一种天线装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种天线装置的制造方法，包括以下步骤：（1）提供一硅芯片，所述硅芯片至少具有两个射频元件；（2）设置一隔离沟槽，所述隔离沟槽隔离开所述两个射频元件；（3）提供一中介载板，具有相对的上表面和下表面；（4）在所述上表面挖槽形成凹槽，并在所述凹槽内形成内部导电图案；（5）在所述下表面形成导电图案和接地层；（6）将所述硅芯片倒装至所述凹槽内，并电连接至所述内部导电图案上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路装置，尤指涉及一种具有防止电磁干扰的天线装置的制造方法。
技术介绍
无线电通信系统的发展导致接收机和/或发射机链以集成电路的形式实施。已知的例子是用于便携式的移动射频(RF)收发机电路，卫星通信微波接收机，无线局域网射频(WLANRF)电路等等。典型的双极化接收机链具有射频发射机和接收机电路。因为两个接收机链需要同时操作，所以两个接收机链之间的干扰和电磁耦合应该最小化以免不需要的互调信号并实现最佳运行。当以集成电路形式提供时，电路包含具有集成电感的振荡器。因为电感和线圈是电磁辐射元件，所以在它们之间可能有电磁耦合和干扰。为了减少集成电路的两个接收机链之间的耦合，已知使用：在硅片上的大的距离以减少与振荡器的耦合；两个独立的电路；和倒装结构用于高频应用，因为这可以通过避免引线键合减少电磁耦合；然而，已知的方法通常导致集成电路的电路面积增加并因此需要更大的封装。此外，由于工作频率增加，隔离被减弱。结果，对于一些高频应用的隔离要求，例如卫星通信，不能通过已知的方法容易地满足。例如，对于卫星通信，用于双极化的两个接收机链之间隔离应该至少是在12GH60dB。然而，在传统的封装电路中的典型的隔离性能是在12GHz大约45dB。
技术实现思路
基于解决上述封装中的问题，本专利技术提供了一种天线装置的制造方法，包括以下步骤：（1）提供一硅芯片，所述硅芯片至少具有两个射频元件；（2）设置一隔离沟槽，所述隔离沟槽隔离开所述两个射频元件；（3）提供一中介载板，具有相对的上表面和下表面；（4）在所述上表面挖槽形成凹槽，并在所述凹槽内形成内部导电图案；（5）在所述下表面形成导电图案和接地层；（6）将所述硅芯片倒装至所述凹槽内，并电连接至所述内部导电图案上。根据本专利技术的实施例，还包括在所述中介载板中形成导电通孔，电连接所述凹槽内导电图案和所述下表面的导电图案。根据本专利技术的实施例，所述隔离沟槽大于所述两个射频元件的最大尺寸。根据本专利技术的实施例，还包括在所述隔离沟槽填充隔离物质。根据本专利技术的实施例，所述两个射频元件通过所述内部导电图案电连接至所述下表面的接地层和导电图案。根据本专利技术的实施例，所述导电通孔通过激光钻孔形成。根据本专利技术的实施例，所述凹槽的底壁的导电图案与所述导电通孔电连接，所述导电通孔与所述下表面的导电图案电连接。根据本专利技术的实施例，还包括在所述中介载板的侧面形成导电层，电连接至所述接地层。根据本专利技术的实施例，所述接地层被所述下表面的导电图案分离成互相电隔离的两部分。本专利技术的技术方案，利用隔开的接地层可最大程度的减小两射频元件间的电磁干扰，并且利用载板的侧面的导电层进行二次电磁屏蔽，进一步弱化外界的电磁干扰；在硅芯片设置隔离沟槽，防止两射频元件内部的电磁耦合。附图说明图1为本专利技术天线装置的剖面图；图2为本专利技术天线装置的俯视图；图3-6为本专利技术的天线装置的制造方法的过程示意图。具体实施方式参见图1，本专利技术提供了一种天线装置，包括：中介载板1，具有相对的上表面和下表面；位于所述上表面的凹槽2；位于所述凹槽2中的倒装硅芯片3，所述硅芯片3具有两个射频元件4、5；位于所述下表面的接地层，所述接地层由在所述下表面的下导电图案10隔为两部分，所述两个射频元件4、5分别电连接到所述接地层的两部分。参见图2，所述硅芯片1具有隔离所述两个射频元件4、5的隔离沟槽8，所述隔离沟槽8大于所述两个射频元件的最大尺寸，所述隔离沟槽8填充有隔离物质。所述凹槽2底壁和侧壁具有导电图案6，所述两个射频元件4、5通过导电球7和所述导电图案6电连接至所述下表面的接地层和导电图案10。所述中介载板1具有导电通孔11。所述凹槽2的底壁的导电图案6与所述导电通孔11电连接，所述导电通孔11与所述下表面的导电图案10电连接。所述上表面具有上导电层12所述中介载板1的侧面具有导电层9，电连接至所述接地层。其制造方法参见图3-6，具体包括：（1）参见图3，提供一硅芯片，所述硅芯片至少具有两个射频元件；该硅芯片还可以具有其他元件，例如电感、电容等；（2）设置一隔离沟槽，并在隔离槽内设置隔离材料，所述隔离沟槽隔离开所述两个射频元件；（3）参见图4，提供一中介载板，具有相对的上表面和下表面；（4）在所述上表面挖槽形成凹槽，然后利用激光开口工艺形成贯穿凹槽和下表面的导电通孔，并在所述凹槽内形成内部导电图案；（5）参见图5，在所述下表面接地层，在所述中介载板的上表面和下表面以及侧面均形成导电图案，并且导电通孔电连接内部导电图案和下表面的导电图案；（6）参见图6，将所述硅芯片倒装至所述凹槽内，并电连接至所述内部导电图案上。最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本专利技术的保护范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种天线装置的制造方法，包括以下步骤：（1）提供一硅芯片，所述硅芯片至少具有两个射频元件；（2）设置一隔离沟槽，所述隔离沟槽隔离开所述两个射频元件；（3）提供一中介载板，具有相对的上表面和下表面；（4）在所述上表面挖槽形成凹槽，并在所述凹槽内形成内部导电图案；（5）在所述下表面形成导电图案和接地层；（6）将所述硅芯片倒装至所述凹槽内，并电连接至所述内部导电图案上。

【技术特征摘要】
1.一种天线装置的制造方法，包括以下步骤：（1）提供一硅芯片，所述硅芯片至少具有两个射频元件；（2）设置一隔离沟槽，所述隔离沟槽隔离开所述两个射频元件；（3）提供一中介载板，具有相对的上表面和下表面；（4）在所述上表面挖槽形成凹槽，并在所述凹槽内形成内部导电图案；（5）在所述下表面形成导电图案和接地层；（6）将所述硅芯片倒装至所述凹槽内，并电连接至所述内部导电图案上。2.根据权利要求1所述的天线装置的制造方法，其特征在于，还包括在所述中介载板中形成导电通孔，电连接所述凹槽内导电图案和所述下表面的导电图案。3.根据权利要求1所述的天线装置的制造方法，其特征在于，所述隔离沟槽大于所述两个射频元件的最大尺寸。4.根据权利要求1所述的天线装置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王汉清，
申请(专利权)人：南通沃特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32