发光二极管的结构制造技术

本发明专利技术有关于一种发光二极管的结构，其包含一发光二极管单元，该发光二极管单元掺入复数个荧光粉于该发光二极管单元的一发光层一侧的至少任一层；亦或是该发光二极管单元排列复数个荧光粉颗粒于该发光二极管单元的至少一出光面，如此以不使用胶体进行荧光粉的设置或封装方式，则不会发生因发光二极管的结构长时间高温状态，而导致胶体黄化，而影响发光二极管的发光效率，并同时产生色偏的情况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光二极管的结构，尤指对于一种除去黄化现象的发光二极管的结构。
技术介绍
目前生活上有各式各样发光二极管的相关应用，例如交通号志、机车尾灯、路灯、计算机指示灯、汽车头灯等等，除了必要的LED芯片制程外，都必须经过将发光二极管进行封装的程序。传统发光二极管(Light-EmittingDiode；LED)的封装形式，因外观的关系被称为炮弹型或5mmLED，而此种的封装形式的技术最为成熟，且封装工业也普遍认为此种封装方式是最为经济与方便的封装制程。发光二极管的封装功能在于提供发光二极管芯片电能、光能与散热的必要支持。例如半导体组件长时间暴露在大气中，会受到水器或其它环境中的化学物值影响而老化，造成特性的衰退，选用高透明度的环氧树脂包覆发光二极管，是一个有效隔绝大气的方法，另外选用适合的基材提供发光二极管组件足够的机械保护，使发光二极管的可靠度大幅提升。除此之外，发光二极管封装还需要有良好的散热性及光萃取效率，由其散热问题更值得重视。若未能实时使热散出，累积在组件中的热对组件的特性寿命及可靠度都会产生不良的影响。目前有关于传统发光二极管一般使用边长约0.3mm或更小的芯片，利用银胶(Agpaste)将芯片接合在导线框架(Leadframe)的反射罩(Reflectorcup)上，反射罩用于收集芯片侧壁所发出来的光，并反射至所需要的方向，接着，使用金线连接芯片正极与一只引脚(leadwire)，负极则是反射杯与另一引脚相连接，再用高温固化的环氧树脂(Epoxy)包覆顶部。于发光二极管使用时，以20mA得电流做驱动，约有90％的热能必须由负极经过反射罩传导至引脚上，引入PCB板，但因为导线架的导热特性不佳，其热阻高达250～300℃/W，使LED散热不良而导致温度上升，因高温影响到包覆发光二极管的封装材料，例如:环氧树脂，使环氧树脂产生黄化，进而影响到发光二极管的发光效率、并使光线产生色偏以及发光二极管的使用寿命。故，本专利技术针对于习知技术的缺点进行改良，而提供一种发光二极管的结构，改善习知技术的发光二极管芯片的封装胶体会因发光二极管芯片的高温产生黄化，而影响发光二极管的发光效果，所以荧光粉以不利用封装胶体的方式，而设置于发光二极管芯片。
技术实现思路
本专利技术的一目的，在于提供一种发光二极管的结构，利用荧光粉掺入的方式，而不需再额外利用封装胶体混合荧光粉进行发光二极管芯片的封装，以避免发光二极管的高温影响封装胶体，导致封装胶体黄化而影响发光二极管的发光效率。本专利技术的一目的，在于提供一种发光二极管的结构，利用荧光粉直接排列于发光二极管芯片的出光面，而不需再额外利用封装胶体混合荧光粉进行发光二极管芯片的封装，以避免发光二极管的高温影响封装胶体，导致封装胶体黄化而影响发光二极管的发光效率。为达上述所指称的一目的及功效，本专利技术提供一种发光二极管的结构，其包含：一发光二极管单元，该发光二极管单元掺入复数个荧光粉于该发光二极管单元的一发光层一侧的至少任一层。本专利技术提供另一种发光二极管的结构，其包含一发光二极管单元，该发光二极管单元排列复数个荧光粉于该发光二极管单元的至少一出光面。附图说明图1：其为本专利技术的第一实施例的发光二极管的结构的示意图；图2：其为本专利技术的第二实施例的发光二极管的结构的示意图；图3：其为本专利技术的第三实施例的发光二极管的结构的示意图；图4：其为本专利技术的第四实施例的发光二极管的结构的示意图；图5：其为本专利技术的第五实施例的发光二极管的结构的示意图；图6：其为本专利技术的第六实施例的发光二极管的结构的示意图；图7：其为本专利技术的第七实施例的发光二极管的结构的示意图；图8：其为本专利技术的第八实施例的发光二极管的结构的示意图；图9：其为本专利技术的第九实施例的发光二极管的结构的示意图；图10：其为本专利技术的第十实施例的发光二极管的结构的示意图；图11：其为本专利技术的第十一实施例的发光二极管的结构的示意图；图12：其为本专利技术的第十二实施例的发光二极管的结构的示意图；以及图13：其为本专利技术的第十三实施例的发光二极管的结构的示意图。【图号对照说明】11、11A发光二极管单元111、111A第一基板、第二基板1111第一侧面1112第二侧面112N型半导体层113发光层114P型半导体层12荧光粉13、13A、13B、13C发光二极管芯片具体实施方式为了使本专利技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：目前针对于发光二极管封装需要有良好的散热性及光萃取效率，而以散热问题更值得重视。若未能实时使热散出，累积在组件中的热对组件的特性寿命及可靠度都会产生不良的影响，尤其是封装于发光二极管芯片的封装胶体，封装胶体的材料为环氧树脂，而发光二极管所发出的高温容易影响到包覆发光二极管的环氧树脂，环氧树脂的一般使用温度为-50～150度C，长时间高温使环氧树脂产生黄化，进而影响到发光二极管的发光效率以及发光二极管的使用寿命。请参阅图1，其为本专利技术的第一实施例的发光二极管的结构的示意图；如图所示，本实施例为一种发光二极管的结构，该发光二极管的结构包含一发光二极管单元11，于该发光二极管单元11掺入复数个荧光粉12于该发光二极管单元11的一发光层一侧之至少任一层中，本实例以该发光二极管单元的一第一基板111为例做一说明，掺杂至任一层的技术应属本技术的该项技艺者，可据以实施。承上所述，该发光二极管单元11的该第一基板111具有一第一侧面1111与相对于该第一侧面1111的一第二侧面1112，一N型半导体层112设置于该第一基板111的该第一侧面1111，一发光层113设置于该N型板导体层112相对于不具有该透明基板111的一侧，一P型半导体层114设置于该发光层113相对于不具有该N型板导体层112的一侧。于本实施例中，第一基板111的材质可为蓝宝石、玻璃或陶瓷等等材料，本实施例以蓝宝石基板为例，进行以下说明，蓝宝石(Al2O3，Sapphire)为制成氮化镓(GaN)磊晶发光层的主要基板材质，氮化镓可用来制作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光与白光LED。蓝宝石组成为氧化铝(Al2O3)是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合，晶体结构为六方晶格结构，蓝宝石的光学穿透带很宽，从近紫外光到中红外线都有很好的透光性，目前来说，国内蓝宝石晶体常用的生长方式为柴式拉晶法(简称CZ法)与凯式长晶法(KY)等方式，将该些个荧光粉12掺入于蓝宝石基板的制造过程中，使制造出的蓝宝石基板本身就带有该些个荧光粉12，如此不需再利用胶体混合该些个荧光粉12对发光二极管的结构进行封装，再者，也可利用相同方法于玻璃与陶瓷材料所制造出的透明基板，另外，本实施例的该些个荧光粉12可依据使用者的需求选用荧光粉颜色。本实施例针对于习知发光二极管的结构的技术作改良，一般而言，若要调整发光二极管的结构所发出的光线，大多是于将发光二极管的晶粒进行加工封装时，利用荧光粉混合封装胶体后，再一并将发光二极管芯片进行封装，使发光二极管芯片的光线于通过封装胶体内的荧光粉而改变原来的光线颜色，但是，由于现有的封装胶体材料大多数为环氧树脂(Epoxy)与硅氧烷(Silicone)，而此两种材料无法长期耐高温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的结构，其特征在于，其包含：一发光二极管单元，其掺入复数个荧光粉于该发光二极管单元的一发光层一侧的至少任一层中。

【技术特征摘要】
2015.08.19 TW 1041270621.一种发光二极管的结构，其特征在于，其包含：一发光二极管单元，其掺入复数个荧光粉于该发光二极管单元的一发光层一侧的至少任一层中。2.如权利要求1所述的发光二极管的结构，其特征在于，其中该发光二极管单元，其由下至上包含一第一基板、一N型半导体层、该发光层及一P型半导体层，其中该任一层为该基板、该N型半导体层或该P型半导体层。3.如权利要求1所述的发光二极管的结构，其特征在于，其中该发光二极管芯片，倒装设置电性连接于一第二基板之上。4.如权利要求3所述的发光二极管的结构，其特征在于，其中该任一层为该第二基板。5.如权利要求1项所述的发光二极管的结构，其特征在于，其中该至少任一层为两层以上时，所掺杂该些荧光粉的比例不相同。6.一种发光二极管的结构，其特征在于，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖宗仁，
申请(专利权)人：佰鸿工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71