大功率整流桥结构制造技术

本发明专利技术一种大功率整流桥结构，包括：由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四、第五、第六二极管芯片、T形连接片、第一L形连接片、第二L形连接片、第一条形连接片和第二条形连接片，所述T形连接片位于第一L形连接片、第二L形连接片之间，所述第一条形连接片、第二条形连接片分别位于第一L形连接片、第二L形连接片两侧，所述第一、第三、第五二极管芯片安装于第一条形连接片的支撑区上，所述第二、第四、第六二极管芯片分别安装于第一L形连接片、第二L形连接片和T形连接片各自的支撑区。本发明专利技术大功率整流桥结构生产人工效率提升了8~10倍，引线框利用率提升了10%，该结构焊接过程中不使用石墨船，提升了焊接炉能源利用效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种整流半导体器件，尤其涉及一种大功率整流桥结构。
技术介绍
整流桥器件是由六个整流二极管组成的一个桥式结构，它利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，由于桥式整流器对输入正正弦波的利用效率比波整流高一倍，是对二极管半波整流的一种显著改进，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。现有同类产品结构为芯片三正三反放置，两颗长条连接片结构，主要存在如下弊端：产品结构复杂，难以实现自动化少人化生产，生产工艺对手工作业依赖程度高，生产效率低，焊接过程中材料需要与石墨船一起进炉，能源利用效率低。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种大功率整流桥结构，该大功率整流桥结构为框架式结构，从工艺设计上最大限度的减少了对手工作业的依赖，生产人工效率提升了8~10倍，引线框利用率提升了10%，该结构焊接过程中不使用石墨船，提升了焊接炉能源利用效率。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种大功率整流桥结构，包括：由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四、第五、第六二极管芯片、T形连接片、第一L形连接片、第二L形连接片、第一条形连接片和第二条形连接片，所述T形连接片位于第一L形连接片、第二L形连接片之间，所述第一条形连接片、第二条形连接片分别位于第一L形连接片、第二L形连接片两侧；所述第一、第三、第五二极管芯片安装于第一条形连接片的支撑区上，所述第二、第四、第六二极管芯片分别安装于第一L形连接片、第二L形连接片和T形连接片各自的支撑区；一第一连接片连接第一二极管芯片和第一L形连接片，一第二连接片连接第二二极管芯片和第二条形连接片，一第三连接片连接第三二极管芯片和第二L形连接片，一第四连接片连接第四二极管芯片和第二条形连接片，一第五连接片连接第五二极管芯片和T形连接片，一第六连接片连接第六二极管芯片和第二条形连接片；位于T形连接片、第一L形连接片、第二L形连接片各自末端的引脚区分别作为交流输入端，位于第一条形连接片和第二条形连接片各自末端的引脚区分别作为正极输入端和负极输入端。上述技术方案中进一步改进的方案如下：上述方案中，所述交流输入端位于正极输入端和负极输入端之间。由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点和效果：本专利技术大功率整流桥结构，其为框架式结构，从工艺设计上最大限度的减少了对手工作业的依赖，生产人工效率提升了8~10倍，引线框利用率提升了10%，该结构焊接过程中不使用石墨船，提升了焊接炉能源利用效率。附图说明附图1为现有整流桥器件结构示意图；附图2为本专利技术大功率整流桥结构结构示意图；附图3为本专利技术大功率整流桥结构局部结构示意图一；附图4为本专利技术大功率整流桥结构局部结构示意图二。以上附图中：1、环氧封装体；2、第一二极管芯片；3、第二二极管芯片；4、第三二极管芯片；5、第四二极管芯片；6、第五二极管芯片；7、第六二极管芯片；8、T形连接片；9、第一L形连接片；10、第二L形连接片；11、第一条形连接片；12、第二条形连接片；13、第一连接片；14、第二连接片；15、第三连接片；16、第四连接片；17、第五连接片；18、第六连接片。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述：实施例1：一种大功率整流桥结构，包括：由环氧封装体1包覆的第一、第二、第三、第四、第五、第六二极管芯片2、3、4、5、6、7、T形连接片8、第一L形连接片9、第二L形连接片10、第一条形连接片11和第二条形连接片12，所述T形连接片8位于第一L形连接片9、第二L形连接片10之间，所述第一条形连接片11、第二条形连接片12分别位于第一L形连接片9、第二L形连接片10两侧；所述第一、第三、第五二极管芯片2、4、6安装于第一条形连接片11的支撑区上，所述第二、第四、第六二极管芯片3、5、7分别安装于第一L形连接片9、第二L形连接片10和T形连接片8各自的支撑区；一第一连接片13连接第一二极管芯片2和第一L形连接片9，一第二连接片14连接第二二极管芯片3和第二条形连接片12，一第三连接片15连接第三二极管芯片4和第二L形连接片10，一第四连接片16连接第四二极管芯片5和第二条形连接片12，一第五连接片17连接第五二极管芯片6和T形连接片8，一第六连接片18连接第六二极管芯片7和第二条形连接片12；位于T形连接片8、第一L形连接片9、第二L形连接片10各自末端的引脚区分别作为交流输入端，位于第一条形连接片11和第二条形连接片12各自末端的引脚区分别作为正极输入端和负极输入端。实施例2：一种大功率整流桥结构，包括：由环氧封装体1包覆的第一、第二、第三、第四、第五、第六二极管芯片2、3、4、5、6、7、T形连接片8、第一L形连接片9、第二L形连接片10、第一条形连接片11和第二条形连接片12，所述T形连接片8位于第一L形连接片9、第二L形连接片10之间，所述第一条形连接片11、第二条形连接片12分别位于第一L形连接片9、第二L形连接片10两侧；所述第一、第三、第五二极管芯片2、4、6安装于第一条形连接片11的支撑区上，所述第二、第四、第六二极管芯片3、5、7分别安装于第一L形连接片9、第二L形连接片10和T形连接片8各自的支撑区；一第一连接片13连接第一二极管芯片2和第一L形连接片9，一第二连接片14连接第二二极管芯片3和第二条形连接片12，一第三连接片15连接第三二极管芯片4和第二L形连接片10，一第四连接片16连接第四二极管芯片5和第二条形连接片12，一第五连接片17连接第五二极管芯片6和T形连接片8，一第六连接片18连接第六二极管芯片7和第二条形连接片12；位于T形连接片8、第一L形连接片9、第二L形连接片10各自末端的引脚区分别作为交流输入端，位于第一条形连接片11和第二条形连接片12各自末端的引脚区分别作为正极输入端和负极输入端。采用上述大功率整流桥结构时，其为框架式结构，从工艺设计上最大限度的减少了对手工作业的依赖，生产人工效率提升了8~10倍，引线框利用率提升了10%，该结构焊接过程中不使用石墨船，提升了焊接炉能源利用效率。上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率整流桥结构，其特征在于：包括：由环氧封装体（1）包覆的第一、第二、第三、第四、第五、第六二极管芯片（2、3、4、5、6、7）、T形连接片（8）、第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）、第一条形连接片（11）和第二条形连接片（12），所述T形连接片（8）位于第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）之间，所述第一条形连接片（11）、第二条形连接片（12）分别位于第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）两侧；所述第一、第三、第五二极管芯片（2、4、6）安装于第一条形连接片（11）的支撑区上，所述第二、第四、第六二极管芯片（3、5、7）分别安装于第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）和T形连接片（8）各自的支撑区；一第一连接片（13）连接第一二极管芯片（2）和第一L形连接片（9），一第二连接片（14）连接第二二极管芯片（3）和第二条形连接片（12），一第三连接片（15）连接第三二极管芯片（4）和第二L形连接片（10），一第四连接片（16）连接第四二极管芯片（5）和第二条形连接片（12），一第五连接片（17）连接第五二极管芯片（6）和T形连接片（8），一第六连接片（18）连接第六二极管芯片（7）和第二条形连接片（12）；位于T形连接片（8）、第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）各自末端的引脚区分别作为交流输入端，位于第一条形连接片（11）和第二条形连接片（12）各自末端的引脚区分别作为正极输入端和负极输入端。...

【技术特征摘要】
1.一种大功率整流桥结构，其特征在于：包括：由环氧封装体（1）包覆的第一、第二、第三、第四、第五、第六二极管芯片（2、3、4、5、6、7）、T形连接片（8）、第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）、第一条形连接片（11）和第二条形连接片（12），所述T形连接片（8）位于第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）之间，所述第一条形连接片（11）、第二条形连接片（12）分别位于第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）两侧；所述第一、第三、第五二极管芯片（2、4、6）安装于第一条形连接片（11）的支撑区上，所述第二、第四、第六二极管芯片（3、5、7）分别安装于第一L形连接片（9）、第二L形连接片（10）和T形连接片（8）各自的支撑区；一第一连接片（13）连接第一二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雄杰，何洪运，程琳，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32