高频封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种高频封装结构，包含一接地引脚，耦接于一晶粒的一接地部，设置于该高频封装结构的一侧边，该接地引脚占据该侧边，该接地引脚具有一孔槽；以及一讯号引脚，设置于该孔槽之中；其中，该接地引脚环绕该讯号引脚，该接地引脚与该讯号引脚形成一接地－讯号－接地结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高频封装结构，尤其指一种可降低高频损耗的高频封装结构。
技术介绍
行动通讯系统及卫星通讯系统常需进行高频操作，而传统封装结构并未针对高频操作进行设计，因此传统封装结构在高频下会产生严重的损耗而使传统封装结构的高频效能下降。详细来说，传统封装结构通常通过一打线接合(WireBonding)制程，利用接和线(BondingWires)将一晶粒(Die)以及一引脚(Lead)相互接合，接着通过一模封(Molding)制程，将晶粒以及引脚以一模封塑料(MoldingCompound)包覆而成。然而，模封塑料通常由高损耗的材质制成，因此会产生电感效应而导致高频损耗恶化。举例来说，请参考图1A至图1C，图1A至图1C分别为现有的一封装结构10的剖面图、俯视图及仰视图。封装结构10包含一晶粒100，晶粒100黏着于一晶粒座(DiePad)102，并通过接合线106连接至引脚104。封装结构10在经过一模封制程之后，接合线106及引脚104均会由模封塑料所覆盖，因此在接合线106及引脚104附近会产生电感效应。需注意的是，晶粒100与其周围的引脚104具有高度差(即晶粒100的一顶面与其周围的引脚104的一顶面之间并未相互共平面)，接合线106的长度必须够长才能连接晶粒100与引脚104，然而，接合线106的长度越长，其所造成的电感效应越大，导致高频损耗也更加严重。因此，现有技术有改善的必要。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的在于提供一种可降低高频损耗的高频封装结构，以改善现有技术的缺点。本专利技术揭露一种高频封装结构，包含一接地引脚，耦接于一晶粒的一接地部，并设置于所述高频封装结构的一侧边，所述接地引脚占据所述侧边，所述接地引脚具有一孔槽；以及一讯号引脚，设置于所述孔槽之中；其中，所述接地引脚环绕所述讯号引脚，所述接地引脚与所述讯号引脚形成一接地－讯号－接地(Ground-Signal-Ground，GSG)结构。附图说明图1A至图1C分别为现有的一封装结构的剖面图、俯视图及仰视图。图2为一电路模型的示意图。图3A及图3B分别为本专利技术实施例的一高频封装结构的俯视图及仰视图。图4为本专利技术实施例的一高频封装结构的俯视图。符号说明10、30、40高频封装结构100、300晶粒102、302晶粒座104引脚106、306接合线340、342接地引脚分段344接地引脚446、346讯号引脚3460下讯号引脚部3462上讯号引脚部4460中央部4462、4464突出部L1、L2电感S1侧边具体实施方式关于接合线及引脚附近所产生的电感效应请参考图2，图2为一封装结构的一电路模型示意图。在图2中，电感L1代表接合线附近所产生的电感效应，而电感L2代表引脚附近所产生的电感效应。无论是降低电感L1或电感L2，均可减轻封装结构的高频损耗，进而提升封装结构的高频效能。为了降低引脚附近的电感L2，高频封装结构的引脚可经适当设计而形成为传输线。请参考图3A及图3B，图3A及图3B分别为本专利技术实施例的一高频封装结构30的俯视图及仰视图。高频封装结构30包含讯号引脚346以及接地引脚344，接地引脚344设置于高频封装结构30的一侧边S1，讯号引脚346及接地引脚344可经设计而形成为传输线(TransmissionLine)，讯号引脚346通过接合线306连接于一晶粒300，用来传递晶粒300的一讯号。接地引脚344占据高频封装结构30的整个侧边S1，接地引脚344也通过接合线306连接于晶粒300的一接地部。接地引脚344具有一孔槽，且讯号引脚346设置于所述孔槽之中，即接地引脚344环绕讯号引脚346且接地引脚344与讯号引脚346分离。通过将讯号引脚346及接地引脚344设计成传输线可有效降低引脚附近的电感L2，进而提升高频封装结构30的高频效能。另外，接地引脚344连接于晶粒300的接地部，即接地引脚344的电位维持在固定接地电位，因此接地引脚344及讯号引脚346形成接地－讯号－接地(Ground-Signal-Ground，GSG)结构，可以更进一步地提升高频封装结构30的高频效能。另外，连接晶粒300与讯号引脚346的接合线306设置于连接晶粒300与接地引脚344的接合线306之中，即接合线306也形成一接地－讯号－接地结构，可更进一步地提升高频封装结构30的高频效能。另外，接地引脚344可包含接地引脚分段340、342，接地引脚分段340、342相隔所述孔槽而彼此相互分离，同时接地引脚分段340、342环绕讯号引脚346。接地引脚分段340、342均连接于晶粒300的接地部，如此一来，接地引脚分段340、342的电位均维持在固定的接地电位，以形成接地－讯号－接地结构。较佳地，接地引脚344的一顶面及讯号引脚346的一顶面位于相同的水平位准(或位于相同的高度)，即接地引脚344的顶面与讯号引脚346的顶面共平面(或相互对齐)，如此一来，可使讯号引脚346的讯号辐射更加稳定，进而提升高频封装结构30的高频效能。另外，如图3B所示，讯号引脚346包含一上讯号引脚部3462以及一下讯号引脚部3460，下讯号引脚部3460较上讯号引脚部3462窄，因此，经过一模封制程后，模封塑料可对讯号引脚346形成较佳的固定效果。较佳地，高频封装结构30的一晶粒座302可具有一凹槽308，晶粒300可设置于晶粒座302的凹槽308中，使得晶粒300的一顶面大致与接地引脚344及讯号引脚346的顶面相互共平面(或相互对齐)，在此情形下，可缩短接合线306的长度而有效降低接合线附近的电感L1，进而提升高频封装结构30的高频效能。由上述可知，本专利技术的高频封装结构将讯号引脚及接地引脚设计而形成传输线，且接地引脚环绕讯号引脚而形成接地－讯号－接地结构，以提升高频封装结构的高频效能。另外，讯号引脚的形状并不限制，讯号引脚的形状可根据实际状况而变化。举例来说，请参考图4，图4为本专利技术实施例的一高频封装结构40的俯视图。高频封装结构40的一讯号引脚446可包含突出部4462、4464，突出部4462、4464突出自讯号引脚446的一中央部4460，突出部4462、4464可形成传输线的一电容效应，进而提升高频封装结构40的高频效能。需注意的是，前述实施例是用以说明本专利技术的概念，本领域普通技术人员可以由此做不同的修饰，而不限于此。举例来说，讯号引脚及接地引脚可利用微带线(MicrostripLine)或是共平面波导(CoplanarWaveguide，CPW)的方式实现，而不限于此。另外，形成凹槽的方式并不限制，凹槽可利用正面蚀刻(TopsideEtching)或背面蚀刻(BacksideEtching)的方式制成，而不限于此。另外，讯号引脚的突出部的数量并不限制，例如，讯号引脚可仅包含单一突出部，也属于本专利技术的范畴。综上所述，本专利技术的高频封装结构将讯号引脚及接地引脚设计而形成传输线，且接地引脚环绕讯号引脚而形成接地－讯号－接地结构，因此提升高频封装结构的高频效能。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，都应属于本专利技术的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频封装结构，其特征在于，包含：一接地引脚，耦接于一晶粒的一接地部，并设置于所述高频封装结构的一侧边，所述接地引脚占据所述侧边，所述接地引脚具有一孔槽；以及一讯号引脚，设置于所述孔槽之中；其中，所述接地引脚环绕所述讯号引脚，所述接地引脚与所述讯号引脚形成一接地－讯号－接地结构。

【技术特征摘要】
2015.08.13 US 62/204,972;2015.10.13 US 14/882,4121.一种高频封装结构，其特征在于，包含：一接地引脚，耦接于一晶粒的一接地部，并设置于所述高频封装结构的一侧边，所述接地引脚占据所述侧边，所述接地引脚具有一孔槽；以及一讯号引脚，设置于所述孔槽之中；其中，所述接地引脚环绕所述讯号引脚，所述接地引脚与所述讯号引脚形成一接地－讯号－接地结构。2.如权利要求1所述的高频封装结构，其特征在于，所述接地引脚与所述讯号引脚分离。3.如权利要求1所述的高频封装结构，其特征在于，所述接地引脚的一顶面与所述讯号引脚的一顶面位于相同的高度。4.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃智文，陈毓乔，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71