芯片封装模块制造技术

本发明专利技术提供的芯片封装模块包括：待封装芯片、导磁性中间层以及封装基板，所述待封装芯片设置有集成磁性器件，所述导磁性中间层固定连接于所述待封装芯片与所述封装基板之间。由于导磁性中间层可以将集成磁性器件产生的磁场向边缘引导，从而可以减少进入封装基板中的磁场，进而可以减小磁场在封装基板中产生的涡流，提高上述待封装芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电气元件领域，具体而言，涉及一种芯片封装模块。
技术介绍
电子封装是指把构成系统的元器件和芯片按照电路要求布置、键合、互联、组装并且与外部环境隔离。电子封装能够为芯片提供机械支撑、环境保护和电气连接等重要功能，但是，电子封装会影响到芯片和元件的性能。随着集成磁性器件在芯片中密度的增加、功率的增大，电子封装对具有集成磁性器件的芯片的性能影响也越来越大。现有技术是将具有集成磁性器件的芯片直接安装在引线框架或封装基板的表面。具有集成磁性器件的芯片的性能容易受到封装中产生的涡流影响，造成芯片中的集成磁性器件的功耗增大、品质因数下降、耦合减弱，甚至不能正常工作的情况。现有技术已不能满足具有集成磁性器件的芯片的封装需要。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种芯片封装模块，在芯片与封装基板之间设置有导磁性中间层，以改善现有的电子封装由于涡流影响，造成芯片中的集成磁性器件出现功耗增大、品质因数下降、耦合减弱的不足。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种芯片封装模块，包括待封装芯片、导磁性中间层以及封装基板，所述待封装芯片设置有集成磁性器件，所述导磁性中间层固定连接于所述待封装芯片与所述封装基板之间。优选地，上述的芯片封装模块中，所述导磁性中间层为导磁胶，所述待封装芯片与所述封装基板通过所述导磁胶粘接。导磁胶可以将集成磁性器件产生的磁场向芯片的边缘引导，从而可以减小进入封装基板的磁场，避免出现由于产生涡流而影响集成磁性器件的性能的情况。优选地，上述的芯片封装模块中，所述导磁性中间层为磁性薄膜，所述磁性薄膜的形状不小于所述待封装芯片的形状。优选的所述磁性薄膜的形状与所述封装芯片的形状相匹配。磁性薄膜的形状与待封装芯片的形状相匹配，既可以使待封装芯片中集成磁性器件的磁场被磁性薄膜导向边缘，又由于磁性薄膜的形状与待封装芯片的形状相匹配，不会浪费多余的磁性薄膜，降低了磁性薄膜的成本。优选地，上述的芯片封装模块中，所述磁性薄膜的一面通过粘合剂与所述待封装芯片粘接，所述磁性薄膜的另一面通过粘合剂与所述封装基板连接。磁性薄膜可以通过粘合剂分别与待封装芯片以及封装基板相连接。当然，也可以通过其他的方式与待封装芯片以及封装基板连接，具体的连接方式不应该理解为是对本专利技术的限制。在芯片封装模块中，所述磁性薄膜可以沉积于所述待封装芯片上将与所述封装基板相粘合的一面，所述磁性薄膜的远离所述待封装芯片的一面通过粘合剂与所述封装基板粘接。磁性薄膜还可以沉积于封装基板上，并且磁性薄膜远离封装基板的一面通过粘合剂与待封装芯片粘接。优选地，上述的芯片封装模块中，所述待封装芯片与所述封装基板相对的一面通过焊接部实现电连接，例如使用焊球或铜柱凸点与所述封装基板连接，所述待封装芯片与所述封装基板之间设有具有磁性颗粒的填充物。在填充物中，增加磁性颗粒，可以使填充物的相对磁导率大于1，从而引导磁场到上述待封装芯片的边缘，减小封装基板的金属部分中产生的涡流。优选地，上述的芯片封装模块中，所述待封装芯片包括衬底以及介质层，所述集成磁性器件为螺旋形线圈，所述衬底的表面开设有螺旋形凹槽，所述螺旋形线圈与所述螺旋形凹槽相匹配，所述螺旋形线圈设置于所述螺旋形凹槽内，所述介质层覆盖所述衬底的设置有所述螺旋形线圈的一面，所述衬底的远离所述介质层的一面与所述导磁性中间层固定连接。芯片中的集成磁性器件可以为螺旋形线圈，即嵌入式电感。导磁性中间层可以将螺旋形线圈(即嵌入式电感)产生的磁场向待封装芯片的边缘引导，减小进入封装基板中的磁场，以提高螺旋形线圈(即嵌入式电感)的性能。并且，螺旋形线圈可以通过介质层中的金属以引线键合的方式与外界进行电连接。优选地，上述的芯片封装模块中，所述待封装芯片包括衬底以及介质层，所述集成磁性器件为堆叠式变压器，所述衬底与所述介质层固定连接。所述堆叠式变压器包括第一螺旋形线圈、第二螺旋形线圈、第一导体通路以及第二导体通路。所述第一螺旋形线圈设置于所述衬底的内部，所述第二螺旋形线圈设置于所述介质层的内部，所述第一导体通路以及第二导体通路均设置于所述介质层的内部，且所述第一导体通路以及第二导体通路位于所述第一螺旋形线圈以及第二螺旋形线圈之间，所述第一导体通路与所述第一螺旋形线圈的一端相连接，所述第二导体通路与所述第一螺旋形线圈的另一端相连接，所述衬底远离所述介质层的一面与所述导磁性中间层固定连接。优选地，上述的芯片封装模块中，所述待封装芯片包括衬底以及介质层，所述集成磁性器件为嵌入式变压器，所述嵌入式变压器为交缠式变压器或分隔式变压器，若所述嵌入式变压器为交缠式变压器，所述交缠式变压器包括至少一个第三螺旋形线圈，所述衬底的表面开设有至少一个螺旋形凹槽，所述至少一个螺旋形凹槽的数量与所述至少一个第三螺旋形线圈的数量相同，且第三螺旋形线圈对应设置于螺旋形凹槽内，所述介质层覆盖所述衬底的设置有所述第三螺旋形线圈的一面，所述衬底的远离所述介质层的一面与所述导磁性中间层固定连接；若所述嵌入式变压器为分隔式变压器，所述分隔式变压器包括第四螺旋形线圈以及第五螺旋形线圈，所述衬底的相对的表面分别开设有第四螺旋形凹槽以及第五螺旋形凹槽，所述第四螺旋形线圈设置于所述第四螺旋形凹槽内，所述第五螺旋形线圈设置于所述第五螺旋形凹槽内，所述介质层覆盖所述衬底的设置有所述第四螺旋形线圈的一面，所述衬底的设置有所述第五螺旋形线圈的一面与所述导磁性中间层固定连接。集成磁性器件可以为交缠式变压器，也可以为其他的集成磁性器件。集成磁性器件的具体类型不应该理解为是对本专利技术的限制。本专利技术提供的芯片封装模块包括待封装芯片、导磁性中间层以及封装基板。待封装芯片中设置有集成磁性器件。导磁性中间层设置在待封装芯片以及封装基板之间。由于导磁性中间层可以将集成磁性器件产生的磁场向待封装芯片的边缘引导，从而可以减少进入封装基板中的磁场，进而可以减小磁场在封装基板中产生的涡流，提高上述待封装芯片的性能。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术第一实施例提供的芯片封装模块的部分结构示意图；图2是与图1对应的性能曲线示意图；图3a是本专利技术第二实施例提供的芯片封装模块的部分结构示意图；图3b是图3a中第一螺旋形线圈以及第二螺旋形线圈的结构示意图；图4是与图3a对应的性能曲线示意图；图5是与图3a对应的另一性能曲线示意图；图6a是本专利技术第三实施例的一种具体实施方式提供的芯片封装模块的部分结构示意图；图6b是图6a中第三螺旋形线圈的结构示意图；图6c是本专利技术第三实施例的另一种具体实施方式提供的芯片封装模块的部分结构示意图；图7是本专利技术第四实施例提供的芯片封装模块的部分结构示意图；图8是本专利技术第五实施例提供的芯片封装模块的部分结构示意图；图9是本专利技术第六实施例提供的芯片封装模块的部分结构示意图；图10是本专利技术第七实施例提供的芯片封装模块的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装模块，其特征在于，所述模块包括：待封装芯片、导磁性中间层以及封装基板，所述待封装芯片设置有集成磁性器件，所述导磁性中间层固定连接于所述待封装芯片与所述封装基板之间。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装模块，其特征在于，所述模块包括：待封装芯片、导磁性中间层以及封装基板，所述待封装芯片设置有集成磁性器件，所述导磁性中间层固定连接于所述待封装芯片与所述封装基板之间。2.根据权利要求1所述的芯片封装模块，其特征在于：所述导磁性中间层为导磁胶，所述待封装芯片与所述封装基板通过所述导磁胶粘接。3.根据权利要求1所述的芯片封装模块，其特征在于：所述导磁性中间层为磁性薄膜。4.根据权利要求3所述的芯片封装模块，其特征在于：所述磁性薄膜的一面通过粘合剂与所述待封装芯片粘接，所述磁性薄膜的另一面通过粘合剂与所述封装基板连接。5.根据权利要求3所述的芯片封装模块，其特征在于：所述磁性薄膜沉积于所述待封装芯片与所述封装基板相对的一面，所述磁性薄膜的远离所述待封装芯片的一面通过粘合剂与所述封装基板粘接。6.根据权利要求1所述的芯片封装模块，其特征在于：所述封装基板为引线框架。7.根据权利要求1所述的芯片封装模块，其特征在于：所述待封装芯片与所述封装基板通过焊接部实现电连接，所述待封装芯片与所述封装基板之间设有具有磁性颗粒的填充物。8.根据权利要求1所述的芯片封装模块，其特征在于：所述待封装芯片包括衬底以及介质层，所述集成磁性器件为螺旋形线圈，所述衬底的表面开设有螺旋形凹槽，所述螺旋形线圈与所述螺旋形凹槽相匹配，所述螺旋形线圈设置于所述螺旋形凹槽内，所述介质层覆盖所述衬底的设置有所述螺旋形线圈的一面，所述衬底的远离所述介质层的一面与所述导磁性中间层固定连接。9.根据权利要求1所述的芯片封装模块，其特征在于：所述待封装芯片包括衬底以及介质层，所述集成磁性器件为...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍荣翔，方向明，
申请(专利权)人：成都线易科技有限责任公司，电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51