一种湿法刻蚀烘干槽的传送结构制造技术

一种湿法刻蚀烘干槽的传送结构，包括多个上滚轮、多个下滚轮以及设于上滚轮和下滚轮之间的硅片，其中：所述上滚轮外周面上设置有凸环，所述下滚轮承托所述硅片，上滚轮和下滚轮的轴线相互平行布置，上滚轮和下滚轮配合以传送所述硅片；所述凸环与硅片上的待印主栅线相切设置，凸环的轴线平行于硅片的表面设置，并且，凸环的轴线垂直于待印主栅线的长度方向布置。本实用新型专利技术达到改良外观的效果并且不影响电池片的效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种湿法刻蚀烘干槽的传送结构。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。现有技术中，晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括：清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中，刻蚀是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序，刻蚀工序的目的是将硅片非扩散面及侧面PN结以化学方法腐蚀掉。刻蚀装置包括上料区、刻蚀槽、第一水槽、碱槽、第二水槽、酸槽、第三水槽、烘干槽和下料区。所述烘干槽内包括与硅片下表面接触的下滚轮及与硅片上表面接触的上滚轮，下滚轮的外周面与硅片为面接触，主要起到传递硅片的作用；参见图1所示，上滚轮3上设有若干与硅片1上表面接触用于支撑硅片1的凸环4（O型圈），上滚轮3主要起到固定硅片1的作用。上滚轮3的O型圈容易吸附空气中的有机物，在与硅片1接触的位置产生凸环印5脏污痕迹，影响电池片外观和效率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种湿法刻蚀烘干槽的传送结构。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种湿法刻蚀烘干槽的传送结构，包括多个上滚轮、多个下滚轮以及设于上滚轮和下滚轮之间的硅片，其中：所述上滚轮外周面上设置有凸环，所述下滚轮承托所述硅片，上滚轮和下滚轮的轴线相互平行布置，上滚轮和下滚轮配合以传送所述硅片；所述凸环与硅片上的待印主栅线相切设置，凸环的轴线平行于硅片的表面设置，并且，凸环的轴线垂直于待印主栅线的长度方向布置。上述方案中，所述待印主栅线的数量为至少两条。优选地，所述待印主栅线的数量为四条。优选地，各上滚轮上与各块硅片配合的凸环的数量为至少两个，每个凸环对应一条待印主栅线。优选地，所述凸环的数量为两个。优选地，两个凸环分别对应两条最外侧的待印主栅线。优选地，两个凸环分别对应两条非相邻的待印主栅线。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：1．本技术的凸环印产生于镀膜之前，氮化硅之下的硅片上，印刷主栅线后，主栅线可以掩盖滚轮印达到消除外观不良的效果，同时正银浆料中的玻璃料会腐蚀氮化硅，在高温烧结的条件下使有机物挥发，脱离硅片表面，从而消除有机物，达到改良外观的效果并且不影响电池片的效率；2.本技术适用于不同主栅线结构的硅片；3.本技术结构简单，易于维护，适于推广。附图说明图1为现有技术结构俯视示意图。图2为本技术实施例一结构俯视示意图。图3为本技术实施例一结构侧视示意图。其中：1、硅片；2、待印主栅线；3、上滚轮；4、凸环；5、凸环印；6、下滚轮。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：实施例一：参见图2和图3所示，一种湿法刻蚀烘干槽的传送结构，包括多个上滚轮3、多个下滚轮6以及设于上滚轮3和下滚轮6之间的硅片1，其中：所述上滚轮3外周面上设置有凸环4，所述下滚轮6承托所述硅片1，上滚轮3和下滚轮6的轴线相互平行布置，上滚轮3和下滚轮6配合以传送所述硅片1；所述凸环4与硅片1上的待印主栅线2相切设置，凸环4的轴线平行于硅片1的表面设置，并且，凸环4的轴线垂直于待印主栅线2的长度方向布置。以此，硅片1相对于上滚轮3及凸环4移动过程中产生的凸环印位于待印主栅线2上。所述待印主栅线2的数量为四条。各上滚轮3上与各块硅片1配合的凸环4的数量为两个。两个凸环4分别对应两条最外侧的待印主栅线2。在实际应用中，若两个凸环4分别对应自上而下的第一条及第三条待印主栅线2，或者两个凸环4分别对应自上而下的第二条及第四条待印主栅线2也可达到相同效果。当待印主栅线2的数量为三条或者大于四条时，两个凸环4分别对应两条非相邻的待印主栅线2为佳，若两个凸环4分别对应两条相邻的待印主栅线2也可，只是稳定性不如对应两条非相邻的待印主栅线2好，当然，凸环4的数量也可设置为大于两个，如三个、四个或者更多，凸环4的数量及布置可根据待印主栅线2的数量调整。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法刻蚀烘干槽的传送结构，包括多个上滚轮、多个下滚轮以及设于上滚轮和下滚轮之间的硅片，其中：所述上滚轮外周面上设置有凸环，所述下滚轮承托所述硅片，上滚轮和下滚轮的轴线相互平行布置，上滚轮和下滚轮配合以传送所述硅片；其特征在于：所述凸环与硅片上的待印主栅线相切设置，凸环的轴线平行于硅片的表面设置，并且，凸环的轴线垂直于待印主栅线的长度方向布置。

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀烘干槽的传送结构，包括多个上滚轮、多个下滚轮以及设于上滚轮和下滚轮之间的硅片，其中：所述上滚轮外周面上设置有凸环，所述下滚轮承托所述硅片，上滚轮和下滚轮的轴线相互平行布置，上滚轮和下滚轮配合以传送所述硅片；其特征在于：所述凸环与硅片上的待印主栅线相切设置，凸环的轴线平行于硅片的表面设置，并且，凸环的轴线垂直于待印主栅线的长度方向布置。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀烘干槽的传送结构，其特征在于：所述待印主栅线的数量为至少两条。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀烘...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜大俊，潘励刚，郑旭然，刑国强，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32