一种电真空玻璃制造技术

本发明专利技术介绍了一种膨胀系数为（２０～３００℃）７５±５×１０↑［－７］／℃，在０．６埃波长上具有至少为５０ｃｍ↑［－１］的Ｘ射线吸收系数，退火点４８０±１０℃、应变点４５０±１０℃、Ｔ↓［Ｋ］－１００＞３００℃的电真空玻璃，该玻璃的化学成分为（重量百分比）：ＳｉＯ↓［２］５０±５、Ｐ↓［ｂ］Ｏ３０±５、Ｋ↓［２］Ｏ６±１、Ｎａ↓［２］Ｏ４±１、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０．３±０．１、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］６±２、Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］０．２±０．１、Ａｓ↓［２］Ｏ↓［３］０．３±０．１。该玻璃能与ＹＡＧ等材料进行气密性匹配封接。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

An electric vacuum glass

The invention relates to an expansion coefficient (20 to 300 DEG C) 75 + 5 * 10 = 7 / - / C, is at 0.6 angstrom wavelength absorption coefficient for at least X ray 50cm = \- 1, 480 - 10 DEG C annealing point and strain at 450 - 10 DEG C, down T K - 100 is larger than 300 DEG C and electric vacuum glass, chemical composition of the glass is (wt%): SiO: 2, P: 50 + 5 B O30 + 5, K: 2 O6 + 1, Na: 2 O4 + 1, Al: 2 O: 3, B: 0.3 + 0.1 - 2 O: 3, Sb: 6 + 2 - 2 O: 3, As: 0.2 + 0.1 - 2 O: 3 0.3 + 0.1. The glass can be sealed and sealed with YAG and other materials.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到玻璃材料，满足电真空玻璃(电子玻璃)的理化性能要求，适用于制造电真空器件的管壳、管锥、芯柱、管颈、排气管等。电真空玻璃广泛应用于电真空器件的制造中，在各种电真空器件中作管壳、管颈、芯柱、排气管、连接件等。随着电真空器件的发展，电真空玻璃的品种也不断增多。按膨胀系数(α)可以分为以下几类(1)石英玻璃(α=5.3～5.8×10-7/℃)(2)钨组玻璃(α=36～40×10-7/℃)(3)钼组玻璃(α=46～50×10-7/℃)(4)铂组玻璃(α=86～93×10-7/℃)(5)钢组玻璃(α=95～120×10-7/℃)(6)低熔点焊料玻璃(7)特种玻璃包括支撑玻璃、微晶玻璃、紫外玻璃、红外玻璃、激光玻璃、光学纤维面板、微通道板玻璃等。(8)中间玻璃(α=15～83×10-7/℃)，仅适用于不同玻璃之间的过渡封接，实用上不能用于制造电真空器件管壳、管颈、芯柱、排气管等。电真空器件的玻璃管壳、管颈、芯柱、排气管一般用上述(1)～(5)组的玻璃制造。在电真空器件的发展中，有些具有良好性能的晶体或非晶体材料，在电真空器件中得到应用，如我校专利ZL95111324.0，名称为“一种阴极射线管及其制造方法”中采用膨胀系数约为75×10-7/℃的YAG单晶材料做为显示屏。该阴极射线管具有高亮度、高分辨率、高对比度的特点。用玻璃制造这种阴极射线管的管壳、管颈、芯柱、排气管具有成本低工艺简单的优点，但对选用的玻璃有严格的要求。要求玻璃具有与YAG相近的膨胀系数、良好的X射线吸收能力、良好的电性能及适当的软化温度、退火温度等理化性能。现有的电真空玻璃均不能满足上述要求，如文献1 Glass for cathode-ray tube faceplates(us4734388)介绍了一种CRT面板玻璃，主要成分为SiO2、Li2O、Na2O、K2O、SrO7、BaO、CaO、TiO2、ZrO2、Al2O3等，其膨胀系数(0～300℃)为97～100×10-7/℃。文献2 Glass compsn fotdisplay报道的显示用玻璃组合物以硅、铝、碱金属氧化物、稀土氧化物等为主要成分，其热膨胀系数大于80×10-7/℃。众所周知，当玻璃与其它材料封接时，要求二者的膨胀系数差异不超过7％，若膨胀系数相差太大，封接后将产生较大的应力，引起封接部位炸裂，难以实现可靠的气密性封接。经检索可知，大多数电子玻璃的膨胀系数在90～100×10-7/℃之间，尽管这些玻璃其它的性能非常优良，但这些玻璃都不能满足膨胀系数约为75×10-7/℃的要求，故不能用来制造与YAG气密性封接的玻璃管壳、管颈、芯柱、排气管等。我们在专利ZL95111324.0中也涉及到玻璃与YAG进行气密性封接技术，通过实践发现，该专利中所述之玻璃，虽能实现和YAG的气密性封接，但其它性能却难以满足要求，主要体现在(1)软化温度高，且加工过程中容易析晶；(2)阳极封接及芯柱制造中易产生漏气，成品率低；(3)热稳定性差、制管过程中玻璃易炸裂。本专利技术的目的是为了克服以上不足，配制一种新的电真空玻璃，具有同YAG单晶材料相近的膨胀系数、较强的X射线吸收能力、良好的电性能、良好的热稳定性和化学稳定性、适当的软化温度和退火温度以及良好的加工性能。为了实现上述目的，本专利技术的玻璃必须满足如下性能(1)膨胀系数(20～300℃)为75±5×10-7/℃；(2)在0.6埃波长上具有不小于50cm-1的X射线吸收系数；(3)Tk-100不小于300℃；(4)退火温度不大于500℃；(5)良好的加工性能。因此，本专利技术电真空玻璃由以下氧化物组成成分名称 化学表达式 含量(％)二氧化硅 SiO250±5氧化铅 PbO 30±5氧化钾 K2O 6±1氧化钠 Na2O 4±1三氧化二铝 Al2O30.3±0.1三氧化二硼 B2O36±2在熔制过程中选用三氧化二锑Sb2O3和三氧化二砷As2O3做澄清剂。本专利技术玻璃的组成与现有的电真空玻璃都不同，其膨胀系数(20～300℃)为75±5×10-7/℃，能与YAG单晶材料进行气密性匹配封接，且其它性能良好，适用于制作多种电真空器件的管壳、管锥、管颈、芯柱及排气管等。本专利技术的电真空玻璃与常用的电真空玻璃的组成及理化性能比较见下面附表。附表一几种电真空玻璃的化学组成 附表二几种电真空玻璃的性能比较 附表三与彩色显像管玻璃的性能比较 下面通过实例进一步说明本专利技术现以制作YAG显示管为例，显示屏为YAG单晶材料，其管锥、管颈、芯柱、排气管均使用本专利技术玻璃，根据本专利技术配方，计算并称量出各种原材料的重量，如下表原材料名称每100公斤玻璃所需原材料重量提供玻璃中的氧化物(Kg)石英砂 52.9 SiO2硝酸钾 3.2 K2O(部分)红丹30.7 PbO硼酸11.5 B2O3纯碱 8 Na2O三氧化二铝 0.3 Al2O3碳酸钾 6.8 K2O(部分)白砒 0.3 As2O3锑粉 0.2 Sb2O3将称量好的原材料充分混合均匀，放入100升的坩锅中进行熔化，溶化温度1380℃左右，澄清后玻璃炉降温至1000℃左右进行成型加工。所得玻璃的理化性能如下化学成分 SO2B2O3PbO K2O Na2OAl2O3Sb2O3As2O3百分含量 51.9 7.1 30.3 5.7 4.4 0.30.20.3膨胀系数(20-300℃) 74.2×10-7/℃软化点 659℃应变点 450℃退火点 480℃Tk-100 365℃介质损耗11×10-4(6mc,20℃条件)X射线吸收系数 85cm-1(X射线波长0.6埃)热稳定性120℃利用专利ZL95111324.0的实施实例二所提供的低溶点玻璃封接工艺，成功地实现了YAG与本专利技术玻璃所制管壳的气密性匹配封接。权利要求1．一种膨胀系数为75±5×10-7/℃，在0.6埃波长上具有至少为50cm1的X射线吸收系数、Tk-100＞300℃、退火点480±10℃、应变点450±10℃、软化点650±10℃的电真空玻璃，其特征是该玻璃由如下氧化物组成(以重量百分数表达)SiO250±5 PbO 30±5K2O 6±1 Na2O 4±1Al2O30.3±0.1 B2O36±2Sb2O30.2±0.1 As2O30.3±0.12．根据权利要求1所述的电真空玻璃，其特征是Sb2O3和As2O3为澄清剂。3．根据权利要求1所述的电真空玻璃，其特征是该电真空玻璃含有如下氧化物(以重量百分数表达)SiO251.9PbO30.3K2O5.7 Na2O 4.4Al2O30.3 B2O37.14．根据权利要求1或权利要求2所述的电真空玻璃，其特征是该玻璃含有澄清剂氧化物(以重量百分数表达)Sb2O30.2As2O30.全文摘要本专利技术介绍了一种膨胀系数为(20～300℃)75±5×10文档编号C03C4/08GK1231270SQ9811193公开日1999年10月13日 申请日期1998年4月7日 优先权日1998年4月7日专利技术者成建波, 祁康成, 林祖伦, 李刚 申请人:电子科技大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膨胀系数为７５±５×１０↑［－７］／℃，在０．６埃波长上具有至少为５０ｃｍ↑［１］的Ｘ射线吸收系数、Ｔ↓［ｋ］－１００＞３００℃、退火点４８０±１０℃、应变点４５０±１０℃、软化点６５０±１０℃的电真空玻璃，其特征是该玻璃由如下氧化物组成（以重量百分数表达）：ＳｉＯ↓［２］ ５０±５ Ｐ↓［ｂ］Ｏ ３０±５Ｋ↓［２］Ｏ ６±１ Ｎａ↓［２］Ｏ ４±１Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］ ０．３±０．１ Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］ ６±２Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］ ０．２±０．１ Ａｓ↓［２］Ｏ↓［３］ ０．３±０．１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：成建波，祁康成，林祖伦，李刚，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]