聚合物、有机场致发光元件用组合物、有机场致发光元件、有机EL显示装置及有机EL照明制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种能够在低温短时间发生不溶化、空穴注入传输能力高、耐久性也高的聚合物，以及包含该聚合物的有机场致发光元件用组合物。本发明专利技术的聚合物具有下述式(1)所示的交联性基团。(式(1)中的1,2‑二氢环丁[a]萘环任选具有取代基。)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种聚合物，特别是作为有机场致发光元件的空穴注入层及空穴传输层有用的聚合物、含有该聚合物的有机场致发光元件用组合物、以及具有该有机场致发光元件的有机EL(ElectroLuminescence)显示装置及有机EL照明。
技术介绍
作为有机场致发光元件中的有机层的形成方法，可以举出真空蒸镀法和湿式成膜法。真空蒸镀法容易叠层化，因此具有可改善从阳极和/或阴极的电荷注入、容易将激子封入发光层内这样的优点。另一方面，湿式成膜法则具有无需真空工艺，易于实现大面积化，并且能够容易地通过使用混合有具有各种功能的多种材料的涂布液来形成含有具有各种功能的多种材料的层等优点。但是，由于湿式成膜法难以实现叠层化，因此，与利用真空蒸镀法得到的元件相比，驱动稳定性差，其现状是除了一部分以外尚未达到实用水平。因此，为了利用湿式成膜法进行叠层化，希望具有涂布后不溶化的交联性基团的电荷传输性聚合物，并进行了这样的电荷传输性聚合物的开发。具体来说，专利文献1～4中公开了具有耐久性优异的苯并环丁烯作为交联性基团、且具有传输性优异的芳胺结构作为电荷传输性部位的聚合物。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2009/123269号专利文献2：国际公开第2011/078387号专利文献3：国际公开第2011/093428号专利文献4：国际公开第2013/191137号
技术实现思路
专利技术要解决的课题根据本专利技术人等的研究可知，为了使专利文献1～4中记载的含有苯并环丁烯的聚合物不溶化，需要大量能量，需要高温长时间的烧成，因此会产生问题。具体来说，可知由于在基板及隔层、绝缘膜、显示装置中必须要提高TFT等构件的耐热性、烧成需要长时间，因此只能少量地制造元件。因此，本专利技术的课题在于提供一种能够在低温短时间发生不溶化、空穴注入传输能力高、且耐久性也高的聚合物，以及包含该聚合物的有机场致发光元件用组合物。另外，本专利技术的课题在于提供一种能够简便地制造、且亮度高、驱动寿命也长的有机场致发光元件。解决课题的方法本专利技术人等进行了深入研究的结果发现，通过使用具有特定的交联性基团的聚合物，可解决上述课题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术具有以下的[1]～[12]的构成。[1]具有下述式(1)所示的交联性基团的聚合物，[化学式1](式(1)中的1,2-二氢环丁[a]萘环任选具有取代基。)[2]上述[1]所述的聚合物，其包含下述式(2)所示的重复单元，[化学式2](式(2)中，p表示0以上且3以下的整数，Ar1及Ar2各自独立地表示直接键、任选具有取代基的芳香族烃基、或任选具有取代基的芳香族杂环基团，Ar3～Ar5各自独立地表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的芳香族杂环基团，其中，Ar1及Ar2的任意基团不为直接键。)[3]上述[1]所述的聚合物，其包含下述式(3)所示的重复单元，[化学式3](式(3)中，q表示0以上且3以下的整数，R1表示任选具有取代基的碳原子数1～24的烷基、任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的芳香族杂环基团，Ar6及Ar7各自独立地表示直接键、任选具有取代基的芳香族烃基、或任选具有取代基的芳香族杂环基团，Ar8～Ar12各自独立地表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的芳香族杂环基团，其中，Ar6及Ar7的任意基团不为直接键。)[4]上述[1]所述的聚合物，其包含下述式(4)所示的重复单元，[化学式4](式(4)中，r表示0以上且3以下的整数，Ar13、Ar14、Ar16及Ar17各自独立地表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的芳香族杂环基团，Ar15表示直接键、任选具有取代基的芳香族烃基、或任选具有取代基的芳香族杂环基团。)[5]上述[1]～[4]中任一项所述的聚合物，其重均分子量(Mw)为20,000以上、分散度(Mw/Mn)为2.5以下。[6]一种有机场致发光元件用组合物，其含有上述[1]～[5]中任一项所述的聚合物。[7]一种有机场致发光元件，其具有基板、位于基板上的阳极、阴极、以及位于该阳极和该阴极之间的有机层，其中，该有机层包含使用上述[6]所述的有机场致发光元件用组合物并利用湿式成膜法形成的层。[8]上述[7]所述的有机场致发光元件，其中，所述利用湿式成膜法形成的层是空穴注入层及空穴传输层中的至少一者。[9]上述[7]或[8]所述的有机场致发光元件，其中，在阳极和阴极之间包含空穴注入层、空穴传输层及发光层，所述空穴注入层、空穴传输层及发光层均是通过湿式成膜法形成的。[10]一种有机EL显示装置，其具有上述[7]～[9]中任一项所述的有机场致发光元件。[11]一种有机EL照明，其具有上述[7]～[9]中任一项所述的有机场致发光元件。[12]下述式(5)所示的化合物，[化学式5](式(5)中，X表示卤原子。)专利技术的效果使用含有本专利技术聚合物的有机场致发光元件用组合物通过湿式成膜而得到的层不会产生裂纹等，其是平坦的层。采用本专利技术的有机场致发光元件，亮度高、驱动寿命长。附图说明[图1]图1是示出本专利技术的有机场致发光元件的结构例的剖面示意图。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式进行详细说明，但以下记载的构成要件的说明是本专利技术实施方式的一例(代表例)，在不超出本专利技术的要点的范围内，本专利技术并不限于这些内容。另外，在本说明书中，以“质量”表示的百分率及份与以“重量”表示的百分率及份意思相同。＜聚合物＞本专利技术的聚合物具有下述式(1)所示的交联性基团。[化学式6](式(1)中的1,2-二氢环丁[a]萘环任选具有取代基。)作为式(1)中的1,2-二氢环丁[a]萘环所任选具有的取代基，优选不易阻碍交联反应的基团，具体可以举出碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的烷氧基等。式(1)所示的交联性基团在热的作用下，如下述反应式(6)所示进行开环。下述反应式(6)的开环反应的活化能小于以往作为交联性基团使用的苯并环丁烯的开环反应的活化能。[化学式7]开环后，进行下述反应式(7)这样的加成反应。[化学式8]在一连串的交联反应中，与加成反应相比，开环反应通常需要较高的活化能。因此，开环反应的活化能小、且包含以1,2-二氢环丁[a]萘作为交联性基团的式(1)的聚合物能够在低温短时间不溶。即，具有上述式(1)所示的交联性基团的聚合物在低温的不溶化速度依赖于上述式(1)所示的交联性基团，从上述机理考虑，本专利技术的聚合物能够在短时间内实现在低温下的不溶化。作为适于电荷传输的部分结构，可以举出：三芳基胺结构；芴环、蒽环、芘环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吩嗪环、菲绕啉环等3环以上的芳香族环结构；吡啶环、吡嗪环、三嗪环、喹啉环、噻吩环、吡咯环、咪唑环、吡唑环、二唑环、苯并噻二唑环等芳香族杂环结构；金属络合物结构等，从空穴传输性优异这点考虑，优选三芳基胺结构。从提高电荷传输性这点考虑，本专利技术的聚合物优选包含下述式(2)所示的重复单元。[化学式9](式(2)中，p表示0以上且3以下的整数，Ar1及Ar2各自独立地表示直接键、任选具有取代基的芳香族烃基、或任选具有取代基的芳香族杂环基团，Ar3～Ar5各自独立地表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的芳香族杂环基团，其中，Ar1及Ar2中的至少一个基团本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有下述式(1)所示的交联性基团的聚合物，式(1)中的1,2‑二氢环丁[a]萘环任选具有取代基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.03 JP 2014-0407691.具有下述式(1)所示的交联性基团的聚合物，式(1)中的1,2-二氢环丁[a]萘环任选具有取代基。2.根据权利要求1所述的聚合物，其包含下述式(2)所示的重复单元，式(2)中，p表示0以上且3以下的整数，Ar1及Ar2各自独立地表示直接键、任选具有取代基的芳香族烃基、或任选具有取代基的芳香族杂环基团，Ar3～Ar5各自独立地表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的芳香族杂环基团，其中，Ar1及Ar2的任意基团不为直接键。3.根据权利要求1所述的聚合物，其包含下述式(3)所示的重复单元，式(3)中，q表示0以上且3以下的整数，R1表示任选具有取代基的碳原子数1～24的烷基、任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的芳香族杂环基团，Ar6及Ar7各自独立地表示直接键、任选具有取代基的芳香族烃基、或任选具有取代基的芳香族杂环基团，Ar8～Ar12各自独立地表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的芳香族杂环基团，其中，Ar6及Ar7的任意基团不为直接键。4.根据权利要求1所述的聚合物，其包含下述式(4)所示的重复单元，式(4)中，r表示0以上且3以...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭田宏一朗，李延军，梅基友和，高玘，五郎丸英贵，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP