一种OLED面板及其制作方法技术

技术编号:14694772 阅读:147 留言:0更新日期:2017-02-23 18:41
本发明专利技术公开了一种OLED面板及其制作方法,在该OLED面板中,由于其包含的各隔离柱刻蚀成纵切面为倒梯形结构,这样,后续在将空穴注入层材料以及空穴传输层材料依次蒸镀在该OLED面板中的各像素单元时,该纵切面为倒梯形的隔离柱可将相邻像素单元中的空穴注入层HIL相互隔离,同时也可将相邻像素单元中的空穴传输层HTL相互隔离,这样,由于相邻像素单元的空穴注入层HIL是相互隔离的,并且,相邻像素单元的空穴传输层HTL也是相互隔离的,因此,当OLED面板中的一个像素单元进行发光时,该像素单元中的空穴将不会传播到相邻的像素单元中,相应的也就避免了相邻像素单元将会发出微光的现象,从而有效的提高了OLED面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及有机发光显示领域,尤其涉及一种防止电荷在相邻像素单元之间横向传播的OLED面板及其制作方法
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示技术是当前主流的显示技术,由于其具有发光效率高、抗震性能好、厚度薄、反应速度快等优点,其一经面世后,就受到了极大的欢迎,目前,通过OLED显示技术而制成的OLED面板已经成为了诸如智能手机、电脑等设备的主流显示器件。在实际应用中,OLED面板主要包含有玻璃基板110、薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)111、氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)阳极112、空穴注入层(HoleInjectLayer,HIL)113、空穴传输层(HoleTransportingLayer,HTL)114、有机发光层(EmittingMaterialLayer,EML)115、阴极(Cathode)116、封装层118以及各隔离柱117等构成,具体结构如图1所示。图1为现有技术提供的OLED面板的结构示意图。在图1中,玻璃基板110上设有阴极116,该阴极116在一定电压的作用下,可将电子(负载流子)传输到有机发光层EML115之中。相应的,ITO阳极112在一定电压的作用下,可在空穴注入层HIL113中形成空穴(正载流子),并将该空穴通过位于空穴注入层HIL113之下的空穴传输层HTL114传输到有机发光层EML115中。电子和空穴在有机发光层EML115相遇后,将形成电子-空穴复合效应,使得该电子迁移至空穴中,从而使有机发光层EML115发光,其中,有机发光层EML115是通过隔离柱117相互隔开的。然而,在现有技术中,由于空穴注入层HIL113以及空穴传输层HTL114通常都具有电荷横向传播较快的特点,这样一来,若想要使OLED面板中的一个像素单元上的有机发光层EML115发光,由于受空穴注入层HIL113以及空穴传输层HTL114中电荷的横向传播较快的影响,位于该像素单元中的空穴也将相应的传播到该像素单元相邻的像素单元中,换句话来说,虽然有机发光层EML115是以像素为单元通过隔离柱117相互隔开的,但是位于各有机发光层EML115上的空穴注入层HIL113或空穴传输层HTL114却是彼此相连的,因此,由于空穴注入层HIL113以及空穴传输层HTL114中电荷的横向传播较快,则该像素单元下的空穴注入层HIL113或空穴传输层HTL114中的空穴可相应的传播至与该像素单元相邻的像素单元下的空穴注入层HIL113或空穴传输层HTL114中,这就使得与该像素单元相邻的像素单元也将发出微光,进而降低了OLED面板的显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种OLED面板,用于解决现有技术中由于空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL中电荷的传播较快而降低OLED面板显示效果的问题。本专利技术实施例提供一种OLED面板,其包含有薄膜晶体管TFT211、阴极216、ITO阳极212、有机发光层EML215、空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214,所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴注入层HIL213是相互隔离的,所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴传输层HTL214是相互隔离的。进一步的,所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴注入层HIL213是通过隔离柱217相互隔离的;所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴传输层HTL214是通过隔离柱217相互隔离的。进一步的,所述隔离柱217的纵切面为倒梯形结构。进一步的,所述隔离柱217的材料为无机材料。进一步的,所述隔离柱217的结构是通过反应离子刻蚀的方法刻蚀出的。本专利技术实施例提供了一种OLED面板的制作方法,包括:在薄膜晶体管TFT211上的待刻蚀层上刻蚀出各隔离柱217,形成以各隔离柱217划分的各像素单元;在所述各像素单元上,蒸镀不同种类的膜层材料,使得在相邻像素单元蒸镀出的各空穴注入层HIL213通过所述隔离柱217相互隔离,以及在相邻像素单元蒸镀出的各空穴传输层HTL214通过所述隔离柱217相互隔离;将蒸镀各膜层材料后的薄膜晶体管TFT211进行封装,得到OLED面板。进一步的,所述不同种类的膜层材料包括阴极材料、阳极材料、有机发光材料、空穴注入层材料以及空穴传输层材料中的至少两种。进一步的,在所述各像素单元上,蒸镀不同种类的膜层材料,具体包括:在所述各像素单元上,将阳极材料、空穴注入层材料、空穴传输层材料、有机发光材料、阴极材料依次进行蒸镀,其中,在相邻像素单元上蒸镀出的阴极216是彼此相连的。进一步的,在薄膜晶体管TFT211上的待刻蚀层上刻蚀出各隔离柱217,具体包括:在薄膜晶体管TFT211上的待刻蚀层上,通过反应离子刻蚀的方法刻蚀出纵切面为倒梯形结构的各隔离柱217。进一步的,所述待刻蚀层为无机材料的待刻蚀层。本专利技术中,由于在制作OLED面板时,可将该OLED面板中包含的各隔离柱刻蚀成纵切面为倒梯形结构,这样,后续在将空穴注入层材料以及空穴传输层材料依次蒸镀在该OLED面板中的各像素单元时,该纵切面为倒梯形的隔离柱可将相邻像素单元中的空穴注入层相互隔离,同时也可将相邻像素单元中的空穴传输层相互隔离,这样,由于相邻像素单元的空穴注入层是相互隔离的,并且,相邻像素单元的空穴传输层也是相互隔离的,因此,当OLED面板中的一个像素单元进行发光时,该像素单元中的空穴将不会传播到相邻的像素单元中,相应的也就避免了相邻像素单元将会发出微光的现象,从而有效的提高了OLED面板的显示效果。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为现有技术提供的OLED器件的结构示意图;图2为本专利技术提供的OLED面板的结构示意图;图3为本专利技术提供的包含有纵切面下半部分为长方体、上半部分为倒梯形的隔离柱的OLED面板示意图;图4为本专利技术提供的包含有有机材料隔离柱的OLED面板的示意图;图5为本专利技术提供的一种OLED面板的制作过程。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。以下结合附图,详细说明本专利技术提供的技术方案。图2为本专利技术提供的OLED面板的结构示意图。图2中显示了OLED面板的主要部件,具体的,该OLED面板包含有薄膜晶体管TFT211、ITO阳极212、阴极216、有机发光层EML215、空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214、其中,该ITO阳极212是位于薄膜晶体管TFT211之上的,而空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214则依次位于OLED面板中的ITO阳极212之上,在空穴传输层HTL214和阴极216之间设有有机发光层EML215,使得该OLED面板可通过该有机发光层EML215发光。需要说明的是,OLED面板通常还本文档来自技高网
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一种OLED面板及其制作方法

【技术保护点】
一种OLED面板,其包含有薄膜晶体管TFT(211)、阴极(216)、ITO阳极(212)、有机发光层EML(215)、空穴注入层HIL(213)以及空穴传输层HTL(214),其特征在于,所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴注入层HIL(213)是相互隔离的,所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴传输层HTL(214)是相互隔离的。

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板,其包含有薄膜晶体管TFT(211)、阴极(216)、ITO阳极(212)、有机发光层EML(215)、空穴注入层HIL(213)以及空穴传输层HTL(214),其特征在于,所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴注入层HIL(213)是相互隔离的,所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴传输层HTL(214)是相互隔离的。2.如权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴注入层HIL(213)是通过隔离柱(217)相互隔离的;所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴传输层HTL(114)是通过隔离柱(217)相互隔离的。3.如权利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述隔离柱(217)的纵切面为倒梯形结构。4.如权利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述隔离柱(217)的材料为无机材料。5.如权利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述隔离柱(217)的结构是通过反应离子刻蚀的方法刻蚀出的。6.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括:在薄膜晶体管TFT(211)上的待刻蚀层上刻蚀出各隔离柱(217),形成以各隔离柱(217)划分的各像素单元;在所述各像素单元上...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵长征刘金强敖伟罗志忠周斯然
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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