筒式X射线源装置和使用它的X射线发射装置制造方法及图纸

技术编号:14686257 阅读:181 留言:0更新日期:2017-02-23 08:11
本发明专利技术公开了一种筒式X射线源装置和使用该筒式X射线源装置的X射线发射装置。根据本发明专利技术的X射线发射装置包括:阴极电极,其包括其上以可更换方式安装有X射线源装置的筒安装部和用于使从安装在筒安装部上的X射线源装置产生的X射线照射到X射线照射路径上的主体,其中X射线源装置包括使用纳米结构的电子发射源;阳极电极,其具有通过电子轰击发射X射线的靶标;和壳体,其形成外观,并将与阴极电极连接的阴极电极端子和与阳极电极连接的阳极电极端子暴露于壳体外部,其中阴极电极端子和阳极电极端子在暴露方向、高度、大小和形状中的至少一个参数方面彼此不同,并且筒安装部包括被置于与阳极电极端子和阴极电极端子实体接触的第一和第二连接端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术整体上涉及使用纳米结构的筒式(cartridge-type)X射线源和使用筒式X射线源的X射线发射装置。更具体地,本专利技术涉及一种筒式X射线源,其包括具有使用纳米结构的电子发射源的阴极电极以及与阴极电极相对应的阳极电极,其中,连接到这些电极的端子暴露于主体或壳体的外侧,并且,本专利技术涉及一种包括该筒式X射线源的X射线发射装置。
技术介绍
通常,在用于医疗机构疾病诊断的X射线源中,由钨材料制成的热阴极用作产生X射线的电子发射源,其中,通过对钨丝施加高电压而加热钨丝以发射电子,并且,所发射的电子轰击阳极电极靶标,从而产生X射线。然而,基于钨丝的常规热阴极X射线源的问题在于,需要大量能量来产生电子,并且由于产生的电子从具有螺旋结构的钨表面随机地发射,因此轰击阳极电极靶标以产生X射线的电子低于所发射的电子的5%,因此效率极低。常规的X射线源的问题还在于,需要一段时间的间隔来加热和冷却钨丝,并且,由于难以以脉冲形式发射X射线,所以X射线过度照射,因此常规的X射线源在牙科治疗(例如牙齿植入物检查)中的使用受到限制。近来,为了解决常规的热阴极X射线源的上述问题,已经积极地研究了使用纳米结构作为冷阴极电子发射源的X射线源,特别是基于碳纳米管的X射线源。与基于钨丝的常规热阴极X射线源不同,使用碳纳米管的X射线源采用电场发射类型的电子发射机制,这与常规的热发射类型不同。与基于钨丝的热阴极X射线源相比时,基于碳纳米管的X射线源能够通过施加较低电压发射电子,并且由于发射的电子沿着碳纳米管的纵向方向发射,所以电子具有朝向阳极电极靶标的良好方向性,因此X射线的发射效率非常高。此外,由于容易以脉冲形式发射X射线,所以能够以低剂量的X射线照射获得运动图像和X光照片,因此基于碳纳米管的X射线源在牙科治疗中具有非常高的可用性,例如用于牙齿植入物检查。然而,基于碳纳米管的X射线源的问题在于,容纳电子发射源的装置的内部需要处于高真空状态,但是,由于装置内部的气体生成而难以保持高真空,因此装置寿命较短。基于碳纳米管的X射线源的问题还在于,绝缘效果差,寿命由于绝缘可靠性的劣化而变短,并且由于需要例如浪涌保护器(surgeprotector)的额外的部件用于理想绝缘,所以基于碳纳米管的X射线源在尺寸或成本方面是不经济的。
技术实现思路
技术问题因此,本专利技术考虑到现有技术中出现的上述问题而做出,并且本专利技术旨在提出一种使用纳米结构的X射线源,该X射线源被构造为通过使用包括硅橡胶的硅化合物作为绝缘体而改进绝缘效果,从而X射线源具有长寿命,并且其可靠性得以提高。本专利技术还旨在提出一种筒式X射线源和使用该筒式X射线源的X射线发射装置,其中,通过将使用纳米结构的X射线源构造为使其阴极电极和阳极电极的端子能够电连接到X射线源外部的连接端子,筒式X射线源可以根据需要容易地更换。技术方案为了实现上述目的,根据本专利技术的一个方面,提供了一种X射线发射装置,其包括:主体,所述主体包括筒安装部,筒安装部被构造成允许X射线源可更换地安装到筒安装部,并且从安装在筒安装部上的X射线源产生X射线以照射到X射线照射路径上,其中,X射线源包括:阴极电极,所述阴极电极设有使用纳米结构的电子发射源;阳极电极,所述阳极电极具有通过电子碰撞而发射X射线的靶标;和壳体,其形成外观,并将与阴极电极连接的阴极电极端子和与阳极电极连接的阳极电极端子暴露于壳体的外侧,其中,阴极电极端子和阳极电极端子在暴露方向、高度、尺寸和形状中的至少一个参数方面彼此不同,并且,筒安装部包括被置于与阳极电极端子和阴极电极端子实体接触的第一连接端子和第二连接端子。阳极电极端子和阴极电极端子可以朝向同一方向而高度彼此不同地暴露于外部,或者朝向不同方向暴露于外部。壳体的外表面和筒安装部中的每一个可以设有彼此对应的至少一个引导构件。主体可以设有多个筒安装部,X射线源安装到每个筒安装部。在此,主体可以包括使多个X射线源中的一个朝向X射线照射路径移动的旋转加载器。此外,主体可以包括将从多个X射线源产生的X射线照射到X射线照射路径上的多准直器。为了实现上述目的,根据本专利技术的另一方面,还提供了一种筒式X射线源,包括:阴极电极,所述阴极电极设有使用纳米结构的电子发射源;阳极电极,所述阳极电极具有通过电子碰撞发射X射线的靶标;和壳体,其形成外观,并将与阴极电极连接的阴极电极端子和与阳极电极连接的阳极电极端子暴露于壳体的外侧,其中阴极电极端子和阳极电极端子在暴露方向、高度、尺寸和形状中的至少一个参数方面彼此不同,其中所述X射线源以筒式方式可替换地安装到X射线发射装置。阳极电极端子和阴极电极端子可以朝向同一方向而高度彼此不同地暴露于外部,或者朝向不同方向暴露于外部。所述壳体的外表面和所述X射线发射装置中的每一个可以设有彼此对应的至少一个引导构件。技术效果根据具有上述特征的本专利技术,提供了一种筒式X射线源,其通过将使用纳米结构的X射线源构造为使得其阴极电极的端子和阳极电极的端子能够电连接到X射线源外部的连接端子,而能够在需要时容易地更换。本专利技术的优点在于,通过将具有较短的X射线发射装置升程(lift)的X射线源构造为可更换的筒形式,可以缩减维护X射线发射装置的工作量。本专利技术的另一个优点在于,在筒式X射线源和X射线发射装置的主体的筒安装部中,通过电极端子结构和连接端子结构之间的有效连接,可以实现筒式X射线源和X射线发射装置之间的精确和稳定的机械接合和电连接。附图说明图1是示出根据本专利技术一实施例的使用纳米结构的X射线源的示意性截面图;图2是示出根据本专利技术一实施例的筒式X射线源的示意性截面图;图3是示出图2的筒式X射线源的底部视图;图4是示出根据本专利技术一实施例的使用纳米结构的X射线源的示意性截面图;图5是示出根据本专利技术一实施例的筒式X射线源的示意性截面图;图6是示出图5的筒式X射线源的底部视图;图7是示出根据本专利技术一实施例的使用筒式X射线源的X射线发射装置的示意性透视图;图8包括示出图2的筒式X射线源与X射线发射装置的相应主体分离的状态的示意性截面图(a),并且示出筒式X射线源与X射线发射装置的相应主体相接合的状态的示意性截面图(b);图9包括示出图5的筒式X射线源与X射线发射装置的相应主体分离的状态的示意性截面图(a),并且示出筒式X射线源与X射线发射装置的相应主体相接合的状态的示意性截面图(b);图10至图12是示出根据本专利技术的实施例的筒式X射线源的图示;图13是示出根据本专利技术一实施例的筒式X射线源的图示;图14是示出根据本专利技术一实施例的筒式X射线源的图示;图15是示出根据本专利技术一实施例的筒式X射线源的图示;图16是示出与图10的筒式X射线源兼容的X射线发射装置的主体的一实施例的图示;图17是示出根据图16的实施例的X射线发射装置的主体中的筒安装部的各种示例的图示;图18是示出与图13(a)的筒式X射线源兼容的X射线发射装置的主体的实施例的图示;图19是示出与图13(a)的筒式X射线源兼容的X射线发射装置的主体的另一实施例的图示;图20是示出与图14(b)的筒式X射线源兼容的X射线发射装置的主体的实施例的图示;图21是示出与图15(b)的筒式X射线源兼容的X射线发射装置的主体的实施例的图示;图22是示出安装有多个筒式X射线源的X射线照射本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种X射线发射装置,包括:主体,其包括筒安装部,该筒安装部被构造为允许X射线源可更换地安装至所述筒安装部,并且允许从安装在所述筒安装部上的X射线源产生X射线,以照射到X射线照射路径上,其中,所述X射线源包括:阴极电极,其设置有使用纳米结构的电子发射源;阳极电极,其具有通过电子碰撞而发射X射线的靶标;和壳体,其形成外观,并且将连接到所述阴极电极的阴极电极端子和连接到所述阳极电极的阳极电极端子暴露到所述壳体的外部,其中,所述阴极电极端子和所述阳极电极端子在暴露方向、高度、尺寸和形状中的至少一个参数上彼此不同,并且所述筒安装部包括被置于与所述阳极电极端子和所述阴极电极端子实体接触的第一连接端子和第二连接端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.01 KR 10-2014-0038499;2014.09.12 KR 10-2011.一种X射线发射装置,包括:主体,其包括筒安装部,该筒安装部被构造为允许X射线源可更换地安装至所述筒安装部,并且允许从安装在所述筒安装部上的X射线源产生X射线,以照射到X射线照射路径上,其中,所述X射线源包括:阴极电极,其设置有使用纳米结构的电子发射源;阳极电极,其具有通过电子碰撞而发射X射线的靶标;和壳体,其形成外观,并且将连接到所述阴极电极的阴极电极端子和连接到所述阳极电极的阳极电极端子暴露到所述壳体的外部,其中,所述阴极电极端子和所述阳极电极端子在暴露方向、高度、尺寸和形状中的至少一个参数上彼此不同,并且所述筒安装部包括被置于与所述阳极电极端子和所述阴极电极端子实体接触的第一连接端子和第二连接端子。2.根据权利要求1所述的X射线发射装置,其中所述阳极电极端子和所述阴极电极端子朝向同一方向暴露于外部且其高度彼此不同,或者,所述阳极电极端子和所述阴极电极端子朝向不同方向暴露于外部。3.根据权利要求1所述的X射线发射装置,其中所述壳体的外表面和所述筒安装部中的每一...

【专利技术属性】
技术研发人员:金泰佑白寅宰李秀奉
申请(专利权)人:韩国威泰有限公司以友技术有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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