一种硅基片上平面螺旋电感制造技术

本发明专利技术涉及一种硅基片上平面螺旋电感，属于射频微电子器件技术领域。针对传统的由x.5圈平面螺旋线圈与封闭环状地平面构成的电感器，本发明专利技术根据空心变压器理论，提出将封闭环状地平面沿电感线圈的“多半圈”一侧切开并去除该侧部分；将靠近电感线圈“少半圈”一侧的环状地平面内侧加厚；在电感线圈“少半圈”一侧正下方与导线垂直方向上放置若干等间距的接地金属条、在电感线圈“多半圈”一侧最外层导线正下方放置1根与导线等宽两端接地平面且中间断开的金属条的技术方案。按照本发明专利技术提出的结构能使传统电感的感值和Q值皆提升20％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频微电子器件
，涉及一种新结构的硅基片上平面螺旋电感。
技术介绍
片上平面螺旋电感是硅基射频集成电路中的常用器件，可以用于LC滤波器、低噪声放大器、功率放大器、混频器、压控振荡器等电路中。随着集成电路设计工艺的发展，CMOS工艺成为在成本、功耗控制、集成度等方面的最优选择。但是，硅衬底比III-V族化合物衬底的电导率高，所以工作在高频时高电导率的硅衬底和电感线圈之间的电磁相互作用会引起更高的损耗，体现在宏观性能上即硅基片上平面螺旋电感的Q值较低。为了削弱电感线圈与硅衬底之间的相互作用、减小损耗、提升电感的Q值，国内外学者或科研机构提出了一些有价值的技术途径。其中一种方法是利用先进的MEMS技术将电感下的硅衬底镂空使电感的性能得到极大的提升，但是该方法造价昂贵，与低成本的CMOS集成电路设计宗旨不符。文献“X.Sun,G.Carchon,Y.Kita,etal,Experimentalanalysisofabove-ICinductorperformancewithdifferentpatternedgroundshieldconfigurationsanddummymetals,Proceedingsofthe36thEuropeanMicrowaveConference,2006,pp.40-43”研究了在电感下方放置不同形状的接地隔离层来提升电感的Q值，但实际上只能实现最大Q值1.7％左右的改善。文献“LagoiaFonsecaJr.,P.N.andC.Kretly,RFintegratedInductor:ImprovingQ-FactorwithDoubleGroundShieldforBiCMOSTechnology,ProceedingsofICMMT,2008”提出在电感下方挖出深N阱并交替放置接地且不相互接触的n+掺杂条和多晶硅条来提高电感的质量，报道中指出该方法能够对最大Q值提升50％以上。但该方法受工艺限制，文中的实验仅是在锗硅工艺下做了近似仿真，没有证实对标准CMOS工艺也有效，因此限制了该方法的使用范围。专利“Q值改善的具有硅贯通孔围篱的芯片上电感器(专利号：CN200810111031.9)”提出在另外的绝缘体上设计电感来提升电感的Q值，同样不具有硅基工艺的普适性。专利“降低片上电感和片上天线串连电阻的方法(专利号：CN200510027597.X)”提出设计电感金属线的多电流路径以改善电感的质量，但该方法只对电感的高频性能有所提升，且对Q值的提升不到5％。就专利技术人所知，到目前为止，尚未有能够提升电感Q值20％以上且对标准CMOS工艺普适的技术方法或结构问世。
技术实现思路
本专利技术提出一种有别于传统设计的新型结构以明显地改善硅基片上平面螺旋电感的质量。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种硅基片上平面螺旋电感，沿着传统的x.5圈硅基片上平面螺旋电感线圈“多半圈”最外层导线的外侧将封闭环状地平面切开并去除该侧部分得到开放环状地平面；沿开放环状地平面靠近电感线圈“少半圈”一侧的内侧将其加厚至基准线位置，所述基准线为沿电感线圈“少半圈”最内层导线的内侧所作的直线；在开放环状地平面且与基准线垂直方向上设置有第一至第二金属条，所述两根金属条分别位于电感线圈最外层导线的正下方，每个金属条的两端分别与第三金属条和开放环状地相连接；在开放环状地平面且位于电感线圈“多半圈”最外层导线的正下方设置有第三金属条，所述第三金属条的两端与开放环状地平面相连接且中间位置断开；其中，x为自然数。其中，第一金属条和第二金属条之间且与第一金属条相平行设置有一根或者多根短金属条，每根短金属条的一端延伸至基准线，另一端与开放环状地相连接。其中，多根短金属条之间的间隔相同或者不同。其中，所述第一至第三金属条、短金属条的宽度均与电感线圈的宽度相同。其中，以输入输出端口的连线为分界线，导线多的一侧为电感线圈“多半圈”，导线少的一侧为电感线圈“少半圈”。与现有技术相比，本专利技术的优点及显著效果为：1)本专利技术采用开放环状地平面结构，该结构比传统的封闭环状地平面结构占据更小的芯片面积。2)本专利技术提出的加厚开放地平面结合接地金属条的结构能够使硅基片上平面螺旋电感的Q值比传统结构提升20％以上。3)本专利技术创造性的利用开放环状地平面为电感提供了正向感应电流回路，因此提升了线圈的整体感值。附图说明图1是标准CMOS工艺的衬底与各金属层的横截面示意图；图2是传统硅基片上平面螺旋电感；图3是本专利技术改进后的硅基片上平面螺旋电感；图4是本专利技术的带环状地平面片上平面螺旋电感的等效电路；图5是传统电感与改进后电感实例的电磁场仿真结果对比图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细的说明。图1所示为标准CMOS工艺的衬底与金属层次结构。图2为基于图1所示衬底的传统片上平面螺旋电感。电感由一个x.5圈(x＝1,2,3…)的平面螺旋线圈与封闭环状地平面构成，其中平面螺旋线圈采用顶层金属Mn设计、封闭环状地平面采用底层金属M1或次底层金属M2。以输入输出端口的连线为分界线，导线多的一侧为电感线圈“多半圈”，导线少的一侧为电感线圈“少半圈”；电感线圈的最外层导线仅指最外层水平方向或者竖直方向的线圈；最内层导线仅指最内层水平方向或者竖直方向的线圈(实施例为水平方向的线圈)。为提升图2所示电感的性能，本专利技术采用图3所示的设计方案，与图2不同的是，图3中的环状金属地平面不再是封闭结构，而是被沿着电感线圈“多半圈”最外层导线的外侧切开并去除该侧部分后形成的开放结构，电感的几何尺寸、所用金属层及其与地平面的间距不变。该操作对实现传统片上平面螺旋电感性能提升至关重要。图4为图3所示片上平面螺旋电感的等效电路。图4中R1、R2分别为电感线圈与地平面的寄生电阻，L1、L2分别为电感线圈与地平面的自感，M为电感线圈与地平面之间的互感。根据空心变压器原理，无论图2还是图3所示的片上平面螺旋电感，其输入阻抗都可以表达为：整理后可得电感的输入等效电阻Reff和电感值Leff分别为：由式(2)和式(3)可知无论电感线圈周围存在封闭还是开放环状地，与裸线圈相比电感的等效电阻都是增加的、等效感值都是减小的。但是两者感值L和Q值在高频处有明显的区别，这时是因为两者的互感M有大小之分。其中图2所示的电感(前者)，线圈与整个封闭环状地之间都有互感，而图3所示的电感(后者)的互感主要贡献来自于线圈“少半圈”一侧与开放环状地之间，因此，前者的互感M大于后者。根据式(2)和(3)前者的等效电阻Reff较大、等效电感Leff较小。而较大的Reff是限制前者Q值的主要原因。由此可知，本专利技术所提出的技术方案能够同时提升传统平面螺旋电感的感值和Q值。根据以上理论分析，若开放环状地平面靠近电感线圈“多半圈”一侧，产生的互感仍大于靠近“少半圈”一侧，因此本专利技术提出的方案是最优化的方案。由于开放环状地平面为电感提供回流路径，故本专利技术的实施沿着电感线圈“少半圈”一侧对开放环状地平面的内侧用金属过孔连接地平面金属层至顶层金属，做“П”型加厚处理，如图3所示，加厚到达图中虚线(基准线：)所处的位置。该步骤的加厚处理减小了回流路径的寄生电阻，即减小了式(2)中的R2，一般情况本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基片上平面螺旋电感，其特征在于：沿着传统的x.5圈硅基片上平面螺旋电感线圈“多半圈”最外层导线的外侧将封闭环状地平面切开并去除该侧部分得到开放环状地平面；沿开放环状地平面靠近电感线圈“少半圈”一侧的内侧将其加厚至基准线位置，所述基准线为沿电感线圈“少半圈”最内层导线的内侧所作的直线；在开放环状地平面且与基准线垂直方向上设置有第一至第二金属条，所述两根金属条分别位于电感线圈最外层导线的正下方，每个金属条的两端分别与第三金属条和开放环状地相连接；在开放环状地平面且位于电感线圈“多半圈”最外层导线的正下方设置有第三金属条，所述第三金属条的两端与开放环状地平面相连接且中间位置断开；其中，x为自然数。

【技术特征摘要】
1.一种硅基片上平面螺旋电感，其特征在于：沿着传统的x.5圈硅基片上平面螺旋电感线圈“多半圈”最外层导线的外侧将封闭环状地平面切开并去除该侧部分得到开放环状地平面；沿开放环状地平面靠近电感线圈“少半圈”一侧的内侧将其加厚至基准线位置，所述基准线为沿电感线圈“少半圈”最内层导线的内侧所作的直线；在开放环状地平面且与基准线垂直方向上设置有第一至第二金属条，所述两根金属条分别位于电感线圈最外层导线的正下方，每个金属条的两端分别与第三金属条和开放环状地相连接；在开放环状地平面且位于电感线圈“多半圈”最外层导线的正下方设置有第三金属条，所述第三金属条的两端与开放环状地平面相连接且中间位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨格亮，田素雷，陈明辉，廖春连，曲明，许仕龙，杜克明，郝亚男，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13