半导体发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件和一种制造半导体发光器件的方法。所述半导体发光器件包括：半导体层压板，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的第一部分的第一沟槽和暴露第一导电半导体层的第二部分的第二沟槽；第一指形电极，其设置在第一沟槽中的第一导电半导体层的暴露部分上；绝缘层，其设置在第二沟槽的内表面上；以及第二指形电极，其设置在第二沟槽中的绝缘层上，并且电连接至第二导电半导体层。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年8月4日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2015-0110186的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。
与示例性实施例一致的方法和设备涉及半导体发光器件及其制造方法。
技术介绍
半导体发光器件通过电子和空穴的复合产生一定波段内的光。由于这样的半导体发光器件与基于灯丝的光源相比具有各种优点，例如长有效寿命、低功耗、优越的初始驱动特性等，因此对半导体发光器件的需求持续增长。特别地，能够发出短波长蓝光的III族氮化物半导体引人注目。最近，对半导体发光器件的发光效率的改进已开展了积极的研究。特别地，已开发了各种电极结构以改善半导体发光器件的发光效率和光学功率。
技术实现思路
一个或多个示例性实施例的一方面可提供一种具有新的电极结构的半导体发光器件，其可防止发光效率的恶化并提高光学功率，并且提供其制造方法。根据示例性实施例的一个方面，提供了一种半导体发光器件，其包括：半导体层压板，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的第一部分的第一沟槽和暴露第一导电半导体层的第二部分的第二沟槽；第一指形电极，其设置在第一沟槽中的第一导电半导体层的第一部分上；绝缘层，其设置在第二沟槽的内表面上；以及第二指形电极，其设置在第二沟槽中的绝缘层上，并且电连接至第二导电半导体层。所述半导体发光器件还可包括电流扩散层，其设置在第二导电半导体层上，并且电连接至第二指形电极。电流扩散层可沿着绝缘层的上表面延伸至第二沟槽中。第二指形电极可设置在第二沟槽中的电流扩散层的一部分上。第一沟槽和第二沟槽可具有实质上相同的深度。第二沟槽可包括在第一方向上排列的多个沟槽。第二指形电极可包括弯曲结构。绝缘层可包括分布式布拉格反射器(DBR)多层膜。所述半导体发光器件还可包括附加绝缘层，其位于第一沟槽的内侧壁上。电流扩散层可实质上设置在第二导电半导体层的上表面的整个区域上。电流扩散层可包括透明电极层。电流扩散层可包括选自下列物质中的至少一种：氧化铟锡(ITO)、锌掺杂氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、In4Sn3O12以及氧化锌镁(Zn(1-x)MgxO，0≤x≤1)。所述半导体发光器件还可包括第三指形电极。所述半导体发光器件还可包括电连接至第一指形电极的第一电极焊盘以及电连接至第二指形电极的第二电极焊盘。所述半导体发光器件还可包括绝缘部分，其覆盖半导体层压板的设置有第一指形电极和第二指形电极的表面，绝缘部分包括连接至第一指形电极的第一通孔和连接至第二指形电极的第二通孔，第一电极焊盘和第二电极焊盘可设置在绝缘部分上，并且第一电极焊盘可通过第一通孔连接至第一指形电极，第二电极焊盘可通过第二通孔连接至第二指形电极。根据另一示例性实施例的一个方面，提供了一种半导体发光器件，其包括：半导体层压板，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的第一部分的第一沟槽和暴露第一导电半导体层的第二部分的第二沟槽；第一绝缘层，其设置在第一沟槽的内侧壁上；第一指形电极，其设置在第一沟槽中的第一导电半导体层的第一部分上；第二绝缘层，其设置在第二沟槽的内表面上；电流扩散层，其设置在第二导电半导体层上，并且沿着第二绝缘层延伸至第二沟槽中；以及第二指形电极，其设置在第二沟槽中的电流扩散层的一部分上。所述半导体发光器件还可包括电连接至第一指形电极的第一电极焊盘以及电连接至第二指形电极的第二电极焊盘，第一电极焊盘可设置在第一导电半导体层在第一沟槽中的部分上，并且第二电极焊盘可设置在第二导电半导体层上。所述半导体发光器件还可包括附加绝缘层，其设置在第二电极焊盘与第二导电半导体层之间。根据再一示例性实施例的一个方面，提供了一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：通过在衬底上顺序地生长第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层来形成半导体层压板；在半导体层压板中形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽穿过第二导电半导体层和有源层，以暴露第一导电半导体层的第一部分和第二部分；在第二沟槽的内表面上形成绝缘层；在第二导电半导体层上形成电流扩散层，以延伸至第二沟槽中的绝缘层的一部分；在第一导电半导体层的第一暴露部分中形成第一指形电极；以及在第二沟槽中的电流扩散层的一部分上形成第二指形电极。可通过单次刻蚀处理来形成第一沟槽和第二沟槽。形成绝缘层的步骤可包括：在第一沟槽的内侧壁上形成附加绝缘层。可同时进行形成第一指形电极的步骤和形成第二指形电极的步骤。根据又一示例性实施例的一个方面，提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的多个第一部分的多个第一沟槽和暴露多个第二部分的多个第二沟槽；多个第一指形电极，其分别设置在所述多个第一沟槽中的多个第一部分上；绝缘层，其设置为覆盖所述多个第二沟槽中的多个第二部分；以及多个第二指形电极，其分别设置在绝缘层上。所述半导体发光器件还可包括电流扩散层，其设置在第二导电半导体层上，并且电连接至所述多个第二指形电极中的一个。电流扩散层可延伸至所述多个第二沟槽中的一个中。附图说明通过下面结合附图的详细描述将更加清楚地理解上述和其它方面，在附图中：图1为示意性地示出根据示例性实施例的半导体发光器件的平面图；图2为沿着图1所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的线X-X'截取的示意性截面图；图3为沿着图1所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的线Y-Y'截取的示意性截面图；图4A至图4E为制造根据一个或多个示例性实施例的半导体发光器件的过程的截面图；图5为示意性地示出根据示例性实施例的半导体发光器件的平面图；图6为沿着图5所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的线X-X'截取的示意性截面图；图7为沿着图5所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的线Y-Y'截取的示意性截面图；图8为示意性地示出根据示例性实施例的半导体发光器件的平面图；图9为沿着图8所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的线I1-I1'截取的示意性截面图；图10为沿着图8所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的线I2-I2'截取的示意性截面图；图11为沿着图8所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的线II-II'截取的示意性截面图；图12为示出采用图1所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的封装件的侧截面图；图13为示出采用图8所示的根据示例性实施例的半导体发光器件的封装件的侧截面图；图14为采用根据示例性实施例的半导体发光器件的背光单元的截面图；图15为采用根据示例性实施例的半导体发光器件的直下式背光单元的截面图；图16为采用根据示例性实施例的半导体发光器件的显示装置的分解透视图；以及图17为采用根据示例性实施例的半导体发光器件的照明装置的分解透视图。具体实施方式在下文中，将参照附图来详细地描述示例性实施例。然而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：半导体层压板，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的第一部分的第一沟槽和暴露第一导电半导体层的第二部分的第二沟槽；第一指形电极，其设置在第一沟槽中的第一导电半导体层的第一部分上；绝缘层，其设置在第二沟槽的内表面上；以及第二指形电极，其设置在第二沟槽中的绝缘层上，并且电连接至第二导电半导体层。

【技术特征摘要】
2015.08.04 KR 10-2015-01101861.一种半导体发光器件，包括：半导体层压板，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的第一部分的第一沟槽和暴露第一导电半导体层的第二部分的第二沟槽；第一指形电极，其设置在第一沟槽中的第一导电半导体层的第一部分上；绝缘层，其设置在第二沟槽的内表面上；以及第二指形电极，其设置在第二沟槽中的绝缘层上，并且电连接至第二导电半导体层。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括电流扩散层，其设置在第二导电半导体层上，并且电连接至第二指形电极。3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，电流扩散层沿着绝缘层的上表面延伸至第二沟槽中。4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，第二指形电极设置在第二沟槽中的电流扩散层的一部分上。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，第一沟槽和第二沟槽具有实质上相同的深度。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，第二沟槽包括在第一方向上排列的多个沟槽。7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中，第二指形电极包括弯曲结构。8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，绝缘层包括分布式布拉格反射器多层膜。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括附加绝缘层，其位于第一沟槽的内侧壁上。10.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，电流扩散层实质上设置在第二导电半导体层的上表面的整个区域上。11.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，电流扩散层包括透明电极层。12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，电流扩散层包括选自下列物质中的至少一种：氧化铟锡(ITO)、锌掺杂氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、In4Sn3O12以及氧化锌镁(Zn(1-x)MgxO，0≤x≤1)。13.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括第三指形电极。14.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括电连接至第一指形电极的第一电极焊盘以及电连接至第二指形电极的第二电极焊盘。15.根据权利要求14所述的半导体发光器件，还包括绝缘部分，其覆盖半导体层压板的设置有第一指形电极和第二指形电极的表面，绝缘部分包括连接至第一指形电极的第一通孔和连接至第二指形电极的第二通孔，其中，第一电极焊盘和第二电极焊盘设置在绝缘部分上，并且第一电极焊盘通过第一通孔连接至第一指形电极，第二电极焊盘通过第二通孔连接至第二指形电极。16.一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：金龙泰，安壹镐，杨仁范，李东烈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR