磁记录用软磁性合金及溅射靶材以及磁记录介质制造技术

技术编号:14676337 阅读:96 留言:0更新日期:2017-02-19 01:23
本发明专利技术提供作为垂直磁记录介质中的软磁性层使用的Co系磁记录用软磁性合金及溅射靶材以及磁记录介质。一种磁记录用软磁性合金,其中,以at.%计,Fe:Co之比为10:90~70:30,含有0.5~29.5%的选自Ta、Nb及V中的A组元素中的1种或2种以上,含有0.0~29.5%的选自Cr、Mo及W中的B组元素中的1种或2种以上,A组元素和B组元素的合计含量为10~30%,氢含量小于20ppm,余量为Co、Fe及不可避免的杂质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】关联申请的相互参照该申请基于2014年5月1日提出申请的日本专利申请2014-94550号及2015年2月16日提出申请的日本专利申请2015-27251号主张优先权,这些申请的总体公开内容通过参照而引入本说明书中。
本专利技术涉及作为垂直磁记录介质中的软磁性层使用的Co系磁记录用软磁性合金及溅射靶材以及磁记录介质
技术介绍
近年来,垂直磁记录的进步显著,为了驱动器的大容量化,正在进行磁记录介质的高记录密度化,与此前已普及的面内磁记录介质相比能够实现更高记录密度的垂直磁记录方式已经实用化。在此,垂直磁记录方式是指:易磁化轴沿着与垂直磁记录介质的磁性膜中的介质面垂直的方向取向、形成,是适合于高记录密度的方法。此外,最近正在逐渐使用具有10kG左右的较小饱和磁通密度(Bs)的合金组成的软磁性薄膜。例如,如日本特开2011-181140号公报(专利文献1)所公开那样,作为软磁性膜,提出一种非晶性高且具有高结晶化温度的、用于磁记录介质中的Fe-Co系合金软磁性膜,其在Fe-Co系合金中选择用于提高非晶性和结晶化温度的最佳元素的Nb和/或Ta与B。进而,如日本特开2008-299905号公报(专利文献2)公开那样,提出了一种饱和磁通密度、非晶质性、耐候性优异的垂直磁记录介质中的软磁性膜层用合金。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-181140号公报专利文献2:日本特开2008-29905号公报
技术实现思路
另一方面,如此地为了形成10kG左右的饱和磁通密度(Bs)而超过10%地大量添加Ta、Nb的溅射靶,存在溅射靶的机械强度降低的课题。为了解决上述问题进行了深入开发,结果发现,通过降低磁记录用软磁性溅射靶中的氢含量,磁记录用软磁性溅射靶的机械强度的降低得到改善。此外发现,氢含量低的软磁性合金的耐蚀性得到改善,而作出了本专利技术。根据本专利技术的一个方式,提供一种磁记录用软磁性合金,以at.%计,Fe:Co之比为10:90~70:30,含有0.5~29.5%的选自Ta、Nb及V中的A组元素中的1种或2种以上,含有0.0~29.5%的选自Cr、Mo及W中的B组元素中的1种或2种以上,上述A组元素和上述B组元素的合计含量为10~30%,氢含量小于20ppm,余量为Co、Fe及不可避免的杂质。根据本专利技术的其它方式,提供磁记录用软磁性合金,其特征在于,以at.%计,将Fe:Co之比设为10:90~70:30,且含有0.5~29.5%的下述A组元素中的1种或2种以上、0.0~29.5%的B组元素中的1种或2种以上,且将A组元素和B组元素之和设为10~30%,氢含量小于20ppm,余量由Co、Fe及不可避免的杂质构成。A组元素:Ta、Nb、VB组元素:Cr、Mo、W根据本专利技术的其它方式,提供磁记录用软磁性合金,以at.%计,Fe:Co之比为10:90~70:30,含有0.5~29.5%的选自Ta、Nb及V中的A组元素中的1种或2种以上,含有0.5~29.5%的选自Cr、Mo及W中的B组元素中的1种或2种以上上述A组元素和上述B组元素的合计含量为10~30%,氢含量小于20ppm,余量为Co、Fe及不可避免的杂质。根据本专利技术的其它方式,提供磁记录用软磁性合金,其特征在于,以at.%计,将Fe:Co之比设为10:90~70:30,且含有0.5~29.5%的下述A组元素中的1种或2种以上、0.5~29.5%的B组元素中的1种或2种以上,且将A组元素和B组元素之和设为10~30%,氢含量小于20ppm,余量由Co、Fe及不可避免的杂质构成。A组元素:Ta,Nb,VB组元素:Cr,Mo,W根据本专利技术的优选方式,在上述任一磁记录用软磁性合金中,进而以下述各组所述的at.%的范围含有下述C组元素、D组元素、E组元素及F组元素中1种或2种以上元素。C组元素:选自Ti、Zr及Hf中的1种或2种以上的元素,其合计含量小于5%,且A组元素、B组元素和C组元素的合计含量为10~30%D组元素:选自Ni及Mn中的1种或2种元素,其合计含量为30%以下E组元素:选自Al及Cu中的1种或2种元素,其合计含量为5%以下F组元素:选自Si、Ge、P、B及C中的1种或2种以上的元素,其合计含量为10%以下根据本专利技术的其它方式,提供一种磁记录用软磁性合金,其特征在于,在上述任一磁记录用软磁性合金中,进而以下述各组所述的at.%的范围含有选自下述C组元素~F组元素所述的元素中的1种或2种以上元素。C组元素:小于5%的Ti、Zr、Hf中的1种或2种以上,其中,使A组元素、B组元素和C组元素之和为10~30%D组元素:30%以下的Ni、Mn中的1种或2种E组元素:5%以下的Al、Cu中的1种或2种F组元素:10%以下的Si、Ge、P、B、C中的1种或2种以上根据本专利技术的其它方式,提供一种磁记录用软磁性合金形成用溅射靶材,其含有上述任一种磁记录用软磁性合金。根据本专利技术的另一其它方式,提供一种磁记录介质,其含有上述任一种磁记录用软磁性合金。从而,根据本专利技术,能够提供机械强度优异的磁记录用软磁性溅射靶和耐蚀性优异的软磁性合金。具体实施方式以下对本专利技术的成分组成的限定理由进行说明。本专利技术涉及的是磁记录用软磁性合金,因此饱和磁通密度、优选10kG以下的Bs、更优选9kG以下的Bs、非晶性、硬度、及耐蚀性是必要的。Fe:Co之比:10:90~70:30Fe、Co是构成软磁性合金的元素。Fe和Co之比是确保软磁性、且对饱和磁通密度、非晶性、硬度、及耐蚀性影响较大的参数。特别是,通过将Fe:Co之比设为10以上,饱和磁通密度变得足够,此外通过抑制为70以下,耐蚀性的劣化受到抑制。因此,将该比值设为10:90~70:30。从A组元素中选择的1种或2种以上元素:0.5~29.5%Ta、Nb及V均是改善非晶性和硬度的元素。并且,为0.5%以上则充分发挥该改善效果。因此,将其下限设为0.5%。A组元素的合计含量优选设为2~20%、进一步优选设为4~15%。但是,超过29.5%时,其效果饱和,因此将其上限设为29.5%。从B组元素中选择的1种或2种以上元素:0.0~29.5%Cr、Mo及W均为改善非晶性和耐蚀性的元素。通过使这些元素与A组元素同时含有,其效果改善效果增强。B组元素的合计含量优选设为0.5~20%、进一步优选设为1~10%。但是,超过29.5%时,其效果饱和,因此将其上限设为29.5%。A组元素和B组元素的合计含量:10~30%将A组元素和B组元素的合计含量设为10~30%的理由在于,二者均为改善非晶性和硬度的元素,同时含有A组元素和B组元素时,其改善效果进一步增强。通过将A组元素和B组元素的合计含量设为10%以上,其改善效果可充分发挥。因此,将其下限设为10%。A组元素和B组元素的合计含量优选设为14~22%、进一步优选设为16~20%。但是,超过30%时,其效果饱和,因此将其上限设为30%。从C组元素中选择的1种或2种以上元素:5%以下Ti、Zr及Hf均为改善非晶性的元素。并且,若为5%以下,可充分获得饱和磁通密度。因此,将其范围设为5%以下。C组元素的合计含量优选设为2~4%。A组元素、B组元素和C组元素的合计含量:10~30%将A组元素、B组元素和C组元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录用软磁性合金,其中,以at.%计,Fe:Co之比为10:90~70:30,含有0.5~29.5%的选自Ta、Nb及V中的A组元素中的1种或2种以上,含有0.0~29.5%的选自Cr、Mo及W中的B组元素中的1种或2种以上,上述A组元素和上述B组元素的合计含量为10~30%,氢含量小于20ppm,余量为Co、Fe及不可避免的杂质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.01 JP 2014-094550;2015.02.16 JP 2015-027251.一种磁记录用软磁性合金,其中,以at.%计,Fe:Co之比为10:90~70:30,含有0.5~29.5%的选自Ta、Nb及V中的A组元素中的1种或2种以上,含有0.0~29.5%的选自Cr、Mo及W中的B组元素中的1种或2种以上,上述A组元素和上述B组元素的合计含量为10~30%,氢含量小于20ppm,余量为Co、Fe及不可避免的杂质。2.一种磁记录用软磁性合金,其中,以at.%计,Fe:Co之比为10:90~70:30,含有0.5~29.5%的选自Ta、Nb及V中的A组元素中的1种或2种以上,含有0.5~29.5%的选自Cr、Mo及W中的B组元素中的1种或2种以上,上述A组元素和上述B组元素的合计含量为10~30%,氢含量小于20ppm,...

【专利技术属性】
技术研发人员:长谷川浩之松原庆明新村梦树林亮二
申请(专利权)人:山阳特殊制钢株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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