆叠312：第一硬掩膜314：吸光材料层316：第二硬掩膜410：第一图案化光阻层415：第一区域416：第二区域510：第二图案化光阻层S1：第一掩膜状态S2：第二掩膜状态t1：第一厚度t2：第二厚度具体实施方式本专利技术大体而言是关于微影系统及使用该系统的方法。然而，应理解，以下
技术实现思路
提供许多不同实施方式或实施例，以便实施本专利技术的不同特征。下文描述元件及排列的特定实施例以简化本专利技术。当然，这些实施例仅为示例性且并不欲为限制性。另外，本专利技术可在各实施例中重复元件符号及/或字母。此重复出于简明性及清晰的目的，且本身并不指示所论述的各实施方式及/或配置之间的关系。此外，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以形成的第一特征及第二特征直接接触的实施方式，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间插入形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。参看图1，根据部分实施方式，在示意图中图示微影系统30。设计微影系统30对辐射敏感材料层(例如，光阻层或抗蚀层)执行微影曝光工艺。在部分实施方式中，实施曝光模式以使得在集成电路(Integratedcircuit；IC)基板上一次投影曝光形成掩膜的影像。在部分实施方式中，实施步进曝光模式以使得在集成电路基板上的多个场区域上反复形成掩膜的影像。在部分实施方式中，实施步进扫描模式以使得对集成电路基板上的多个场区域反复扫描掩膜的影像。微影系统30采用辐射源32产生辐射能，例如紫外线(ultraviolet；UV)光。在各实施方式中，辐射源32可为任何适宜光源，诸如具有248纳米的波长的氟化氪(KrF)准分子激光、具有193纳米的波长的氟化氩(ArF)准分子激光、具有157纳米的波长的氟化物(F2)准分子激光或具有更长波长的其他光源。辐射源32可为连续波(continuouswave；CW)类型或脉冲类型。举例而言，当光波长小于约248纳米时，辐射源32可为连续波类型或者脉冲类型任一者。当光波长大于约248纳米时，辐射源32可为具有自毫秒(millisecond；ms)至飞秒(femtosecond；fs)的时间持续范围的脉冲类型。辐射源32可包括选自由以下组成的群组的光源：紫外线源、深紫外线(deepUV；DUV)源、极紫外线(extremeUV；EUV)源及X射线源。辐射源32可选择性地包括选自由以下组成的群组的粒子源：电子束(electronbeam；E-Beam)源、离子束源及等离子体源。微影系统30亦包括自辐射源32接收辐射能的光学子系统，从而藉由掩膜的影像调变辐射能及将辐射能导向至集成电路基板上涂布的抗蚀层。光学子系统包括照明器及投影光学盒。在部分实施方式中，设计光学子系统具有折射机构。在此情况中，光学子系统包括各种折射元件，诸如透镜。在辐射能来自于准分子激光或极紫外线辐射源的一些其他实施方式中，设计光学子系统具有反射机构。在此情况中，光学子系统包括各种反射元件，诸如镜面。特定言之，微影系统30采用照明器34(例如，聚光器)。在光学子系统具有折射机构的部分实施方式中，照明器34可包括单个透镜或具有多个透镜(波带片)及/或其他透镜元件的透镜模组。举例而言，照明器34可包括微透镜阵列、遮蔽掩膜及/或其他结构，此其他结构设计用以辅助将辐射能自辐射源32导向至掩膜(亦称为掩膜或主掩膜)36上。可操作照明器34以提供轴上照明(on-axisillumination；ONI))来照射掩膜36，其中根据本专利技术的各态样设计轴上照明，稍后将进一步描述。在部分实施方式中，配置照明孔以提供轴上照明。在一些实施例中，照明器34包括多个透镜，透镜可调谐用于再配置以便将辐射光再导向至不同照明位置，从而实现轴上照明。在部分其他实施方式中，照明器34之前的平台可另外包括其他透镜或其他光学元件，透镜或光学元件为可控的以将辐射光导向至不同照明位置，从而实现轴上照明。在光学子系统具有反射机构的一些其他实施方式中，照明器34可采用单个镜面或具有多个镜面的镜面系统以便将光自辐射源导向至掩膜上，从而实现轴上照明。可操作照明器以配置镜面向掩膜提供轴上照明。在一个实施例中，可转换照明器的镜面以将极紫外光反射至不同照明位置。在另一实施方式中，照明器34之前的平台另外包括其他可转换镜面，镜面为可控的以将极紫外光导向至具有照明器的镜面的不同照本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜，其特征在于，包含：一掺杂基板，具有一第一区域、一第二区域及一第三区域，其中该掺杂基板在该第一区域中具有一第一厚度以界定一第一掩膜状态，其中该掺杂基板在该第二区域中具有一第二厚度以界定一第二掩膜状态，其中该第二厚度与该第一厚度不同；以及一吸光材料层，设置在该第三区域上方以界定一边缘区域。

【技术特征摘要】
2015.08.21 US 14/832,1451.一种掩膜，其特征在于，包含：一掺杂基板，具有一第一区域、一第二区域及一第三区域，其中该掺杂基板在该第一区域中具有一第一厚度以界定一第一掩膜状态，其中该掺杂基板在该第二区域中具有一第二厚度以界定一第二掩膜状态，其中该第二厚度与该第一厚度不同；以及一吸光材料层，设置在该第三区域上方以界定一边缘区域。2.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，该掺杂基板包括一均匀掺杂材料。3.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，该掺杂基板具有一掺杂剂浓度梯度。4.根据权利要求3所述的掩膜，其特征在于，邻近该掺杂基板的一顶表面的该掺杂剂浓度比该掺杂基板的一底表面的该掺杂剂浓度更大。5.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，该第一掩膜状态与该第二掩膜状态异相。6.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，该第一掩膜状态与该第二掩膜状态具有相同穿透率。7.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，进一步包含一铬层，位于该掺杂基板与该边缘区域中的该吸光材料层之间。8.一种掩膜，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：许倍诚，连大成，刘姿伶，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71