【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新能源电池领域,具体地说,特别涉及到一种具有垂直PN异质结的太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
参见图1,异质结本征薄膜太阳能电池在N型晶体硅衬底上生长出厚度约为10nm的P型非晶硅薄膜;为了降低电池的反向漏电流,需在中间夹入一层本征的非晶硅薄层,形成了异质结本征薄膜(HIT)太阳能电池结构。该结构具有以下两个特点:1)有源区是由禁带宽度不同的非晶硅薄膜和晶体硅构成的异质结,提高了内建电场,增大了开路电压和短路电流。2)采用禁带宽度大于晶体硅的非晶硅薄膜(Eg=1.7eV)作为光吸收层,增加了对能量较高的短波长太阳光的吸收,提高了转换效率。这种常规结构的异质结是一种反向的大面积二极管结构。在P和单晶硅、N和单晶硅之间都插入了一层本征的非晶硅i,作为钝化层。但是,这种常规异质结电池的光生电动势由非晶硅的P层和N层产生光生电压,而电流由单晶硅片吸收太阳光产生。无论单面电池还是双面电池,可见光在到达吸收层之前必须经过P层或者N层,这样势必造成一定的光损失。而且P和N与吸收层的界面也会造成很大的光损失。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术中的不足,提供一种具有垂直PN异质结的太阳能电池及其制作方法,以解决现有技术中存在的问题。本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:一种具有垂直PN异质结太阳能电池结构,包括单晶硅片,在所述单晶硅片的一面设有背反射层,在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构,在所述单晶硅片的一端设有正电极,单晶硅片的另一端设有负电极,在所述正电极的内侧设有P+掺杂层,在所述负电极的内侧设有N+掺杂层,在所述 ...
【技术保护点】
一种具有垂直PN异质结太阳能电池结构,其特征在于:包括单晶硅片,在所述单晶硅片的一面设有背反射层,在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构,在所述单晶硅片的一端设有正电极,单晶硅片的另一端设有负电极,在所述正电极的内侧设有P+掺杂层,在所述负电极的内侧设有N+掺杂层,在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构,所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层,在所述P+掺杂层和N+掺杂层的外侧设有钝化层,所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上,且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。
【技术特征摘要】
1.一种具有垂直PN异质结太阳能电池结构,其特征在于:包括单晶硅片,在所述单晶硅片的一面设有背反射层,在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构,在所述单晶硅片的一端设有正电极,单晶硅片的另一端设有负电极,在所述正电极的内侧设有P+掺杂层,在所述负电极的内侧设有N+掺杂层,在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构,所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层,在所述P+掺杂层和N+掺杂层的外侧设有钝化层,所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上,且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。2.根据权利要求1所述的具有垂直PN异质结太阳能电池结构,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭群超,王珺,朱红英,
申请(专利权)人:上海电机学院,
类型:发明
国别省市:上海;31
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