【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种保护电路,尤其涉及一种三相BLDC电机驱动模块保护电路。
技术介绍
参见附图1,现有的三相BLDC电机驱动电路中驱动晶体管易受损伤,影响产品的稳定性。
技术实现思路
本技术的目的就是为了解决上述问题,提供一种有效避免驱动晶体管受损的三相BLDC电机驱动模块保护电路。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:三相BLDC电机驱动模块保护电路,包括三极管10,三极管11,三极管12,三极管13,三极管14及三极管15,电阻R1一端接于三极管10的基极,另一端接于三极管16的基极,电阻R2一端基于电阻R1另一端,电阻R2另一端接地,三极管16的发射极接地,集电极接于三极管13的基极;电阻R3一端接于三极管11的基极,另一端接于三极管17的基极,电阻R4一端基于电阻R3另一端,电阻R4另一端接地,三极管17的发射极接地,集电极接于三极管14的基极;电阻R5一端接于三极管12的基极,另一端接于三极管18的基极,电阻R6一端基于电阻R5另一端,电阻R6另一端接地,三极管18的发射极接地,集电极接于三极管15的基极。与现有技术相比,本技术具有如下有益效果:本技术在电路中增加了晶体管16到晶体管18,和电阻R1到电阻R6设计。晶体管10(驱动晶体管)和晶体管13的输入端(Vb1,Vb2)输入High电压的时候工作形态为晶体管16由于电阻R1和电阻R2的设置,状态变更为ON,晶体管13的输入电压(Vb2)就会被强制留在LOW状态。如果驱动晶体管10和晶体管13的输入电压(Vb1,Vb2)都是High信号的话,由于晶体管16输入电压(Vb2)会被控制在LOW状态,从而 ...
【技术保护点】
三相BLDC电机驱动模块保护电路,包括三极管10,三极管11,三极管12,三极管13,三极管14及三极管15,其特征在于:电阻R1一端接于三极管10的基极,另一端接于三极管16的基极,电阻R2一端基于电阻R1另一端,电阻R2另一端接地,三极管16的发射极接地,集电极接于三极管13的基极;电阻R3一端接于三极管11的基极,另一端接于三极管17的基极,电阻R4一端基于电阻R3另一端,电阻R4另一端接地,三极管17的发射极接地,集电极接于三极管14的基极;电阻R5一端接于三极管12的基极,另一端接于三极管18的基极,电阻R6一端基于电阻R5另一端,电阻R6另一端接地,三极管18的发射极接地,集电极接于三极管15的基极。
【技术特征摘要】
1.三相BLDC电机驱动模块保护电路,包括三极管10,三极管11,三极管12,三极管13,三极管14及三极管15,其特征在于:电阻R1一端接于三极管10的基极,另一端接于三极管16的基极,电阻R2一端基于电阻R1另一端,电阻R2另一端接地,三极管16的发射极接地,集电极接于三极管13的基极;电阻R3一端接于三极...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡雷,
申请(专利权)人:豪圣挚达上海电气有限责任公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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