一种顶发射WOLED显示器制造技术

技术编号:14698827 阅读:10 留言:0更新日期:2017-02-24 10:04
本发明专利技术提供了一种顶发射WOLED显示器。所述显示器的RGB三个子像素的阳极层和反射金属层之间加入均匀厚度的光学调制层通过光学调制层的设置,可增加WOLED层至反射金属层的距离,增加了白光OLED的总腔长,克服顶发射WOLED微腔效应,这样就不需要将蓝绿红三个子像素中阳极厚度依次增加,只需将R、G、B的阳极层分别设置层等厚的,可以实现具有红绿蓝三个峰的白光。这样工艺就简单了。本发明专利技术非常适合制备高分辨率,广色域的AMOLED显示器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种顶发射WOLED显示器,属于显示

技术介绍
目前越来越多的手机采用AMOLED显示屏。目前量产的AMOLED显示屏使用了精密金属掩膜板(FineMetalMask,简称FMM)制备具有红绿蓝三个子像素。但是随着市场对屏幕分辨率要求越来越高,受到FMM精度限制,这种技术路线也显得越来越力不从心。顶发射白光OLED和彩色滤光片(colorfilter,简称CF)结合,更适合制备高分辨率AMOLED显示器。OLED具有:重量轻、厚度薄、亮度高、反应速度快、视角大、不需要背光源、制造成本低、及可弯曲等优势。白光OLED是由合并使用多种可发出不同颜色的荧光材料或磷光材料,以使其发出白光。但是问题在于顶发射白光OLED有较强的微腔效应,难以同时出射具有红绿蓝三个峰的白光,以至于通过CF后得到的红绿蓝三原色色纯度较差。为克服顶发射白光OLED(WOLED)微腔效应,传统的做法是将蓝绿红三个子像素中阳极厚度依次增加,来调节不同光色对腔长的要求,如图1所示,但这种结构工艺复杂。
技术实现思路
针对上述现有技术中的问题,本申请提出了一种工艺简单的顶发射WOLED显示器。本专利技术的一种顶发射WOLED显示器,所述显示器的RGB三个子像素的阳极层51和反射金属层2之间加入光学调制层3。根据本专利技术的优选实施方式,所述RGB三个子像素的阳极层等厚度根据本专利技术的优选实施方式,所述光学调制层3为折射率n>1.7的透明材料。根据本专利技术的优选实施方式,所述光学调制层3的厚度在100nm~500nm之间。根据本专利技术的优选实施方式,所述光学调制层3为相互叠加的两层或两层以上的透明薄膜,相邻的两层透明薄膜之间设有一层氧化物插入层。根据本专利技术的优选实施方式,所述透明薄膜为ITO薄膜、IZO薄膜和AZO薄膜中的一种。根据本专利技术的优选实施方式,所述显示器包括带有TFT阵列的基板1、反射金属层2、光学调制层3、WOLED层5、封装胶材层6、彩色滤光片7、密封胶框4和盖板玻璃8;反射金属层2形成于TFT阵列的基板上,光学调制层3形成于反射金属层2上,WOLED层5形成于光学调制层3上,封装胶材层6形成于WOLED层5上,盖板玻璃8位于封装胶材上方,彩色滤光片7贴合在盖板玻璃8内侧,盖板玻璃8与带有TFT阵列的基板1之间通过密封胶框4固定。根据本专利技术的优选实施方式,所述反射金属层2的材料为铝、铝合金、银或银合金,反射金属层2的厚度在80nm到300nm之间。根据本专利技术的优选实施方式,带有TFT阵列的基板1为玻璃基板、塑料基板或金属基板。根据本专利技术的优选实施方式,所述WOLED层5包括阳极层51、发光单元和半透明阴极层;根据本专利技术的优选实施方式,半透明阴极层形成于发光层上,发光单元阳极层51上。根据本专利技术的优选实施方式,所述半透明阴极层采用低功函金属材料,可以采用单一低功函金属材料或多种的组合,所述半透明阴极层的膜厚在10nm到30nm之间。根据本专利技术的优选实施方式,所示发光单元包括功能层、发光层和连接层,依照功能需要,通过连接层,增减功能层和发光层数量及进行组合排列。根据本专利技术的优选实施方式,所述发光层为各种颜色发光层,依照功能需要,增减各种颜色发光层数量及进行组合排列。根据本专利技术的优选实施方式,所述功能层为空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层组合排列,依照功能可以增减膜层数量。根据本专利技术的优选实施方式,所述阳极层51为ITO薄膜和/或IZO薄膜,阳极层51厚度在10nm到100nm之间。本专利技术的有益效果在于,本实施方式的白光OLED显示器因为在反射金属层和WOLED层的阳极层之间设置了均匀厚度的光学调制层,通过光学调制层的设置,可增加WOLED层至反射金属层的距离,以降低WOLED层所发出的光的能量耦合进入表面等离子体态,进而提升出光效率,增加光学等效厚度。因为设置了光学调制层,增加了白光OLED的总腔长,克服顶发射WOLED微腔效应,这样就不需要将蓝绿红三个子像素中阳极厚度依次增加,只需将R、G、B的阳极层分别设置层等厚的,或者一个等厚的阳极层,可以实现具有红绿蓝三个峰的白光。这样工艺就简单了。本专利技术非常适合制备高分辨率,广色域的AMOLED显示器。上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代,只要能够达到本专利技术的目的。附图说明图1为现有顶发射WOLED显示器的原理示意图。图2为本专利技术带有光学调制层的顶发射WOLED显示器的原理示意图。图3为本专利技术中光学调制层的原理示意图。图4为本专利技术中两个发光单元的WOLED层原理示意图。图5为本专利技术中三个发光单元的WOLED层原理示意图。图6为图2所示的顶发射WOLED显示器出射红绿蓝三个峰的白光曲线示意图。在附图中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明,但不作为本专利技术的限定。本专利技术基于如下发现:如图1所示,现有的顶发射WOLED显示器,包括带有TFT阵列的基板、反射金属层、WOLED层、封装胶材层、彩色滤光片、密封胶框和盖板玻璃;反射金属层形成于TFT阵列的基板上,WOLED层形成于反射金属层上,封装胶材层形成于WOLED层上,盖板玻璃位于封装胶材上方,彩色滤光片贴合在盖板玻璃内侧,盖板玻璃与带有TFT阵列的基板之间通过密封胶框固定;WOLED层的阳极包括R阳极层、G阳极层和B为克服顶发射白光OLED(WOLED)微腔效应,将R阳极层、G阳极层和B阳极层厚度依次增加,来调节不同光色对腔长的要求,增加了制作工艺的难度。基于上述问题,本专利技术旨在提供一种工艺简单的的顶发射WOLED显示器。一种顶发射WOLED显示器,所述显示器的RGB三个子像素的阳极层51和反射金属层2之间加入均匀厚度的光学调制层3,且RGB三个子像素的阳极层51等厚度。在本实例中,白光OLED显示器因为在反射金属层和WOLED层的阳极层之间设置了均匀厚度的光学调制层,通过光学调制层的设置,可增加WOLED层至反射金属层的距离,以降低WOLED层所发出的光的能量耦合进入表面等离子体态,进而提升出光效率,增加光学等效厚度。因为设置了光学调制层,增加了白光OLED的总腔长,克服顶发射WOLED微腔效应,这样就不需要将蓝绿红三个子像素中阳极厚度依次增加,只需将R、G、B的阳极层分别设置层等厚的,或者一个等厚的阳极层,可以实现具有红绿蓝三个峰的白光。这样工艺就简单了。本专利技术非常适合制备高分辨率,广色域的AMOLED显示器。在优选的实施例中,顶发射WOLED显示器,在现有的顶发射WOLED显示器基础上增加了光学调制层3,具体包括:带有TFT阵列的基板1、反射金属层2、光学调制层3、WOLED层5、封装胶材层6、彩色滤光片7、密封胶框4和盖板玻璃8;反射金属层2形成于TFT阵列的基板上,光学本文档来自技高网...
一种顶发射WOLED显示器

【技术保护点】
一种顶发射WOLED显示器,其特征在于,所述显示器的RGB三个子像素的阳极层和反射金属层之间加入光学调制层。

【技术特征摘要】
1.一种顶发射WOLED显示器,其特征在于,所述显示器的RGB三个子像素的阳极层和反射金属层之间加入光学调制层。2.根据权利要求1所述的一种顶发射WOLED显示器,其特征在于,所述RGB三个子像素的阳极层等厚度。3.根据权利要求1所述的一种顶发射WOLED显示器,其特征在于,所述光学调制层为折射率n>1.7的透明材料。4.根据权利要求3所述的一种顶发射WOLED显示器,其特征在于,所述光学调制层的厚度在100~500nm之间。5.根据权利要求3所述的一种顶发射WOLED显示器,其特征在于,所述显示器包括带有TFT阵列的基板、反射金属层、光学调制层、WOLED层、封装胶材层、彩色滤光片、密封胶框和盖板玻璃;反射金属层形成于TFT阵列的基板上,光学调制层形成于反射金属层上,WOLED层形成于光学调制层上,封装胶材层形成于WOLED层上,盖板玻璃位于封装胶材上方,彩色滤光片贴合在盖板玻璃内侧,盖板玻璃与带有TFT阵列的基板之间...

【专利技术属性】
技术研发人员:李先杰彭其明
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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